机译:在90nm数字CMOS中配置SAR ADC的6位50-MS / s阈值
机译:在65nm CMOS中具有133fF输入电容和37fJ / conv FOM的220-MS / s 9位2X时间交错SAR ADC
机译:带有智能投机双击嵌入式DFE的6位1.5 GS / S SAR ADC,用于有线接收器应用的130nm CMOS中
机译:一个0.18 µm数字CMOS工艺的6位220-MS / s时间交织SAR ADC
机译:采用SIGE BiCMOS技术的高速SAR ADC设计
机译:使用标准的0.18-μmCMOS工艺制造的微磁场传感器
机译:10位10-MS / S 0.18-㎛CMOS异步SAR ADC,具有基于分型基于电容的差分DAC