机译:半固定和固定金刚石磨具抛光6H-SiC的材料去除机理的比较研究
机译:ILD CMP期间材料去除率增强的Cria磨料中的痕量金属优化
机译:使用氧化铝(Al_2O_3)磨料的6H-SiC晶体衬底CMP的材料去除率
机译:固定磨料CMP材料去除材料的建模
机译:CMP过程中的磨料颗粒轨迹和材料去除不均匀性以及CMP浆料的过滤特性-模拟和实验研究。
机译:流体动压固定磨具的去除功能研究
机译:基于磨料氧化铝(Al2O3)的CMP 6H-SiC晶体(0001)Si表面的材料去除率研究。