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International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications
International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications
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1.
AlGaN/GaN microwave power transistors for S band
机译:
AlGaN / GaN微波功率晶体管用于S带
作者:
M. J. Uren
;
B. T. Hughes
;
D. G. Hayes
;
K. P. Hilton
;
T. Martin
;
R. S. Balmer
;
J. C. H. Birbeck
;
R. A. Davies
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
2.
AlGaN/GaN microwave power transistors for S band
机译:
AlGaN / GaN微波功率晶体管用于S带
作者:
Uren M.J.
;
Hughes B.T.
;
Hayes D.G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
3.
40 Gbit/s reshaping amplifier cell
机译:
40 Gbit / s重塑放大器单元
作者:
Meliani C.
;
Mouzannar W.
;
Jorge F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
4.
Oscillator-type micro-gyroscope on dielectric substrates
机译:
介电基板上的振荡器型微陀螺
作者:
G. I. Efremov
;
N. I. Mukhurov
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
5.
Oscillator-type micro-gyroscope on dielectric substrates
机译:
介电基板上的振荡器型微陀螺
作者:
Efremov G.I.
;
Mukhurov N.I.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
6.
40 Gbit/s reshaping amplifier cell
机译:
40 Gbit / s重塑放大器单元
作者:
C. Meliani
;
W. Mouzannar
;
F. Jorge
;
R. Lefevre
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
7.
Mass produced copper-on-polymer-membrane boards for micromachined millimeter-wave circuits
机译:
MASS生产用于微机械毫米波电路的铜聚合物 - 膜板
作者:
W. Y. Liu
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
8.
Advanced photodiodes and circuits for OPTO-ASICs
机译:
光电二极管和电路用于光学 - ASICS
作者:
Hohenbild M.
;
Ghazi A.
;
Seegebrecht P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
9.
Accurate frequency-dependent formula for series line impedance of microstrip on lossy silicon substrate
机译:
用于在有损硅衬底的微带系列线路阻抗的精确频率依赖式公式
作者:
Ymeri H.
;
Nauwelaers B.
;
Maex K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
10.
An industrial 0.35μm SiGe BiCMOS technology for 5 GHz WLAN featuring an improved selective epitaxial growth process
机译:
5 GHz WLAN的工业0.35μmSiGe BICMOS技术,具有改进的选择性外延生长过程
作者:
P. Chevalier
;
F. De Pestel
;
H. Ziad
;
M. Fatkhoutdinov
;
J. Ackaert
;
P. Coppens
;
J. Craninckx
;
S. Guncer
;
A. Pontioglu
;
P. Tasci
;
F. Yayil
;
B. S. Ergun
;
A. I. Kurhan
;
E. Vestiel
;
E. De Backer
;
J. -L. Loheac
;
M. Tack
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
11.
Design optimization of monolithically integrated semiconductor spot-size converters for efficient laser-fiber coupling
机译:
单片集成半导体尺寸转换器的设计优化,用于高效激光光纤耦合
作者:
Ladele E.O.
;
Rahman B.M.A.
;
Wongcharoen T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
12.
An industrial 0.35 /spl mu/m SiGe BiCMOS technology for 5 GHz WLAN featuring an improved selective epitaxial growth process
机译:
5 GHz WLAN的工业0.35 / SPL MU / M SiGe Bicmos技术,具有改进的选择性外延生长过程
作者:
Chevalier P.
;
De Pestel F.
;
Ziad H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
13.
28 and 42 GHz narrow-band InP based phototransistor mixers for hybrid fibre radio distribution systems
机译:
基于28和42 GHz窄带INP用于混合纤维无线电分布系统的基于光电晶体混合器
作者:
M. Muller
;
M. Riet
;
J. L. Benchimol
;
C. Fortin
;
C. Gonzalez
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
14.
28 and 42 GHz narrow-band InP based phototransistor mixers for hybrid fibre radio distribution systems
机译:
基于28和42 GHz窄带INP用于混合纤维无线电分布系统的基于光电晶体混合器
作者:
Muller M.
