机译:使用非晶态TaSiN作为氧扩散阻挡层将钙钛矿氧化物电介质集成到互补的金属氧化物半导体电容器结构中
机译:TaSiN势垒层组成对电镀铜互连层电阻率的影响
机译:层状TaSiN作为抗氧化的导电阻挡层
机译:TaSiN氧气扩散阻挡层
机译:在Cu / SiLK(TM)金属化方案中,集成非晶钽氮化硅(TaSiN)薄膜作为扩散阻挡层。
机译:由(CeO2)0.95(Y2O3)0.05作为固体电解质层和(CeO2)0.75(ZrO2)0.25作为密集扩散阻挡层组成的极限电流氧传感器
机译:使用非晶态TaSiN作为氧扩散阻挡层将钙钛矿氧化物电介质集成到互补的金属氧化物半导体电容器结构中
机译:减少重掺杂Gaas的向外扩散:通过伪形态(x)Ga(1-x)作为阻挡层成为层