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International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s
International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s
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1.
Application opportunities and expectations for wide bandgap power devices in power supply
机译:
电源中宽带隙功率器件的应用机会和期望
作者:
Zhengqing Zhao
;
Chaofeng Cai
;
Tao Wang
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
gallium compounds;
high electron mobility transistors;
III-V semiconductors;
power convertors;
power semiconductor devices;
power supply circuits;
silicon compounds;
wide band gap semiconductors;
2.
High-speed power MOSFET with low reverse transfer capacitance using a trench/planar gate architecture
机译:
使用沟槽/平面栅极架构具有低反转电容的高速功率MOSFET
作者:
Jin Wei
;
Yuru Wang
;
Meng Zhang
;
Huaping Jiang
;
Kevin J. Chen
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
electric fields;
field effect transistor switches;
numerical analysis;
power MOSFET;
power semiconductor switches;
semiconductor device models;
3.
Investigation into HCl improvement by a split-reeessed-gate structure in an STI-based nLDMOSFET
机译:
在基于STI的NLDMOSFET中,通过分裂再封入栅极结构对HCL改进的研究
作者:
Takahiro Mori
;
Hiroki Fujii
;
Shunji Kubo
;
Takashi Ipposhi
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
hot carriers;
impact ionisation;
MOSFET;
semiconductor device reliability;
4.
Highly thermal-fatigue resistant Si3N4 substrates with excellent mechanical and thermal properties
机译:
具有优异的机械和热性能的高热疲劳性Si3N4基材
作者:
Hiroyuki Miyazaki
;
You Zhou
;
Kiyoshi Hirao
;
Shinji Fukuda
;
Noriya Izu
;
Hideki Hyuga
;
Shoji Iwakiri
;
Hideki Hirotsuru
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
aluminium compounds;
bending strength;
brazing;
fracture toughness;
silicon compounds;
thermal stress cracking;
5.
Design and fabrication of 3.3kV SiC MOSFETs for industrial applications
机译:
用于工业应用3.3kV SiC MOSFET的设计与制造
作者:
Xing Rusag
;
Leonid Vursin
;
Anup Bhalla
;
William Simon
;
J. Chris Dries
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
design of experiments;
power MOSFET;
power semiconductor switches;
silicon compounds;
traction;
6.
Design considerations of vertical GaN nanowire Schottky barrier diodes
机译:
垂直GaN纳米线肖特基势垒二极管的设计考虑因素
作者:
Gourab Sabui
;
Vitaly Z. Zubialevich
;
Mary White
;
Pietro Pampili
;
Peter J. Parbrook
;
Mathew McLaren
;
Miryam Arredondo-Arechavala
;
Z. John Shen
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
dielectric materials;
gallium compounds;
III-V semiconductors;
nanowires;
sapphire;
Schottky diodes;
technology CAD (electronics);
wide band gap semiconductors;
7.
High-performance fully-recessed enhancement-mode GaN MIS-FETs with crystalline oxide interlayer
机译:
具有晶体氧化物中间层的高性能完全嵌入式增强模式GaN错误FET
作者:
Mengyuan Hua
;
Zhaofu Zhang
;
Qingkai Qian
;
Jin Wei
;
Qilong Bao
;
Gaofei Tang
;
Kevin J. Chen
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
Spectral analysis;
8.
On the vertical leakage of GaN-on-Si lateral transistors and the effect of emission and trap-to-trap-tunneling through the AIN/Si barrier
机译:
通过AIN / Si屏障的GaN-on-Si横向晶体管的垂直泄漏及发射和陷阱隧穿的影响
作者:
G. Longobardi
;
Shu Yang
;
Dario Pagnano
;
Gianluca Camuso
;
Florin Udrea
;
Jinming Sun
;
Reenu Garg
;
Mohamed Imam
;
Alain Charles
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
aluminium compounds;
gallium compounds;
high electron mobility transistors;
III-V semiconductors;
impact ionisation;
nucleation;
semiconductor device breakdown;
tunnelling;
wide band gap semiconductors;
9.
U-shaped channel SOI-LIGBT with dual trenches to improve the trade-off between saturation voltage and turn-off loss
机译:
U形通道SOI-LIGBT采用双沟,以改善饱和电压和关闭损耗之间的折衷
作者:
Long Zhang
;
Jing Zhu
;
Weifeng Sun
;
Minna Zhao
;
Jiajun Chen
;
Xuequan Huang
;
Desheng Ding
;
Yan Gu
;
Sen Zhang
;
Bo Hou
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
Doping;
10.
A novel 700V deep trench isolated double RESURF LDMOS with P-sink layer
机译:
一种新型700V深沟隔离双Resurf LDMO,具有P槽层
作者:
Shikang Cheng
;
Dong Fang
;
Ming Qiao
;
Sen Zhang
;
Guangsheng Zhang
;
Yan Gu
;
Yitao He
;
Xin Zhou
;
Zhao Qi
;
Zhaoji Li
;
Bo Zhang
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
isolation technology;
MOSFET;
11.
GaN power IC technology: Past, present, and future
机译:
GaN电源IC技术:过去,现在和未来
作者:
Dan Kinzer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
gallium compounds;
III-V semiconductors;
power integrated circuits;
wide band gap semiconductors;
12.
Formulation of single event burnout failure rate for high voltage devices in satellite electrical power system
机译:
卫星电力系统中高压装置的单事件烧坏故障率的制定
作者:
Yuji Shiba
;
Erdenebaatar Dashdondog
;
Masaki Sudo
;
Ichiro Omura
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
artificial satellites;
circuit reliability;
power electronics;
radiation hardening (electronics);
space vehicle electronics;
13.
Free-carrier absorption experiments for the investigation of the physical device properties in IGBTs with hydrogen-related donors
机译:
自由载体吸收实验,用于研究IGBT的物理装置性质与氢相关供体的研究
作者:
A. Korzenietz
;
G. Wachutka
;
F. Hille
;
C. Sandow
;
F.-J. Niedernostheide
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
Protons;
Current measurement;
Insulated gate bipolar transistors;
Absorption;
Plasmas;
Semiconductor device measurement;
Plasma measurements;
14.