;
Riet M.
;
Benchimol J.L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
15.
A measurement based gate current model for GaAs MESFETs and HEMT's including self-heating and impact ionization
机译:
基于测量的GaAs Mesfet和HEMT的基于栅极电流模型,包括自加热和冲击电离
作者:
Dieter Smely
;
Markus Mayer
;
Gottfried Magerl
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
16.
Green's function concept for noise model of microwave FET analysis
机译:
微波FET分析噪声模型的绿色功能概念
作者:
R. Khosravi
;
A. Abdipour
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
17.
Advanced photodiodes and circuits for OPTO-ASICs
机译:
光电二极管和电路用于光学 - ASICS
作者:
M. Hohenbild
;
A. Ghazi
;
P. Seegebrecht
;
H. Zimmermann
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
18.
Silicon opto-FET for photonic integrated circuits
机译:
用于光子集成电路的硅光FET
作者:
Cristea D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
19.
Silicon opto-FET for photonic integrated circuits
机译:
用于光子集成电路的硅光FET
作者:
Dana Cristea
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
20.
Green's function concept for noise model of microwave FET analysis
机译:
微波FET分析噪声模型的绿色功能概念
作者:
Khosravi R.
;
Abdipour A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
21.
A measurement based gate current model for GaAs MESFET's and HEMT's including self-heating and impact ionization
机译:
GAAS MESFET和HEMT的基于测量基于栅极电流模型,包括自加热和冲击电离
作者:
Smely D.
;
Mayer M.
;
Magerl G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
22.
Low-cost, low-power nanosecond pulse radar for industrial applications with mm accuracy
机译:
用于工业应用的低成本,低功耗纳秒脉冲雷达,具有MM精度
作者:
Weiss M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
23.
Modeling the temperature noisy performance of low-noise III-V microwave devices down to cryogenic levels
机译:
将低噪声III-V微波器件降至低温水平的温度嘈杂性能
作者:
Caddemi A.
;
Donato N.
;
Tuccari G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
24.
Design optimization of monolithically integrated semiconductor spot-size converters for efficient laser-fiber coupling
机译:
单片集成半导体尺寸转换器的设计优化,用于高效激光光纤耦合
作者:
E. O. Ladele
;
B. M. A. Rahman
;
T. Wongcharoen
;
S. S. A. Obayya
;
K. T. V. Grattan
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
25.
Hybrid planewave/finite-difference transfer method for solving photonic crystals in finite thickness slabs
机译:
用于求解有限厚度板坯光子晶体的混合平面波/有限差分传递方法
作者:
K. Varis
;
A. R. Baghai-Wadji
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
26.
Design and optimization of InGaAs/InP photodetector for coordinate sensitive detection systems
机译:
坐标敏感检测系统INGAAS / INP光电探测器的设计与优化
作者:
Purica M.
;
Budianu E.
;
Grozescu I.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
27.
Hybrid planewave/finite-difference transfer method for solving photonic crystals in finite thickness slabs
机译:
用于求解有限厚度板坯光子晶体的混合平面波/有限差分传递方法
作者:
Varis K.
;
Baghai-Wadji A.R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
28.
Mass produced copper-on-polymer-membrane boards for micromachined millimeter-wave circuits
机译:
MASS生产用于微机械毫米波电路的铜聚合物 - 膜板
作者:
Liu W.Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
29.
Low-cost, low-power nanosecond pulse radar for industrial applications with MM accuracy
机译:
用于工业应用的低成本,低功耗纳秒脉冲雷达,具有MM精度
作者:
Matthias Weiss
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
30.
InAlAs/InGaAs strain compensated quantum cascade structures for short wavelength infra-red emission
机译:
Inalas / InGaAs应变补偿量子级联结构用于短波长红外线发射
作者:
Mitchell C.J.
;
Sly J.L.
;
Missous M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
31.
InAlAs/InGaAs strain compensated quantum cascade structures for short wavelength infra-red emission
机译:
Inalas / InGaAs应变补偿量子级联结构用于短波长红外线发射
作者:
C. J. Mitchell
;
J. L. Sty
;
M. Missous
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
32.
