structure and morphology; thickness; crystalline orientation and texture; cathodoluminescence, ionoluminescence;
机译:通过椎相控制的外延横向过度生长在溅射AIN / PSS模板上实现的优质GaN倒置者
机译:独立的GaN衬底,采用先进的刻面控制外延横向过长生长技术并掩盖了侧面
机译:使用面控制外延横向过生长(FACELO)的低缺陷密度GaN的制备和表征
机译:通过刻面控制的外延横向过度生长沉积厚的无裂缝AlGaN薄膜
机译:蓝宝石上的氮化镓薄膜通过横向外延过生长来减少螺纹位错。
机译:蓝宝石衬底上具有纳米尺度厚AlN成核层的高质量无裂纹AlN薄膜的异质外延生长用于基于AlGaN的深紫外发光二极管
机译:具有纳米级厚的Aln成核层对基于Algan的深紫外发光二极管的纳米级厚的Aln成核膜的高质量和无裂缝Aln膜的异质生长
机译:硅衬底上氮化镓(GaN)薄膜的大面积外延过量生长(LEO)及其表征