Kilovolt GaN MOSHEMT on silicon substrate with breakdown electric field close to the theoretical limit
机译:
在硅衬底上千瓦杆Ga MoShemt,具有击穿电场接近理论极限
作者:
Ming Tao
;
Maojun Wang
;
Cheng P. Wen
;
Jinyan Wang
;
Yilong Hao
;
Wengang Wu
;
Kai Cheng
;
Bo Shen
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
Field-flow fractionation;
15.
Power electronics 2.0: IoT-connected and Al-controlled power electronics operating optimally for each user
机译:
电源电子产品2.0:IOT连接和AL控制的电源电子器件为每个用户最佳地运行
作者:
Makoto Takamiya
;
Koutaro Miyazaki
;
Hidemine Obara
;
Toru Sai
;
Keiji Wada
;
Takayasu Sakurai
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
artificial intelligence;
electronic engineering computing;
insulated gate bipolar transistors;
Internet of Things;
power integrated circuits;
simulated annealing;
VLSI;
16.
Negative dynamic Ron in AlGaN/GaN power devices
机译:
AlGaN / GaN电源设备中的负动态ron
作者:
P. Moens
;
M. J. Uren
;
A. Banerjee
;
M. Meneghini
;
B. Padmanabhan
;
W. Jeon
;
S. Karboyan
;
M. Kuball
;
G. Meneghesso
;
E. Zanoni
;
M. Tack
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
aluminium compounds;
gallium compounds;
III-V semiconductors;
power semiconductor devices;
semiconductor device reliability;
semiconductor device testing;
17.
Chip-on-board assembly of 800V Si L-IGBTs for high performance ultra-compact LED drivers
机译:
高性能超紧凑型LED驱动器的800V SI L-IGBT芯片组件
作者:
A. M. Aliyu
;
B. Mouawad
;
A. Castellazzi
;
P. Rajaguru
;
C. Bailey
;
V. Pathirana
;
N. Udugampola
;
T. Trajkovic
;
F. Udrea
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
assembling;
current density;
driver circuits;
insulated gate bipolar transistors;
leakage currents;
LED lamps;
18.
A comparative study of channel designs for SiC MOSFETs: Accumulation mode channel vs. inversion mode channel
机译:
SiC MOSFET信道设计的比较研究:累积模式通道与反转模式通道
作者:
Woongje Sung
;
Kijeong Han
;
B. Jayant Baliga
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
carrier mobility;
MOSFET;
silicon;
statistical analysis;
wide band gap semiconductors;
19.
Short circuit capability and high temperature channel mobility of SiC MOSFETs
机译:
SIC MOSFET的短路能力和高温通道移动性
作者:
Jiahui Sun
;
Hongyi Xu
;
Xinke Wu
;
Shu Yang
;
Qing Guo
;
Kuang Sheng
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
finite element analysis;
insulated gate bipolar transistors;
MOSFET;
short-circuit currents;
silicon;
silicon compounds;
20.
A novel 1700V RET-IGBT (recessed emitter trench IGBT) shows record low VCE(ON), enhanced current handling capability and short circuit robustness
机译:
一种新颖的1700V RET-IGBT(嵌入式发射极沟槽IGBT)显示了记录低VCE(开启),增强的电流处理能力和短路鲁棒性
作者:
Ian Deviny
;
Haihui Luo
;
Qiang Xiao
;
Yao Yao
;
Chunlin Zhu
;
Luther-King Ngwendson
;
Haibo Xiao
;
Xiaoping Dai
;
Guoyou Liu
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
Erbium;
21.
Highly accurate virtual dynamic characterization of discrete SiC power devices
机译:
离散SIC电源设备的高度准确的虚拟动态特征
作者:
Ivana Kovacevic-Badstübner
;
Thomas Ziemann
;
Bhagyalakshmi Kakarla
;
Ulrike Grossner
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
Integrated circuit modeling;
Silicon carbide;
Semiconductor device modeling;
MOSFET;
Couplings;
Numerical models;
Finite element analysis;
22.
High power, high frequency SiC-MOSFET system with outstanding performance, power density and reliability
机译:
高功率,高频SiC-MOSFET系统,具有出色的性能,功率密度和可靠性
作者:
Sven Buetow
;
Reinhard Herzer
;
Gunter Koenigsmann
;
Matthias Rossberg
;
Andreas Maul
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
driver circuits;
power MOSFET;
silicon compounds;
wide band gap semiconductors;
23.
Design of self-aligned 3.3-kV DMOSFET using tilted ion implantation
机译:
使用倾斜离子植入自对准3.3 kV DMOSFET的设计
作者:
Takahiro Morikawa
;
Takashi Ishigaki
;
Akio Shima
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
aluminium;
etching;
ion implantation;
masks;
MOSFET;
technology CAD (electronics);
24.
Monolithic integration of GaN-based NMOS digital logic gate circuits with E-mode power GaN MOSHEMTs
机译:
基于GaN的NMOS数字逻辑门电路与电子模式电源GaN MoShemts的单片集成
作者:
Minghua Zhu
;
Elison Matioli
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
Gallium nitride;
Inverters;
Resistance;
Transistors;
Temperature;
MOS devices;
25.
Reverse-blocking AlGaN/GaN normally-off MIS-HEMT with double-recessed gated Schottky drain
机译:
用双嵌入式孔径舒丝沥干常压AlGaN / GaN常压误解
作者:
Jiacheng Lei
;
Jin Wei
;
Gaofei Tang
;
Kevin J. Chen
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
HEMTs;
Gallium nitride;
Schottky barriers;
Resistance;
Leakage currents;
Aluminum gallium nitride;
26.
Si wafer technology for power devices: A review and future directions
机译:
用于电力设备的SI晶圆技术:审查和未来方向
作者:
Norihisa Machida
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
Silicon;
Conductivity;
Insulated gate bipolar transistors;
MOSFET;
Doping;
Substrates;
Crystals;
27.
Normally-OFF dual-gate Ga
2
O
3
planar MOSFET and FinFET with high I
ON
and BV
机译:
常关直栅GA
2 INF> O
3 INF> PLANAR MOSFET和FINFET,高I
上的 INM>和BV
作者:
H. Y. Wong
;
N. Braga
;
R. V. Mickevicius
;
F. Ding
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
Ions;
FinFETs;
Epitaxial layers;
Doping;
Substrates;
28.