Design and optimization of InGaAs/InP photodetector for coordinate sensitive detection systems
机译:
坐标敏感检测系统INGAAS / INP光电探测器的设计与优化
作者:
M. Purica
;
E. Budianu
;
I. Grozescu
;
E. Rusu
;
S. V. Slobodchikov
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
33.
Modeling the temperature noisy performance of low-noise III-V microwave devices down to cryogenic levels
机译:
将低噪声III-V微波器件降至低温水平的温度嘈杂性能
作者:
A. Caddemi
;
N. Donato
;
G. Tuccari
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
34.
Accurate frequency-dependent formula for series line impedance of microstrip on lossy silicon substrate
机译:
用于在有损硅衬底的微带系列线路阻抗的精确频率依赖式公式
作者:
Hasan Ymeri
;
Bart Nauwelaers
;
Karen Maex
;
David De Roest
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
35.
Electrical and optical characterization of planar MSM structures including δ- doped GaAs layers
机译:
平面MSM结构的电气和光学表征,包括Δ-掺杂的GaAs层
作者:
J. Kovac
;
A. Vincze
;
J. Chovan
;
D. Hasko
;
P. Gurnik
;
M. Klasovity
;
B. Sciana
;
M. Tlaczala
;
D. Radiewicz
;
I. Zborowska-Lindert
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
36.
Dependence of impact ionization and kink on surface-deep-level dynamics in AlGaAs/GaAs HFETs
机译:
碰撞电离和扭结对AlGaAs / GaAs HFET中表面深度动态的依赖性
作者:
A. Mazzanti
;
G. Verzellesi
;
I. Vicini
;
C. Canali
;
A. Chini
;
G. Meneghesso
;
E. Zanoni
;
C. Lanzieri
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
37.
Noise in p-channel SiGe and Si MOSFETs with gate oxide grown by low temperature plasma anodisation
机译:
P沟道SiGe和Si MOSFET中的噪声通过低温等离子体氧化栅极生长栅极氧化物
作者:
Lukyanchikova N.B.
;
Petrichuk M.V.
;
Garbar N.P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
38.
Smart pixels
机译:
智能像素
作者:
Seitz P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
39.
Photoelectric properties of dislocations in Hg{sub}(1-x)Cd{sub}xTe crystals
机译:
HG {sub}(1-x)Cd {sub} XTE晶体位错的光电性质
作者:
I. Virt
;
M. Bilyk
;
G. Khlyap
;
P. Shkumbatiuk
;
M. Kuzma
;
L. Dumanski
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
40.
Dependence of impact ionization and kink on surface-deep-level dynamics in AlGaAs/GaAs HFETs
机译:
碰撞电离和扭结对AlGaAs / GaAs HFET中表面深度动态的依赖性
作者:
Mazzanti A.
;
Verzellesi G.
;
Vicini L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
41.
The high quality low temperature oxidation technology in a quasi self-aligned SiGe HBT
机译:
Quasi自对准SiGE HBT中的高质量低温氧化技术
作者:
Li-Shyue Lai
;
Yang-Tai Tseng
;
Lurng-Sheng Lee
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
42.
Investigations on the influence of traps in AlGaN/GaN HEMTs
机译:
陷阱对Algan / GaN Hemts影响的调查
作者:
Wolter M.
;
Javorka P.
;
Marso M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
43.
GaN Schottky ultraviolet photodetectors using the metal-semiconductor-metal structure
机译:
GaN肖特基紫外线光电探测器使用金属半导体 - 金属结构
作者:
Toriz-Garcia J.J.
;
Parbrook P.J.
;
Wood D.A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
44.
GaN Schottky ultraviolet photodetectors using the metal-semiconductor-metal structure
机译:
GaN肖特基紫外线光电探测器使用金属半导体 - 金属结构
作者:
J. J. Toriz-Garcia
;
P. J. Parbrook
;
D. A. Wood
;
J. P. R. David
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
45.
