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简小刚; 杨培康; 黄新; 胡吉博;
同济大学机械与能源工程学院;
上海201804;
掺杂金刚石; 化学气相沉积; 活性位点; 第一性原理; 吸附生长;
机译:硼掺杂金刚石电极的4-硝基苯基 - 三唑 - 标记的2'-氧胞嘧啶和7-二氮腺苷核苷的伏安和吸附研究
机译:用光学方法研究氮掺杂和硼掺杂的单晶HPHT金刚石的非平衡载流子寿命
机译:不同掺杂浓度下多孔硅衬底上生长的硼掺杂纳米晶金刚石膜的研究
机译:氢和磷共掺杂以及硼和氮共掺杂用于低电阻率n型金刚石的制造:基于第一原理计算的材料设计
机译:化学气相沉积硼掺杂多晶金刚石薄膜在硅和蓝宝石上的生长:生长,掺杂,金属化和表征
机译:硼掺杂对非平面MPCVD同质外延金刚石生长过程中位错产生的影响
机译:基于硼掺杂金刚石纳米草阵列,硼掺杂金刚石膜和玻璃碳电极检测重金属的检测
机译:金刚石薄膜的生长和掺杂研究
机译:绿色LED续。合成cpd。氮掺杂-准备。通过在封闭的安瓿瓶中生长单晶并在晶体生长过程中掺杂原子氮
机译:低温制造金刚石,掺杂金刚石,金刚石立方氮化硼复合膜的过程
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