Novel integration techniques of 'recessed' high voltage field-drift MOSFET with HK/MG RMG technology
机译:
具有HK / MG RMG技术的“嵌入”高压场漂移MOSFET的新型集成技术
作者:
C.P. Hsiung
;
P.H. Chiang
;
S C. Pu
;
C.L. Wang
;
C.W. Lu
;
K.L. Liu
;
K.K. Chang
;
C.C. Yang
;
N.C. Lee
;
S.Y. Hsiao
;
W.F. Lee
;
C.C. Wang
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
Degradation;
Silicon;
Performance evaluation;
Metals;
Electric potential;
Integrated circuits;
29.
Effect of device layout on the switching of enhancement mode GaN HEMTs
机译:
设备布局对增强模式切换的影响GaN Hemts
作者:
Loizos Efthymiou
;
Gianluca Camuso
;
Giorgia Longobardi
;
Florin Udrea
;
Terry Chien
;
Max Chen
;
Ayman Shibib
;
Kyle Terrill
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
Layout;
Inductance;
Switches;
Gallium nitride;
HEMTs;
MODFETs;
Performance evaluation;
30.
ESD failure analysis and robustness improvement for multi-STI-finger LDMOS used as output device
机译:
用作输出设备的多立体手指LDMOS的ESD故障分析和鲁棒性改进
作者:
Ran Ye
;
Siyang Liu
;
Zhigang Dai
;
Hongting Chen
;
Wangran Wu
;
Weifeng Sun
;
Shengli Lu
;
Wei Su
;
Feng Lin
;
Guipeng Sun
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
Electrostatic discharges;
Silicon;
Current density;
Robustness;
Stress;
Lattices;
Heating systems;
31.
Analysis of short-circuit break-down point in 3.3 kV SiC-MOSFETs
机译:
3.3 kV SiC-MOSFET中短路断开点分析
作者:
Kazuki Tani
;
Jun-ichi Sakano
;
Akio Shima
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
Degradation;
Logic gates;
Silicon carbide;
MOSFET;
Object recognition;
Stress;
Failure analysis;
32.
Dynamic switching and short circuit capability of 6.5kV silicon carbide MOSFETs
机译:
6.5kV碳化硅MOSFET的动态开关和短路能力
作者:
L. Knoll
;
A. Mihaila
;
L. Kranz
;
M. Bellini
;
S. Wirths
;
E. Bianda
;
C. Papadopoulos
;
M. Rahimo
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
MOSFET;
Silicon carbide;
Switches;
Silicon;
Logic gates;
Insulated gate bipolar transistors;
Resistors;
33.
Short circuit robustness analysis of new generation Enhancement-mode p-GaN power HEMTs
机译:
新一代增强模式P-GaN电源HEMTS的短路鲁棒性分析
作者:
M. Riccio
;
G. Romano
;
L. Maresca
;
G. Breglio
;
A. Irace
;
G. Longobardi
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
HEMTs;
MODFETs;
Gallium nitride;
Resistance;
Impedance;
Gate drivers;
34.
Next generation 1200V, 3.5mΩ.cm2SiC planar gate MOSFET with excellent HTRB reliability
机译:
下一代1200V,3.5mΩ.cm 2 sup> SiC平面栅极MOSFET,具有出色的HTRB可靠性
作者:
Sauvik Chowdhury
;
Kevin Matocha
;
Blake Powell
;
Gin Sheh
;
Sujit Banerjee
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
MOSFET;
Silicon carbide;
Logic gates;
Reliability;
JFETs;
Electric fields;
Performance evaluation;
35.
Recess-free AlGaN/GaN lateral Schottky barrier controlled Schottky rectifier with low turn-on voltage and high reverse blocking
机译:
无衰退的AlGaN / GaN横向肖特基屏障控制肖特基整流器具有低开启电压和高反向阻挡
作者:
Xuanwu Kang
;
Xinhua Wang
;
Sen Huang
;
Jinhan Zhang
;
Jie Fan
;
Shuo Yang
;
Yuankun Wang
;
Yingkui Zheng
;
Ke Wei
;
Jin Zhi
;
Xinyu Liu
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
Schottky diodes;
Anodes;
Schottky barriers;
Gallium nitride;
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
HEMTs;
36.
Performance enhancement of CMOS compatible 600V rated AlGaN/GaN Schottky diodes on 200mm silicon wafers
机译:
CMOS兼容600V额定的ALGAN / GAN肖特基二极管的性能增强200mm硅晶圆
作者:
J. Biscarrat
;
R. Gwoziecki
;
Y. Baines
;
J. Buckley
;
C. Gillot
;
W. Vandendaele
;
G. Garnier
;
M. Charles
;
M. Plissonnier
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
Schottky diodes;
Aluminum gallium nitride;
Anodes;
Wide band gap semiconductors;
Leakage currents;
Silicon;
Gallium nitride;
37.
Ruggedness of 6.5 kV, 30 a SiC MOSFETs in extreme transient conditions
机译:
崎岖6.5 kV,30个SiC MOSFET在极端瞬态条件下
作者:
Ashish Kumar
;
S?nket Parashar
;
Shadi Sabri
;
Edward Van Brunt
;
Subhashish Bhattacharya
;
Victor Veliadis
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
MOSFET;
Silicon carbide;
Circuit faults;
Insulated gate bipolar transistors;
Junctions;
Medium voltage;
Silicon;
38.
A split gate vertical GaN power transistor with intrinsic reverse conduction capability and low gate charge
机译:
具有本质反向传导能力和低栅极电荷的分体式闸门垂直GaN功率晶体管
作者:
Ruopu Zhu
;
Qi Zhou
;
Hong Tao
;
Yi Yang
;
Kai. Hu
;
Dong. Wei
;
Liyang. Zhu
;
Yu. Shi
;
Wanjun Chen
;
Xiaorong Luo
;
Bo Zhang
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
Gallium nitride;
HEMTs;
MODFETs;
JFETs;
Wide band gap semiconductors;
Aluminum gallium nitride;
39.
