机译:通过掺磷去除SiO_2 / 4H-SiC(0001)界面处的近界面陷阱
机译:界面熔融后带对准变化对SiO_2 / 4H-SiC(0001)和(1100)MOS电容器的漏电流的影响
机译:SiO_2 / 4H-SiC结构中4H-SiC的晶面对界面陷阱密度和迁移率的影响
机译:O_2氧化与4H-SIC(0001)的近界面SiO_2结构的差异及其对MOS界面特性的影响
机译:疼痛特征的年龄差异及其对接受化疗的患者的影响。
机译:表面改性和磨料抛光之间的竞争:控制4H-SiC表面原子结构的方法(0001)
机译:al $ _2 $ O $ _3 $ / 4H-siC和al的近界陷阱比较 al $ _2 $ O $ _3 $ / siO $ _2 $ / 4H-siC结构