MOSFET; semiconductor device reliability; semiconductor device testing; dielectric thin films; silicon compounds; interface states; hydrogen; electron mobility; nitrogen; thermally stimulated desorption; negative bias temperature instability; pMOSFETs; u;
机译:体偏置对具有SiON栅极电介质的pMOSFET中负偏置温度不稳定性的影响
机译:具有超薄SiON栅极电介质的p-MOSFET的负偏置温度不稳定性导致的时间依赖性退化
机译:使用新的在线PDO方法评估超薄栅氧化物pMOSFET的负偏置温度不稳定性
机译:具有超薄SiON栅极电介质的PMOSFET的负偏置温度不稳定性
机译:具有氧氮化物栅极电介质的p + -poly PMOSFET中的热孔退化和负偏压温度不稳定性(NBTI)增强。
机译:栅堆叠结构和工艺缺陷对32 nm工艺节点PMOSFET中NBTI可靠性的高k介电依赖性的影响
机译:大偏压对具有超薄栅极电介质P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管负偏置温度不稳定性的影响