Channel temperature; Gallium Nitride (GaN); High-electron mobility transistors (HEMTs); Thermal resistance;
机译:SiC上AlGaN-GaN HEMT的非线性热阻和脉冲热动力学行为
机译:金刚石上AlGaN / GaN耗尽型HEMT的热阻提取
机译:金刚石上AlGaN / GaN n耗尽型HEMT的热阻提取
机译:一种改进的AlGaN / GaN Hemts的非线性耐热性提取方法
机译:机械应力对AlGaN / GaN HEMT性能的影响:沟道电阻和栅极电流。
机译:在6英寸N掺杂的低电阻率SiC基板上的常压P-GaN栅极AlGaN / GaN Hemts的高热耗散
机译:用部分蚀刻的AlGaN层进行新的AlGaN / GaN Hemt的热场分析
机译:si,GaN和alGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEmT)晶片的非接触迁移率,载流子密度和薄层电阻测量。