机译:比较模拟应用中0.18和0.25 / spl mu / m CMOS技术中的电离辐射效应
机译:具有0.18- / spl mu / m CMOS工艺的8位/ spl次/ OSR和4MHz转换带宽的14位delta-sigma ADC
机译:具有自对准欧姆接触和镍表面光栅的1.57- / splμ/ m侧向耦合反馈反馈激光器的高频工作
机译:018和0.25 / SPL MU / M欧姆触点的总处理
机译:通过固相反应开发与n-Ga(或Al)(0.5)In(0.5)P的不尖峰欧姆接触以及对n-GaAs进行低温处理的欧姆接触
机译:通过插入TiO2中间层改善低温处理的金属/ n-Si欧姆接触的可弯曲单晶硅纳米膜薄膜晶体管
机译:改善线宽控制的策略0.25.mum和0.18.mum设备。