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郭小伟; 罗荣辉; 张操; 刘小玲; 楚广勇; 霍艳芳;
郑州大学物理与工程学院;
4H—SiC; 掺杂; 第一性原理; 电子结构;
机译:氮掺杂石墨的原子尺度表征:掺杂氮对周围碳原子的局部电子结构的影响
机译:B,Al,Ga掺杂对第一个原理计算的4H-SIC系统电子结构和光学性能的影响
机译:重氮掺杂4H-SiC中的电子迁移率
机译:纯氮掺杂的纳米氧化钨薄膜的结构和电子性能。
机译:硒/氮共掺杂对TiO2结构光学电子和光催化性能的影响
机译:mOCVD在sI 4H-siC上生长的调制掺杂alxGa1-xN / GaN结构中二维电子气的光致发光研究
机译:利用静电纺丝制备氮掺杂碳纳米结构的方法及由此得到的氮掺杂碳纳米结构
机译:电纺制氮掺杂碳纳米结构的方法及由此制得的氮掺杂碳纳米结构
机译:氮掺杂碳纳米结构的简单合成及其由此而来的氮掺杂碳纳米结构
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