Investigation on total-ionizing-dose radiation response for high voltage ultra-thin layer SOI LDMOS
机译:
高压超薄层SOI LDMOS的总电离剂量辐射响应的研究
作者:
Xin Zhou
;
Lingfang Zhang
;
Ming Qiao
;
Zhangyian Yuan
;
Ping Luo
;
Lei Shu
;
Zhaoji Li
;
Bo Zhang
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
Radiation effects;
High-voltage techniques;
Degradation;
Doping;
Silicon-on-insulator;
Electric fields;
Current density;
40.
Local lifetime control for enhanced ruggedness of HVDC thyristors
机译:
用于增强HVDC晶闸管的局部终身控制
作者:
J. Vobecky
;
V. Botan
;
K. U. Meier
;
K. Tugan
;
M. Bellini
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
Leakage currents;
Protons;
Radiation effects;
Thyristors;
Surges;
Silicon;
HVDC transmission;
41.
Enhanced breakdown voltage and low inductance of All-SiC module
机译:
增强了All-SIC模块的击穿电压和低电感
作者:
Motohito Hori
;
Yuichiro Hinata
;
Katsumi Taniguchi
;
Yoshinari Ikeda
;
Tomoyuki Yamazaki
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
Electric fields;
Inductance;
Ceramics;
Partial discharges;
Copper;
Epoxy resins;
Silicon carbide;
42.
Enhancement of punch-through voltage in GaN with buried p-type layer utilizing polarization-induced doping
机译:
利用偏振诱导掺杂的掩埋p型层增强GaN中的孔电压
作者:
Wenshen Li
;
Mingda Zhu
;
Kazuki Nomoto
;
Zongyang Hu
;
Xiang Gao
;
Manyam Pilla
;
Debdeep Jena
;
Huili Grace Xing
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
Gallium nitride;
Hydrogen;
Transistors;
P-i-n diodes;
Doping;
Substrates;
Passivation;
43.
P-gate GaN HEMT gate-driver design for joint optimization of switching performance, freewheeling conduction and short-circuit robustness
机译:
P型GaN HEMT门 - 驱动器设计,用于联合优化开关性能,续流传导和短路鲁棒性
作者:
Han Wu
;
Asad Fayyaz
;
Alberto Castellazzi
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
Gallium nitride;
Switches;
Clamps;
HEMTs;
Robustness;
44.
An industry-ready 200 mm p-GaN E-mode GaN-on-Si power technology
机译:
一种行业准备200毫米P-GaN E模式Gan-on-Si Power技术
作者:
N. E. Posthuma
;
S. You
;
S. Stoffels
;
D. Wellekens
;
H. Liang
;
M. Zhao
;
B. De Jaeger
;
K. Geens
;
N. Ronchi
;
S. Decoutere
;
P. Moens
;
A. Banerjee
;
H. Ziad
;
M. Tack
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
Performance evaluation;
Temperature measurement;
Power transistors;
Gallium nitride;
Metals;
HEMTs;
45.
Switching performance analysis of GaN OG-FET using TCAD device-circuit-integrated model
机译:
使用TCAD设备电路集成模型切换GaN OG-FET的性能分析
作者:
Dong Ji
;
Wenwen Li
;
Srabanti Chowdhury
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
Gallium nitride;
Integrated circuit modeling;
Performance evaluation;
Switches;
Switching circuits;
Electron mobility;
MOSFET;
46.
High accuracy large-signal SPICE model for silicon carbide MOSFET
机译:
用于碳化硅MOSFET的高精度大信号SPICE模型
作者:
Fu-Jen Hsu
;
Cheng-Tyng Yen
;
Chien-Chung Hung
;
Chwan-Ying Lee
;
Lurng-Shehng Lee
;
Kuo-Ting Chu
;
Ya-Fang Li
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
Semiconductor device modeling;
Mathematical model;
Silicon carbide;
MOSFET;
SPICE;
Voltage measurement;
Logic gates;
47.
Low injection anode as positive spiral improvement for 650V RC-IGBT
机译:
低注射阳极作为650V RC-IGBT的正螺旋改善
作者:
Ryu Kamibaba
;
Mitsuru Kaneda
;
Tetsuo Takahashi
;
Akihiko Furukawa
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
Insulated gate bipolar transistors;
Anodes;
Metals;
Schottky diodes;
Radiation effects;
48.
An innovative silicon power device (i-Si) through time and space control of a stored carrier (TASC)
机译:
一种创新的硅功率装置(I-SI)通过存储的载体(TSC)的时间和空间控制
作者:
Mutsuhiro Mori
;
Tomoyuki Miyoshi
;
Tomoyasu Furukawa
;
Yujiro Takeuchi
;
Yusuke Hotta
;
Masaki Shiraishi
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
Insulated gate bipolar transistors;
Schottky diodes;
Switches;
Silicon;
Junctions;
49.
Individual device active cooling for enhanced system-level power density and more uniform temperature distribution
机译:
单个器件主动冷却,用于增强的系统级功率密度和更均匀的温度分布
作者:
Y. Zeng
;
A. Hussein
;
A. Castellazzi
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
Fans;
Thermal resistance;
Inverters;
Heating systems;
Temperature measurement;
Gallium nitride;
50.
Deep-P encapsulated 4H-SiC trench MOSFETs with ultra low R
on
Q
gd
机译:
Deep-P封装带Ultra低R
上的4H-SIC沟槽MOSFET在 INF> Q
GD INM>上
作者:
Yasuhiro Ebihara
;
Aiko Ichimura
;
Shuhei Mitani
;
Masato Noborio
;
Yuichi Takeuchi
;
Shoji Mizuno
;
Toshimasa Yamamoto
;
Kazuhiro Tsuruta
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
MOSFET;
Capacitance;
Resistance;
JFETs;
Silicon carbide;
Switches;
51.
Design of LED driver ICs for high-performance miniaturized lighting systems
机译:
高性能小型化照明系统的LED驱动器IC设计
作者:
Yuan Gao
;
Lisong Li
;
Philip K. T. Mok
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
Light emitting diodes;
Switches;
Inductors;
Lighting;
Integrated circuits;
Inductance;
52.
40 V to 100 V NLDMOS built on thin BOX SOI with high energy capability, state of the art Rdson/BVdss and robust performance
机译:
40 V至100 V NLDMOS构建在薄盒SOI上,具有高能量能力,最先进的RDSON / BVDS和强大的性能
作者:
Yang Hao
;
Sim Poh Ching
;
Madelyn Liew
;
Alexander Hoelke
;
Uwe Eckoldt
;
Martin Pfost
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
Substrates;
Silicon;
Transistors;
Performance evaluation;
Electric breakdown;
Temperature measurement;
Robustness;
53.
