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European Workshop on Materials for Advanced Metallization
European Workshop on Materials for Advanced Metallization
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1.
Rapid thermal low pressure chemical vapor deposition of tin layers from the TiCI/sub 4/-NH/sub 3/-H/sub 2/ gaseous phase
机译:
从TiCi / Sub 4 / -NH / Sub 3 / -H / Sub 2 /气相中的锡层的快速热低压化学气相沉积
作者:
Bouteville A.
;
Imhoff L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
2.
Metal etcher characterization using flash memory cells as charge sensors
机译:
金属蚀刻器表征使用闪存单元作为充电传感器
作者:
Alba S.
;
Colognese A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
3.
Copper CVD precursors and processes for advanced metallization
机译:
铜CVD前体和先进金属化的方法
作者:
Doppelt P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
4.
Copper metallization for advanced ULSI devices using spray electroless plating technology
机译:
采用喷涂无电镀技术的高级ULSI器件铜金属化
作者:
Nguyen V.T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
5.
Solid solution disilicide thin films : formation, structure, properties and application
机译:
固溶体二硅化物薄膜:形成,结构,性能和应用
作者:
Dvorina L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
6.
High pressure aluminium for sub-micron vias using a liquid transducer
机译:
使用液体换能器的亚微米通孔的高压铝
作者:
Jongste J.F.
;
Li X.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
7.
EXAFS investigation of Co sites in CoSi/sub 2/ film grown by ion beam assisted deposition
机译:
通过离子束辅助沉积生长的Cosi / Sub 2 /膜中CO位点的Exafs调查
作者:
Terrasi A.
;
La Via F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
8.
TiN/W double layers as a barrier system for use in Cu metalization
机译:
锡/ W双层作为用于Cu金属化的屏障系统
作者:
Baumann J.
;
Markert M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
9.
Reactive ion etching of metal stack consisting of an aluminium alloy, WGE/sub x/ barrier and Ti adhesion layer
机译:
由铝合金,WGE / Sub X /屏障和Ti粘附层组成的金属叠层的反应离子蚀刻
作者:
Sabouret E.
;
Verhoeven P.F.M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
10.
Formation of ultra-thin PtSi layers with a 2-step silicidation process
机译:
具有2步硅化过程的超薄PTSI层的形成
作者:
Donaton R.A.
;
Jin S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
11.
Influence of process parameters on chemical-mechanical polishing of copper
机译:
工艺参数对铜化学机械抛光的影响
作者:
Stavreva Z.
;
Zeidler D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
12.
W CMP process integration
机译:
W CMP进程集成
作者:
Sicurani E.
;
Fayolle M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
13.
OMCVD TiN diffusion barrier for copper contact and via/interconnects structures
机译:
OMCVD TIN扩散屏障用于铜接触和VIA /互连结构
作者:
Marcadal C.
;
Richard E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
14.
Total process of 0.18 and 0.25 /spl mu/m ohmic contacts
机译:
018和0.25 / SPL MU / M欧姆触点的总处理
作者:
Hara T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
15.
Investigation of chemical interactions on the interface W/Si
机译:
W / SI界面上的化学相互作用
作者:
Pluscheva S.V.
;
Shabeinikov L.G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
16.
Arsenic solubility in single crystalline cobalt disilicide
机译:
单晶钴二硅化物中的砷溶解度
作者:
Mangelinck D.
;
Cardenas J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
17.
Influence of carrier gas on cu nucleation, film properties and MOCVD reaction kinetics
机译:
载气对Cu成核,薄膜性能和MOCVD反应动力学的影响
作者:
Rober J.
;
Riedel S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
18.
Patterning of silicide layers by local oxidation
机译:
通过局部氧化图案硅化物层
作者:
Klinkhammer F.
;
Dolle M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
19.
Planar aluminiurn multilevel interconnection formed by electrochemical anodizing technique
机译:
通过电化学阳极氧化技术形成的平面铝制多级互连
作者:
Surganov V.
;
Mozalev A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
20.
Lattice dynamics of transition metal disilicides
机译:
过渡金属二硅霉的晶格动力学
作者:
Chaix-Pluchery O.
;
Bossy J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
21.
A self-aligned silicide technology with the Mo/Ti bilayer system
机译:
具有Mo / Ti双层系统的自对准硅化物技术
作者:
Kaplan W.
;
Mouroux A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
22.
Raman study of tungsten disilicide formation in thin films
机译:
薄膜钨二种机体形成的拉曼研究
作者:
Chaix-Pluchery O.
;
Lucazeau G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
23.
