（K,Na）NbO_3鉛フリー圧電薄膜の開発とその応用

摘要

近年，高速高精細インクジェットプリンタヘッド、角速度センサ、MEMSミラー素子などへ圧電薄膜の応用が拡大している。現在は，高濃度の鉛を含むPb（Zr，Ti）O_3が用いられているが，環境負荷低減の観点から，特性の優れた鉛フリー圧電薄膜の実現が望まれている。（株）サイオクスではスパッタ法による緻密な（001）配向の（K，Na)NbO_3圧電薄膜形成技術を確立し，圧電定数d_(31)が100pm/V以上という実用レベルの高性能鉛フリー圧電薄膜を形成する技術の開発に成功した。