Gallium nitride; Silicon; Logic gates; MOSFET; Substrates; Leakage currents;
机译:硅衬底上的准垂直GaN肖特基势差二极管,1010高开/关电流比和低特定导通电阻
机译:硅基板上GaN微波晶体管的功率特性
机译:在高侧操作和浮动衬底条件下,硅基氮化镓功率晶体管中静态
机译:硅衬底上的645 V准垂直GaN功率晶体管
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:使用不同缓冲层配置的200mm硅(111)衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构研究
机译:硅基板上的645 V准垂直GaN功率晶体管
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管