Analysis of parameters determining nominal dynamic performance of 1.2 kV SiC power MOSFETs
机译:
测定1.2 kV SiC功率MOSFET的标称动态性能的参数分析
作者:
Roger Stark
;
Ivana Kovacevic-Badstübner
;
Alexander Tsibizov
;
Bhagyalakshmi Kakarla
;
Yanrui Jü
;
Beat Jaeger
;
Thomas Ziemann
;
Ulrike Grossner
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
MOSFET;
Semiconductor device modeling;
Switches;
Silicon carbide;
Capacitance;
Semiconductor device measurement;
Analytical models;
54.
Power cycling reliability results of GaN HEMT devices
机译:
GaN HEMT设备的电源循环可靠性结果
作者:
J?rg Franke
;
Guang Zeng
;
Tom Winkler
;
Josef Lutz
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
Temperature measurement;
HEMTs;
Current measurement;
Logic gates;
Gallium nitride;
Voltage measurement;
Failure analysis;
55.
Surge capability of 1.2kV SiC diodes with high-temperature implantation
机译:
高温植入1.2kV SiC二极管的浪涌能力
作者:
Hongyi Xu
;
Jiahui Sun
;
Jingjing Cui
;
Jiupeng Wu
;
Hengyu Wang
;
Shu Yang
;
Na Ren
;
Kuang Sheng
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
Surges;
Resistance;
Ohmic contacts;
Temperature measurement;
Annealing;
Schottky diodes;
Voltage measurement;
56.
Coss losses in silicon superjunction MOSFETs across constructions and generations
机译:
跨越建筑和世代芯片超结MOSFET中的焦点损失
作者:
Grayson Zulauf
;
Juan M. Rivas-Davila
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
MOSFET;
Loss measurement;
Topology;
Epitaxial growth;
Power electronics;
Silicon;
Resonant frequency;
57.
Electromigration current limit relaxation for power device interconnects
机译:
电源设备互连的电迁移电流限制松弛
作者:
Jungwoo Joh
;
Young-Joon Park
;
Srikanth Krishnan
;
Kim Christensen
;
Jayhoon Chung
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
Metals;
Resistance;
Degradation;
Field effect transistors;
Integrated circuit interconnections;
Thumb;
58.
Analysis of reverse temperature dependent switching-off behavior of ultra-thin fieldstop IGBTs
机译:
超薄现场Styptop IGBTS反温依赖性断开行为的分析
作者:
So-Youn Kim
;
Euntaek Kim
;
Jiho Jeon
;
Jinyoung Jung
;
Soo-Seong Kim
;
Kwang-Hoon Oh
;
Chongman Yun
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
Switches;
Insulated gate bipolar transistors;
Integrated circuits;
Impact ionization;
Temperature dependence;
Temperature measurement;
Electric breakdown;
59.
Influence of doping profiles and chip temperature on short-circuit oscillations of IGBTs
机译:
掺杂曲线和芯片温度对IGBT短路振荡的影响
作者:
Vera van Treek
;
Hans-Joachim Schulze
;
Franz-Josef Niedernostheide
;
Christian Sandow
;
Roman Baburske
;
Frank Pfirsch
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
Insulated gate bipolar transistors;
Oscillators;
Transient analysis;
Charge carrier processes;
Junctions;
Temperature measurement;
Plasmas;
60.
SiC trench IGBT with diode-clamped p-shield for oxide protection and enhanced conductivity modulation
机译:
SiC沟槽IGBT采用二极管夹紧的P屏蔽,用于氧化物保护和增强的电导率调制
作者:
Jin Wei
;
Meng Zhang
;
Huaping Jiang
;
Suet To
;
SungHan Kim
;
Jun-Youn Kim
;
Kevin J. Chen
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
Insulated gate bipolar transistors;
Silicon carbide;
Logic gates;
Switches;
MOSFET;
Conductivity;
Modulation;
61.
Investigation of threshold voltage stability of SiC MOSFETs
机译:
SiC MOSFET的阈值电压稳定性研究
作者:
Dethard Peters
;
Thomas Aichinger
;
Thomas Basler
;
Gerald Rescher
;
Katja Puschkarsky
;
Hans Reisinger
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
Hysteresis;
Threshold voltage;
Silicon carbide;
Stress;
Interface states;
62.
Chip-scale cooling of power semiconductor devices: Fabrication of Jet impingement design
机译:
功率半导体器件的芯片级冷却:喷射冲击设计的制造
作者:
Feng Zhou
;
Ki Wook Jung
;
Yuji Fukuoka
;
Ercan M. Dede
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
Cooling;
Microchannels;
Fabrication;
Power semiconductor devices;
Topology;
Optimization;
Conferences;
63.
ISPSD: 30 Year journey in advancing power semiconductor technology
机译:
ISPSD:30年推进电力半导体技术的旅程
作者:
Ayman Shibib
;
Leo Lorenz
;
Hiromichi Ohashi
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
Integrated circuits;
Insulated gate bipolar transistors;
High-voltage techniques;
Silicon carbide;
MOSFET;
Thyristors;
Junctions;
64.
Effects of inorganic encapsulation on power cycling lifetime of aluminum bond wires
机译:
无机封装对铝合金焊丝电力循环寿命的影响
作者:
Nan Jiang
;
Markus G. Scheibel
;
Benjamin Fabian
;
Marko Kalajica
;
Anton-Zoran Miric
;
Josef Lutz
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
Wires;
Encapsulation;
Strain;
Reliability;
Bonding;
Aluminum;
Degradation;
65.
Influence of the off-state gate-source voltage on the transient drain current response of SiC MOSFETs
机译:
断路栅源电压对SiC MOSFET瞬态漏极电流响应的影响
作者:
Christian Unger
;
Martin Pfost
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
Temperature measurement;
Current measurement;
Pulse measurements;
Silicon carbide;
MOSFET;
Electron traps;
66.
