45nm; 8T; DVFS; SRAM; assist circuit; cross point;
机译:具有交叉点数据感知写入字线结构,负位线和自适应读取操作时序跟踪的单端无干扰9T亚阈值SRAM
机译:0.33 V 2.5μW交叉点数据感知写入结构,在130 nm CMOS中半读取选择的无干扰亚阈值SRAM
机译:[特邀演讲] 8T DP-SRAM的写/读干扰问题及其对策电路
机译:具有负偏置读/写辅助的45nm 0.6V交叉点8T SRAM
机译:具有数据感知动态电源写入辅助功能的55nm 0.5V 128Kb交叉点8T sRam