Chemical beam epitaxy of CoGa on GaAs using GaEt/sub 3/ and CpCo(CO)/sub 2/ as dual organometallic sources
机译:
使用录型/子3 /和CPCO(CPCO(CPCO)/ Sub 2 /作为双有机金属源的Coga在GaAs上的化学束外延
作者:
Viguier N.
;
Maury F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
24.
Kinetics of the C49-C54 phase transition in TiSi/sub 2/, new indications from sheet resistance, infrared spectroscopy and molecular dynamics simulations
机译:
TISI / SUB 2的C49-C54相变的动力学/薄层电阻,红外光谱和分子动力学模拟的新指示
作者:
Grimaldi M.G.
;
La Via F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
25.
Conformal copper deposition in deep trenches
机译:
深沟中的保形铜沉积
作者:
Bollmann D.
;
Merkel R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
26.
Influence of processing parameters on selectivity in a cvd-process of copper using Cu/sup +1/(hfac)(TMVS)
机译:
使用Cu / Sup + 1 /(HFAC)(TMV)对铜CVD-过程中选择性的影响
作者:
Friese G.
;
Abdul-Hak A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
27.
High crystalline quality titanium silicides on n/sup +/p and p/sup +/n silicon junctions by sputtering deposition of Ti/Si multilayers and annealing
机译:
通过Ti / Si多层和退火的溅射沉积N / SUP + / P和P / SUP + / N硅结的高晶体优质硅化物
作者:
Revva P.
;
Kastanas A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
28.
3D simulation of sputter deposition of titanium layers in contact holes with high aspect ratios
机译:
高纵横比钛层溅射沉积溅射的3D模拟
作者:
Bar E.
;
Lorenz J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
29.
Investigation of copper diffusion in SiOF, TEOS oxide and TCA oxide using bias thermal stress (BTS) tests
机译:
使用偏置热应力(BTS)试验研究Siof,TeoS氧化物和TCA氧化物铜扩散的研究
作者:
Abdul-Hak A.
;
Ahrens C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
30.
Thermal stress effects on capacitance and current characteristics of Cu/si and Cu/TiN/Si schottky-diodes
机译:
Cu / Si和Cu / TiN / Si Schottky-Diodes电容和电流特性的热应力效应
作者:
Ahrens C.
;
Ferretti R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
31.
SiOF and SiO/sub 2/ deposition in a HDP reactor: tool characterisation and film analysis
机译:
HDP反应器中的SIOF和SIO / SUB 2 /沉积:工具表征和薄膜分析
作者:
den Boer D.J.
;
Fukuda H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
32.
Dry etch challenges of 0.25 /spl mu/m dual damascene structures
机译:
干蚀刻挑战0.25 / SPL MU / M双镶嵌结构
作者:
Schnabel R.F.
;
Dobuzinski D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
33.
Author Index
机译:
作者索引
作者:
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
34.
Deposition of thin TiN films by low-power reactive magnetron sputtering
机译:
通过低功率反应磁控溅射沉积薄锡膜
作者:
Mikhalchuk P.V.
;
Orlikovsky A.A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
35.
Thermal stability of thin CoSi/sub 2/ layers on polysilicon implanted with As, BF/sub 2/ and Si
机译:
植入为AS,BF / SUB 2 /和SI的多晶硅薄Cosi / sub 2 /层的热稳定性
作者:
La Via F.
;
Alberti A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
36.
Reduction of molybdenum resistivity by a seed layer of Ti-W
机译:
Ti-W的种子层还原钼电阻率
作者:
Franssila S.
;
Kattelus H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
37.
Deposition of barrier layer and CVD copper under no exposed wafer conditions : adhesion performance and process integration
机译:
在没有暴露的晶片条件下沉积阻挡层和CVD铜:粘附性能和工艺集成
作者:
Braeckelmann G.
;
Manger D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
38.
Application of HF solutions for the cleaning of TiSi/sub 2/ surface
机译:
HF溶液在TISI / SUB 2 /表面清洗中的应用
作者:
Baklanov M.R.
;
Vanhaelemeersch S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
39.
Sputter deposition and characterization of TiB/sub 2//TiSi/sub 2/ bilayer contact structure
机译:
TIB / SUB 2 // TISI / SUB 2 /双层接触结构的溅射沉积和表征
作者:
Sade G.
;
Pelleg J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
40.
Selective TiSi/sub 2/ by CVD, one step further
机译:
选择性TISI / SUB 2 / CVD,进一步一步
作者:
Maury D.
;
Regolini J.L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
41.