Small current unclamped inductive switching (UIS) to detect fabrication defect for mass-production phase IGBT
机译:
小型电流未挤出的电感切换(UIS)检测大规模生产阶段IGBT的制造缺陷
作者:
Kazuya Sano
;
Yukio Matsushita
;
Megumi Yachi
;
Yoji Nakata
;
Keiichiro Ide
;
Daisaku Yoshida
;
Tomohito Kudo
;
Yasuo Ata
;
Hideki Haruguchi
;
Shinya Soneda
;
Tadaharu Minato
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
Insulated gate bipolar transistors;
Integrated circuits;
Fabrication;
Electric breakdown;
Capacitance;
Standards;
Switches;
67.
Self terminating lateral-vertical hybrid super-junction FET that breaks R
DS
.A — Charge balance trade-off window
机译:
自终止横向垂直的混合超结合FET,可破坏R
DS INF> .A - 电荷平衡折衷窗口
作者:
Karthik Padmanabhan
;
Lingpeng Guan
;
Madhur Bobde
;
Sik Lui
;
Anup Bhalla
;
Hamza Yilmaz
;
Lei Zhang
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
MOSFET;
Junctions;
Substrates;
Electric breakdown;
Power semiconductor devices;
Integrated circuits;
Implants;
68.
Development of a highly integrated 10 kV SiC MOSFET power module with a direct jet impingement cooling system
机译:
具有直接喷射冲击冷却系统的高度集成的10 kV SIC MOSFET电源模块的开发
作者:
Bassem Mouawad
;
Robert Skuriat
;
Jianfeng Li
;
C. Mark Johnson
;
Christina DiMarino
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
Silicon carbide;
MOSFET;
Substrates;
Temperature measurement;
Multichip modules;
Cooling;
Thermal resistance;
69.
A new 1200 V HVIC with high side edge trigger in order to solve the latch on failure by the negative VS surge
机译:
一个新的1200 V HVIC,具有高侧边缘触发器,以便通过负面的VS浪涌解决闩锁
作者:
Kinam Song
;
Wonhi Oh
;
Jinkyu Choi
;
Seunghyun Hong
;
Sangmin Park
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
Latches;
Logic gates;
Surges;
Integrated circuits;
High-voltage techniques;
Switches;
Multichip modules;
70.
Optimization of trench sidewall for low leakage current of the sloped field plate trench edge termination
机译:
倾斜场板沟沟边缘终止低漏电流沟槽侧壁的优化
作者:
Wentao Yang
;
Xianda Zhou
;
Chao Xiao
;
Hao Feng
;
Yong Liu
;
Xiangming Fang
;
Yuichi Onozawa
;
Hiroyuki Tanaka
;
Kaname Mitsuzuka
;
Johnny K.O. Sin
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
Leakage currents;
Etching;
Oxidation;
Stress;
Junctions;
Electric breakdown;
Fabrication;
71.
A comparison of close-cell, stripe-cell, and orthogonal-cell low voltage superjunction trench power MOSFETs for linear mode application
机译:
用于线性模式应用的近距离细胞,条纹 - 细胞和正交 - 电池低压超结沟沟功率MOSFET的比较
作者:
Yi Su
;
Madhur Bobde
;
Sik Lui
;
Hong Chang
;
Qinhai Jin
;
Lei Zhang
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
MOSFET;
Performance evaluation;
Low voltage;
Doping;
Optimization;
Logic gates;
72.
High-speed, high-reliability GaN power device with integrated gate driver
机译:
具有集成栅极驱动器的高速,高可靠性GaN电源装置
作者:
Gaofei Tang
;
M.-H. Kwan
;
Zhaofu Zhang
;
Jiabei He
;
Jiacheng Lei
;
R.-Y. Su
;
F.-W. Yao
;
Y.-M. Lin
;
J.-L. Yu
;
Thomas Yang
;
Chan-Hong Chern
;
Tom Tsai
;
H. C. Tuan
;
Alexander Kalnitsky
;
Kevin J. Chen
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
Gallium nitride;
Gate drivers;
Switches;
Logic gates;
Switching circuits;
Threshold voltage;
Power transistors;
73.
A smart gate driver IC for GaN power transistors
机译:
用于GaN电源晶体管的智能栅极驱动器IC
作者:
Jingshu Yu
;
Wei Jia Zhang
;
Andrew. Shorten
;
Rophina Li
;
Wai Tung Ng
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
Gallium nitride;
Integrated circuits;
Gate drivers;
Sensors;
Logic gates;
Silicon;
Central Processing Unit;
74.
Investigation on single pulse avalanche failure of 900V SiC MOSFETs
机译:
900V SIC MOSFET的单脉冲雪崩故障调查
作者:
Na Ren
;
Hao Hu
;
Kang L. Wang
;
Zheng Zuo
;
Ruigang Li
;
Kuang Sheng
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
MOSFET;
Silicon carbide;
Silicon;
Inductance;
Temperature distribution;
Heating systems;
Failure analysis;
75.
A balancing method for low R
on
and high V
th
normally-off GaN MISFET by preserving a damage-free thin AlGaN barrier layer
机译:
通过保留无损坏的薄的AlGaN阻挡层,LOW R
和HIGHV
TH ING>常关GAN MISFET的平衡方法
作者:
Jialin Zhang
;
Liang He
;
Liuan Li
;
Yiqiang Ni
;
Taotao Que
;
Zhenxin Liu
;
Wenjing Wang
;
Jiexin Zheng
;
Yanfen Huang
;
Jia Chen
;
Xin Gu
;
Yawen Zhao
;
Lei He
;
Zhisheng Wu
;
Yang Liu
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
MISFETs;
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
Logic gates;
Gallium nitride;
HEMTs;
Resistance;
76.
27.5 kV 4H-SiC PiN diode with space-modulated JTE and carrier injection control
机译:
27.5 kV 4H-SiC引脚二极管,带空间调制的JTE和载体喷射控制
作者:
Koji Nakayama
;
Tomonori Mizushima
;
Kensuke Takenaka
;
Akihiro Koyama
;
Yuji Kiuchi
;
Shinichiro Matsunaga
;
Hiroyuki Fujisawa
;
Tetsuo Hatakeyama
;
Manabu Takei
;
Yoshiyuki Yonezawa
;
Tsunenobu Kimoto
;
Hajime Okumura
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
carrier lifetime;
p-i-n diodes;
power semiconductor diodes;
semiconductor device breakdown;
semiconductor device models;
silicon compounds;
wide band gap semiconductors;
77.