Optimization of AlGaN/GaN HEMT performance
机译:
optimization of AL Gan/Gan he Mt performance
作者:
P. Javorka
;
M. Wolter
;
A. Alam
;
A. Fox
;
M. Marso
;
M. Heuken
;
P. Kordos
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
46.
Properties of Pt/Au Schottky contacts on GaN prepared by pulsed laser deposition
机译:
脉冲激光沉积准备的PT / AU肖特基触点的性质
作者:
Michalka M.
;
Skriniarova J.
;
Uherek F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
47.
Frequency-domain characterization of conductance and capacitance of resonant tunneling diode
机译:
谐振隧道二极管电导和电容的频域表征
作者:
W. Y. Liu
;
D. P. Steenson
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
48.
An effective electrical isolation scheme by oxygen implantation-effect of damage accumulation and target temperature
机译:
通过氧气植入效应的有效电隔离方案 - 损伤积累和目标温度
作者:
S. Ahmed
;
R. Gwilliam
;
B. J. Sealy
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
49.
Design optimisation of HBT broadband distributed amplifiers
机译:
LGBT宽带分布式放大器的设计优化
作者:
Koon K.L.
;
Zhirun Hu
;
Rezazadeh A.A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
50.
Implant isolation of InP and InGaAs by proton irradiation at variable doses and substrate temperatures
机译:
通过可变剂量和基板温度的质子辐射植入INP和InGaAs的分离
作者:
P. Too
;
S. Ahmed
;
R. Gwilliam
;
B. J. Sealy
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
51.
The behaviour of Sn/Pd/n-GaAs metallization under thermal treatment
机译:
热处理下SN / Pd / N-Ga-Ga-GaAs金属化的行为
作者:
Petr Macha
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
52.
Investigation of self-heating effects in AlGaN/GaN HEMTs
机译:
Algan / GaN Hemts中自热效应的调查
作者:
J. Kuzmik
;
P. Javorka
;
A. Alam
;
M. Marso
;
M. Heuken
;
P. Kordos
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
53.
Optimization of AlGaN/GaN HEMT performance
机译:
optimization of AL Gan/Gan he Mt performance
作者:
Javorka P.
;
Wolter M.
;
Alam A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
54.
Investigation of self-heating effects in AlGaN-GaN HEMTs
机译:
Algan-GaN Hemts中自热效应的调查
作者:
Kuzmik J.
;
Javorka P.
;
Alam A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
55.
Electrical and optical characterization of planar MSM structures including /spl delta/-doped GaAs layers
机译:
平面MSM结构的电气和光学表征,包括/ SPL DELTA / -DOPED GAAS层
作者:
Kovac J.
;
Vincze A.
;
Chovan J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
56.
Properties of Pt/Au Schottky contacts on GaN prepared by pulsed laser deposition
机译:
脉冲激光沉积准备的PT / AU肖特基触点的性质
作者:
M. Michalka
;
J. Skriniarova
;
F. Uherek
;
P. Gurnik
;
D. Donoval
;
P. Kordos
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
关键词:
GaN;
Wet chemical etching;
Pulsed laser metal deposition;
Schottky structures;
57.
Investigations on the influence of traps in AlGaN/GaN HEMTs
机译:
陷阱对Algan / GaN Hemts影响的调查
作者:
M. Wolter
;
P. Javorka
;
M. Marso
;
A. Alam
;
R. Carius
;
A. Fox
;
M. Heuken
;
H. Luth
;
P. Kordos
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
58.
High-frequency properties of an abrupt heterojunction diode
机译:
突然异质结二极管的高频特性
作者:
Horak M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
59.
Frequency-domain characterization of conductance and capacitance of resonant tunneling diode
机译:
谐振隧道二极管电导和电容的频域表征
作者:
Liu W.Y.
;
Steenson D.P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
60.
Micromechanical coplanar waveguide compatible with pseudomorphic AlGaAs/InGaAs/GaAs based HFETs
机译:
微机械共面波导与假形藻类/ InGaAs / GaAs的HFET相容
作者:
Tomaska M.