Properties of tungsten silicide thin films obtained by magnetron sputtering of composite cast targets
机译:
复合铸造靶磁控溅射获得的钨硅化物薄膜的性质
作者:
Glebovsky V.G.
;
Ermolov S.N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
42.
Focused ion beam sample preparation, transmission electron microscopy and electron energy loss spectroscopy analysis of advanced CMOS silicon technology interconnections
机译:
聚焦离子束样品制备,透射电子显微镜和电子能损光谱分析先进的CMOS硅技术互连
作者:
Pantel R.
;
Auvert G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
43.
CVD process for copper interconnection
机译:
CVD铜互连过程
作者:
Marcada C.
;
Richard E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
44.
Integration evaluation of low permittivity silicon based spin an materials as IMD
机译:
低介电常数基于硅基纺材料的集成评估作为IMD的材料
作者:
Pires F.
;
Noel P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
45.
TaSiN barrier layer for the oxygen diffusion
机译:
氧气扩散的Tasin阻挡层
作者:
Hara T.
;
Tanaka M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
46.
The effect of an additional ti layer in a sub-/spl mu/m double level Ti/TiN-AlSiCu-TiN metallization for a CMOS-logic-process
机译:
CMOS-Logic-Process的额外Ti层在Sub / SPRMU / M双层Ti / TiN-Alsicu-TiN金属化中的影响
作者:
Stegemann K.H.
;
Beyer C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
47.
Mechanism studies of Cu RIE for VLSI interconnections
机译:
CU RIE对VLSI互连的机制研究
作者:
Markert M.
;
Bertz A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
48.
What is the metal role an the fermi-level position at the interface with IV-IV compounds ?
机译:
什么是金属角色与IV-IV化合物界面的费米级位置?
作者:
Aubry-Fortuna V.
;
Perrossier J.-L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
49.
WN/sub x//W as a low-resistance gate material and local interconnect
机译:
Wn / sub x // w作为低电阻栅极材料和本地互连
作者:
Galewski C.J.
;
Gadgil P.N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
50.
Characterization of thin TiSi/sub 2/ films by spectroscopic ellipsometry and thermal wave analysis
机译:
光谱椭圆形测定法和热波分析表征薄的TISI / SUP 2 /膜
作者:
Kai S.
;
Kasko I.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
51.
Formation of thin film of co- and ni-silicide by MEVVA implantation
机译:
MeVVA植入形成共同和Ni-硅化膜的薄膜
作者:
Zhang Y.
;
Whitlow H.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
52.
High aspect ratio quarter-micron electroless copper integrated technology
机译:
高纵横比四分之一微米无电铜综合技术
作者:
Shacham-Diamand Y.
;
Lopatin S.Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
53.
Integration of a stack of two fluorine doped silicon oxide thin films with interconnect metallization for a sub-0.35 /spl mu/m inter-metal dielectric applications
机译:
一堆两种氟掺杂氧化硅薄膜与互连金属化的叠加金属金属间电介质应用的互连金属化
作者:
Baud L.
;
Passermard G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
54.
Cleaning after silicon oxide CMP
机译:
氧化硅CMP后清洗
作者:
Tardif F.
;
Mansart I.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
55.
Sub-half micron metallization using high pressure Al
机译:
使用高压Al的次半微米金属化
作者:
Rich P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
56.
Multilevel interconnection technologies and future requirements for logic applications
机译:
多级互连技术和逻辑应用的未来要求
作者:
Brillouet M.
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Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
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1998年
57.
Copper CMP evaluation: slurry chemical effect on planarization
机译:
铜CMP评价:浆料对平坦化的化学效果
作者:
Romagna F.
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Fayolle M.
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Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
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1998年
58.
Local nucleation and lateral crystallisation of the silicide phases in CoSi/sub 2/ buffer layer of YBCO/CoSi/sub 2//Si structure
机译:
硅化物相的局部成核和横向结晶在YBCO / COSI / sub 2 // Si结构的辛酸/亚2 /缓冲层中的硅化物相
作者:
Belousov I.
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Rudenko E.
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Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
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1998年
59.
Polymers for high performance interconnects
机译:
用于高性能互连的聚合物
作者:
Taylor K.J.
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Jong S.-P.
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Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
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1998年
60.
Three dimensional metallization for vertically integrated circuits
机译:
垂直集成电路的三维金属化
作者:
Bollmann D.
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Braun R.
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Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
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1998年
61.
MAM'97 European Workshop Materials for Advanced Metallization
机译:
MAM'97欧洲研讨会用于先进金属化材料
作者:
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
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1998年
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