semiconductor device measurement; ion implantation; semiconductor doping; ion beam applications; gallium arsenide; III-V semiconductors; isolation technology; VLSI; electrical resistivity; MeV ion beams; n-type GaAs device electrical isolation; galli;
机译:衬底温度对MeV硼注入隔离n型GaAs层的影响
机译:使用MeV铁注入在不同剂量和衬底温度下对n型InP进行电隔离
机译:深氢注入的GaAs和Algaas / GaAs量子级联激光器的电气隔离
机译:用MEV / MEV的植入植入各种离子物种的N型GaAs装置的电气隔离
机译:植入性神经调节装置电刺激的最佳策略
机译:护身符植入后射频重做肺静脉隔离消融治疗房颤的安全性和可行性及装置的电气特性
机译:铁辐射对n型InP和InGaAs的植入物隔离:植入后退火温度的影响
机译:LsI / VLsI(大规模集成/超大规模集成)离子注入Gaas(砷化镓)IC处理。附录B.用于集成高速逻辑电路的Gaas mEsFET器件的二维建模