4H-SiC; 6H-SiC; SiC/SiO_2 interface; MOSFETs; Hall effect measurements;
机译:(0001)4H和6H-SiC MOSFET的反转电子传输性能比较
机译:注入区域上4H和6H-SiC MOSFET的反型层中的电子传输模型
机译:在注入的P型区域上的4H和6H-SiC MOSFET中反转和累积层电子传输的表征
机译:轻掺杂4H和6H SiC MOSFET的反型层电子传输的比较
机译:对高级碳化硅功率MOSFET的反型层中电子传输的研究。
机译:石墨层对MgO / 6H-SiC(0001)界面电子性质的影响
机译:通过硅插入向外解耦的6H-SiC(0001)衬底的零层石墨烯的电子性能