Novel approach for NLDMOS performance enhancement by critical electric field engineering
机译:
临界电场工程新型NLDMOS性能提升的新方法
作者:
Jaroslav Pjen?ák
;
Moshe Agam
;
Ladislav ?eliga
;
Thierry Yao
;
Agajan Suwhanov
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
Electric fields;
Logic gates;
Electrostatic discharges;
High-voltage techniques;
Doping;
Diffusion tensor imaging;
78.
Experimental characterization of the fully integrated Si-GaN cascoded FET
机译:
完全集成的Si-GaN级联FET的实验表征
作者:
Jie Ren
;
Chak Wah Tang
;
Hao Feng
;
Huaxing Jiang
;
Wentao Yang
;
Xianda Zhou
;
Kei May Lau
;
Johnny K. O. Sin
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
Silicon;
Gallium nitride;
MOSFET;
Logic gates;
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
79.
Characterization of GaN-HEMT in cascode topology and comparison with state of the art-power devices
机译:
Cascode拓扑中GaN-HEMT的表征及与艺术 - 动力装置的状态对比
作者:
Sven Buetow
;
Reinhard Herzer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2018年
关键词:
Switches;
Switching loss;
HEMTs;
Threshold voltage;
Logic gates;
Gate drivers;
Gallium nitride;
80.
Repetitive surge current test of SiC MPS diode with load in bipolar regime
机译:
双极状态负载的SiC MPS二极管的重复浪涌电流测试
作者:
Shanmuganathan Palanisamy
;
Jens Kowalsky
;
Josef Lutz
;
Thomas Basler
;
Roland Rupp
;
Jasmin Moazzami-Fallah
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
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2018年
关键词:
Surges;
Temperature measurement;
Schottky diodes;
Silicon carbide;
Current measurement;
Temperature dependence;
81.
A more accurate electromagnetic modeling of WBG power modules
机译:
WBG电源模块的更准确的电磁建模
作者:
Ivana Kova?evi?-Badstübner
;
Ulrike Grossner
;
Daniele Romano
;
Giulio Antonini
;
Jonas Ekman
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
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2018年
关键词:
Integrated circuit modeling;
Finite element analysis;
Numerical models;
Three-dimensional displays;
Multichip modules;
Solid modeling;
Inductance;
82.
A 0.35μm 600V ultra-thin epitaxial BCD technology for high voltage gate driver IC
机译:
高压门驱动IC的0.35μm600V超薄外延BCD技术
作者:
Huihui Wang
;
Ming Qiao
;
Feng Jin
;
Yang Yu
;
ZhangYian Yuan
;
Binbin Miao
;
Wenqing Yang
;
Jie Wu
;
Wensheng Qian
;
Tong Deng
;
Donghua Liu
;
Ziquan Fang
;
Wenting Duan
;
Jiye Yang
;
Weiran Kong
;
Bo Zhang
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
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2018年
关键词:
Integrated circuits;
MOS devices;
High-voltage techniques;
Gate drivers;
Epitaxial growth;
Periodic structures;
CMOS technology;
83.
Evaluation of gate oxide reliability in 3.3 kV 4H-SiC DMOSFET with J-Ramp TDDB methods
机译:
用J-RAMP TDDB方法评估3.3 kV 4H-SiC DMOSFET栅极氧化物可靠性
作者:
Masakazu Sagawa
;
Hiroshi Miki
;
Yuki Mori
;
Haruka Shimizu
;
Akio Shima
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
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2018年
关键词:
Logic gates;
Hazards;
Reliability;
Silicon carbide;
Stress;
Electrodes;
Leakage currents;
84.
Novel current re-distribution structure for improved and easy-to-manufacturing 24V LDMOS
机译:
新型电流重新分配结构,用于改进且易于制造的24V LDMOS
作者:
Cheng-Hua Lin
;
Yan-Liang Ji
;
C. H. Jan
;
C. W. Hu
;
Keven Chang
;
H W Kao
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
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2018年
关键词:
Degradation;
Reliability;
Silicon compounds;
Stress;
High-voltage techniques;
Switched mode power supplies;
Human computer interaction;
85.
Novel AlGaN/GaN SBDs with nanoscale multi-channel for gradient 2DEG modulation
机译:
具有纳米级多通道的新型AlGaN / GaN SBD用于梯度2DEG调制
作者:
Anbang Zhang
;
Qi Zhou
;
Chao Yang
;
Yuanyuan Shi
;
Changxu Dong
;
Tong Liu
;
Yijun Shi
;
Wanjun Chen
;
Zhaoji Li
;
Bo Zhang
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
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2018年
关键词:
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
MODFETs;
HEMTs;
Nanoscale devices;
Etching;
Anodes;
86.
Methodology for enhanced short-circuit capability of SiC MOSFETs
机译:
用于增强SiC MOSFET的短路能力的方法
作者:
Junjie An
;
Masaki Namai
;
Hiroshi Yano
;
Noriyuki Iwamuro
;
Yusuke Kobayashi
;
Shinsuke Harada
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
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2018年
关键词:
Logic gates;
MOSFET;
Silicon carbide;
Switches;
Transient analysis;
Lattices;
Robustness;
87.
N-buffer design optimization for short circuit SOA ruggedness in 1200V class IGBT
机译:
N-Buffer设计优化用于1200V类IGBT中的短路SOA坚固性
作者:
Kenji Suzuki
;
Koichi Nishi
;
Mitsuru Kaneda
;
Akihiko Furukawa
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
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2018年
关键词:
Insulated gate bipolar transistors;
Electric fields;
Temperature distribution;
Integrated circuits;
Conductivity;
Silicon;
Oscillators;
88.
GaN-on-Si lateral power devices with symmetric vertical leakage: The impact of floating substrate
机译:
具有对称垂直泄漏的GaN-On-Si横向功率器件:浮动基板的影响
作者:
Hanyuan Zhang
;
Shu Yang
;
Kuang Sheng
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
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2018年
关键词:
Substrates;
Stress;
Silicon;
Switches;
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
MODFETs;
89.
