electroluminescence; III-V semiconductors; light-emitting devices;
机译:具有Al_2O_3或AlTiO栅极电介质的AlGaN / GaN金属-绝缘体-半导体器件中的绝缘体-半导体界面固定电荷
机译:纳米金属氧化物半导体器件界面介电常数的不匹配与高K栅极介电质对反型电荷密度的影响
机译:在纳米金属氧化物 - 半导体器件的界面处不匹配,具有高E ???栅极介电影响对反转电荷密度
机译:具有高质量电介质/半导体界面的应变工程的新型III-N电子器件
机译:模型有机电子器件中半导体-半导体和半导体-介电界面的ATR-FTIR研究
机译:半导体:高性能有机半导体器件的接口设计原理(Adv。Sci。6/2015)
机译:基于GaN / alN的单极(光电)电子器件和接口质量方面的设计考虑因素
机译:用于高级器件应用的器件质量GaN和其他III族氮化物 - 介电接口的等离子体处理。