ボロンドープSiC原料を用いた窒素・ホウ素コドープ4H-SiC結晶成長

摘要

低抵抗なn型4H-SiC基板を用いることができれば、オン抵抗の削減などSiCデバイスの高性能化に有用であるが、低抵抗なバルク結晶を得るために高窒素濃度の4H-SiC結晶成長を行うと積層欠陥が発生する [1]。高窒素濃度4H-SiC成長に関して、窒素・アルミニウムまたは窒素・ホウ素コドーピングが積層欠陥の抑制に効果があることが報告されている [2, 3]。しかしながら、昇華法によるSiCの結晶成長においてはアルミニウムやホウ素粉末を原料に混ぜての成長では、アルミニウムやホウ素の急な昇華によって、成長初期での結晶欠陥の発生などの問題が生じ得る [4]。本研究ではそのような原料に関わる成長時の問題の解決を図るために、事前にホウ素ドープしたSiC原料を用いての結晶成長を試みた。