Duty-cycle-accelerated hot-carrier degradation and lifetime evaluation for 700V lateral DMOS
机译:
占空比加速的热载体降解和700V侧面DMOS的寿命评估
作者:
Siyang Liu
;
Zhichao Li
;
Wangran Wu
;
Weifeng Sun
;
Shulang Ma
;
Yuwei Liu
;
Wei Su
;
Xiaohong Liu
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
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2018年
关键词:
electric breakdown;
hot carriers;
integrated circuit testing;
life testing;
MOS integrated circuits;
power integrated circuits;
90.
Gate architecture design for enhancement mode p-GaN gate HEMTs for 200 and 650V applications
机译:
GOUN架构设计用于增强模式P-GAN门HEMT 200和650V应用
作者:
N. E. Posthuma
;
S. You
;
S. Stoffels
;
H. Liang
;
M. Zhao
;
S. Decoutere
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
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2018年
关键词:
Logic gates;
Tin;
HEMTs;
MODFETs;
Gallium nitride;
Power transistors;
91.
Improvement of power cycling reliability of 3.3kV full-SiC power modules with sintered copper technology for T
j, max
=175°C
机译:
用于T
J,MAX INF> = 175°C,提高3.3kV全款电力模块的功率循环可靠性.T
J,MAX INF> = 175°C
作者:
Kan Yasui
;
Seiichi Hayakawa
;
Masato Nakamura
;
Daisuke Kawase
;
Takashi Ishigaki
;
Koji Sasaki
;
Toshihito Tabata
;
Toshiaki Morita
;
Masakazu Sagawa
;
Hiroyuki Matsushima
;
Toshiyuki Kobayashi
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
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2018年
关键词:
Copper;
Silicon carbide;
Microassembly;
Wires;
Reliability;
Silicon;
Electrodes;
92.
A high-voltage half-bridge gate drive circuit for GaN devices with high-speed low-power and high-noise-immunity level shifter
机译:
具有高速低功耗和高噪声免疫电平移位器的GaN器件的高压半桥栅极驱动电路
作者:
Xin Ming
;
Xuan Zhang
;
Zhi-wen Zhang
;
Xu-dong Feng
;
Li Hu
;
Xia Wang
;
Gang Wu
;
Bo Zhang
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
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2018年
关键词:
Logic gates;
Gallium nitride;
Switches;
Gate drivers;
Propagation delay;
Delays;
Reliability;
93.
The future of power semiconductors: An EU perspecitve
机译:
电力半导体的未来:欧盟视角
作者:
Bert De Colvenaer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
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2018年
关键词:
Europe;
Technological innovation;
Industries;
Energy efficiency;
Security;
Renewable energy sources;
Energy consumption;
94.
AC/DC flyback controller with UHV integrated startup current source in 180nm HVIC technology
机译:
AC / DC反激控制器,具有UHV集成的启动电流源180nm HVIC技术
作者:
Hing Kit Kwan
;
Bai Yen Nguyen
;
Wen-Cheng Lin
;
Xiaoxin Liu
;
Swapnil Pandey
;
Saikat Chakraborty
;
Jongjib Kim
;
Don Disney
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
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2018年
关键词:
Integrated circuits;
Resistors;
Current measurement;
Voltage control;
Transistors;
Process control;
MOS devices;
95.
Accelerated thermal fatigue test of metallized ceramic substrates for SiC power modules by repeated four-point bending
机译:
重复四点弯曲的SiC电源模块的金属化陶瓷基板的加速热疲劳试验
作者:
Hiroyuki Miyazaki
;
Hideki Hyuga
;
Kiyoshi Hirao
;
Hiroshi Sato
;
Hiroshi Yamaguchi
;
Shoji Iwakiri
;
Hideki Hirotsuru
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
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2018年
关键词:
Substrates;
Ceramics;
Tensile stress;
Thermal stresses;
Loading;
Delamination;
Fatigue;
96.
A high-voltage p-LDMOS with enhanced current capability comparable to double RESURF n-LDMOS
机译:
具有增强电流能力的高压P-LDMO,可与Double Resurf N-LDMOS相当相当
作者:
Bo Yi
;
Junji Cheng
;
Moufu Kong
;
Bingke Zhang
;
Xing Bi Chen
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
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2018年
关键词:
Integrated circuits;
Logic gates;
Current density;
Electrodes;
Power semiconductor devices;
Switches;
Electric potential;
97.
Observation of current filaments in IGBTs with thermoreflectance microscopy
机译:
热反射显微镜观察IGBT中的电流长丝
作者:
Riteshkumar Bhojani
;
Jens Kowalsky
;
Josef Lutz
;
Dustin Kendig
;
Roman Baburske
;
Hans-Joachim Schulze
;
Franz-Josef Niedernostheide
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
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2018年
关键词:
Insulated gate bipolar transistors;
Transmission line measurements;
Temperature measurement;
Metallization;
Logic gates;
Current measurement;
Semiconductor device measurement;
98.
Silicon, GaN and SiC: There's room for all: An application space overview of device considerations
机译:
Silicon,GaN和Sic:有的空间:设备考虑的应用空间概述
作者:
Larry Spaziani
;
Lucas Lu
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
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2018年
关键词:
Gallium nitride;
Silicon carbide;
Silicon;
Photonic band gap;
Insulated gate bipolar transistors;
Automotive engineering;
Reliability;
99.
Dynamic-ron control via proton irradiation in AlGaN/GaN transistors
机译:
AlGaN / GaN晶体管通过质子辐射动态-RON控制
作者:
A. Tajalli
;
A. Stockman
;
M. Meneghini
;
S. Mouhoubi
;
A. Banerjee
;
S. Gerardin
;
M. Bagatin
;
A. Paccagnella
;
E. Zanoni
;
M. Tack
;
B. Bakeroot
;
P. Moens
;
G. Meneghesso
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
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2018年
关键词:
Radiation effects;
Protons;
HEMTs;
MODFETs;
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
Gallium nitride;
100.
645 V quasi-vertical GaN power transistors on silicon substrates
机译:
硅基板上的645 V准垂直GaN功率晶体管
作者:
Chao Liu
;
Riyaz Abdul Khadar
;
Elison Matioli
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
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2018年
关键词:
Gallium nitride;
Silicon;
Logic gates;
MOSFET;
Substrates;
Leakage currents;
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