4H-SiC ショットキー ショットキー ショットキー PNダイオード ダイオード のスイッチング特性解析 スイッチング特性解析

摘要

ショットキー ショットキー ショットキー PNダイオード ダイオード (Schottky-pn diode:以下 SPNDと示す と示す )はショットキー接合と片側 はショットキー接合と片側 はショットキー接合と片側 はショットキー接合と片側 はショットキー接合と片側 PN接合に 挟まれた低濃度領域が 挟まれた低濃度領域が 挟まれた低濃度領域が 挟まれた低濃度領域が 挟まれた低濃度領域が 挟まれた低濃度領域が 挟まれた低濃度領域が 挟まれた低濃度領域が 熱平衡状態で 熱平衡状態で 熱平衡状態で 熱平衡状態で 熱平衡状態で 完全空乏化した 完全空乏化した 完全空乏化した 完全空乏化した 完全空乏化した 構造を有して 構造を有して 構造を有して 構造を有して 構造を有して おり、 おり、 従来構造のダイオードに比べ 従来構造のダイオードに比べ 従来構造のダイオードに比べ 従来構造のダイオードに比べ 従来構造のダイオードに比べ 従来構造のダイオードに比べ 従来構造のダイオードに比べ 従来構造のダイオードに比べ 従来構造のダイオードに比べ 従来構造のダイオードに比べ て 低オン抵抗 という特徴 という特徴 という特徴 という特徴 という特徴 を有している [1,2]。導通時 に は、空乏化 した 領域を電子または正孔の一方みが 領域を電子または正孔の一方みが 領域を電子または正孔の一方みが 領域を電子または正孔の一方みが 領域を電子または正孔の一方みが 領域を電子または正孔の一方みが 領域を電子または正孔の一方みが 領域を電子または正孔の一方みが 領域を電子または正孔の一方みが 領域を電子または正孔の一方みが 領域を電子または正孔の一方みが 領域を電子または正孔の一方みが 移動する。そのため 移動する。そのため 移動する。そのため 移動する。そのため PN接合を有するにも関わらず 接合を有するにも関わらず 接合を有するにも関わらず 接合を有するにも関わらず 接合を有するにも関わらず 少数キャリアの 少数キャリアの 少数キャリアの 少数キャリアの 少数キャリアの 少数キャリアの 注入が起こらず 注入が起こらず 注入が起こらず 注入が起こらず 注入が起こらず 、高速 なスイッチン なスイッチン なスイッチン なスイッチン なスイッチン グ特性を有している グ特性を有している グ特性を有している グ特性を有している グ特性を有している グ特性を有している グ特性を有している ことがダイヤモンドにおいて実 ことがダイヤモンドにおいて実 ことがダイヤモンドにおいて実 ことがダイヤモンドにおいて実 ことがダイヤモンドにおいて実 ことがダイヤモンドにおいて実 ことがダイヤモンドにおいて実 ことがダイヤモンドにおいて実 ことがダイヤモンドにおいて実 ことがダイヤモンドにおいて実 ことがダイヤモンドにおいて実 証されている 証されている 証されている [1]。今回 、4H-SiCを用いた を用いた を用いた SPNDを試 作し、そ 作し、そ 作し、そ のスイッチング のスイッチング のスイッチング 特性について解析を行った。 特性について解析を行った。 特性について解析を行った。 特性について解析を行った。 特