;
Lalinsky T.
;
Krnac M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
61.
Noise in mode-locked hybrid soliton pulse source
机译:
模式锁定混合孤子脉冲源的噪声
作者:
Dogru N.
;
Sadettin Ozyazici M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
62.
Varactor diodes based on an AlGaN/GaN HEMT layer structure
机译:
基于AlGAN / GAN HEMT层结构的变容二极管
作者:
Marso M.
;
Wolter M.
;
Bernat J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
63.
Design optimisation of HBT broadband distributed amplifiers
机译:
LGBT宽带分布式放大器的设计优化
作者:
K. L. Koon
;
Zhirun Hu
;
A. A. Rezazadeh
;
Steve Marsh
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
64.
High-frequency properties of an abrupt heterojunction diode
机译:
突然异质结二极管的高频特性
作者:
M. Horak
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
65.
Noise in mode-locked hybrid soliton pulse source
机译:
模式锁定混合孤子脉冲源的噪声
作者:
Nuran Dogru
;
M. Sadettin Ozyazici
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
66.
Characterization of delta-doped GaAs grown by molecular beam epitaxy
机译:
分子束外延生长的δ掺杂GaAs的特征
作者:
Gurnik P.
;
Srnanek R.
;
McPhail D.S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
67.
Smart Pixels
机译:
智能像素
作者:
Peter Seitz
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
68.
Implant isolation of InP and InGaAs by proton irradiation at variable doses and substrate temperatures
机译:
通过可变剂量和基板温度的质子辐射植入INP和InGaAs的分离
作者:
Too P.
;
Ahmed S.
;
Gwilliam R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
69.
An effective electrical isolation scheme by oxygen implantation - effect of damage accumulation and target temperature
机译:
氧气注入的有效电气隔离方案 - 损伤积累和目标温度的影响
作者:
Ahmed S.
;
Gwilliam R.
;
Sealy B.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
70.
Photoelectric properties of dislocations in Hg/sub 1-x/Cd/sub x/Te crystals
机译:
Hg / sub 1-x / cd / sub x / te晶体位错的光电性质
作者:
Virt I.
;
Bilyk M.
;
Khlyap G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
71.
Micromechanical coplanar waveguide compatible with pseudomorphic AlGaAs/InGaAs/GaAs based HFETs
机译:
微机械共面波导与假形藻类/ InGaAs / GaAs的HFET相容
作者:
M. Tomaska
;
T. Lalinsky
;
M. Krna
;
M. Klasovity
;
Z. Mozolova
;
S. Hasik
;
I. Kosti
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
72.
Characterization of delta-doped GaAs grown by molecular beam epitaxy
机译:
分子束外延生长的δ掺杂GaAs的特征
作者:
P. Gurnik
;
R. Srnanek
;
D. S. McPhail
;
R. J. Chater
;
S. Fearn
;
L. Harmatha
;
P. Kordos
;
J. Geurts
;
T. Lalinsky
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
73.
Noise in p-channel SiGe and Si MOSFETs with gate oxide grown by low temperature plasma anodisation
机译:
P沟道SiGe和Si MOSFET中的噪声通过低温等离子体氧化栅极生长栅极氧化物
作者:
N. B. Lukyanchikova
;
M. V. Petrichuk
;
N. P. Garbar
;
L. S. Riley
;
S. Hall
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
74.
The high quality low temperature oxidation technology in a quasi self-aligned SiGe HBT
机译:
Quasi自对准SiGE HBT中的高质量低温氧化技术
作者:
Li-Shyue Lai
;
Yang-Tai Tseng
;
Lurng-Sheng Lee
;
Yuh-Sheng Jean
;
Yu-Min Hsu
;
Hang-Ping Hwang
;
Shin-Chii Lu
;
Ming-Jinn Tsai
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
75.
The behaviour of Sn/Pd/n-GaAs metallization under thermal treatment
机译:
热处理下SN / Pd / N-Ga-Ga-GaAs金属化的行为
作者:
Machac P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications》
|
2001年
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