机译:超晶格应力消除层中InGaN与GaN的厚度比对在Si衬底上生长的InGaN基绿色LED的光电性能的影响
机译:InGaN厚度与GaN在超晶格应变消除层中的厚度比对Si基材生长的InGaN的绿色LED光电性能
机译:用于高效InGaN / GaN发光二极管的纳米级ITO / ZnO层纹理
机译:南级Ingan / GaN在ZnO底板上进行LED应用
机译:利用纳米技术在Si上生长,制造和表征基于InGaN / GaN的蓝色,绿色和黄色LED。
机译:使用近场扫描光学显微镜对InGaN / GaN QWs LED中的V缺陷进行纳米级表征
机译:解开纳米级结构变化对单个纳米发光体发光波长的影响:InGaN / GaN多量子阱纳米LED用于案例研究