机译:通过透射电子显微镜和X射线衍射显示,LP-MOCVD在块状GaN晶体上生长的InGaN / GaN激光有源结构中的均匀铟分布
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机译:HVPE在MOVPE AIN缓冲层上生长的高质量块状GaN的光学和结构研究
机译:GaN缓冲生长条件对Movpe生长散装GaN的光致发光和X射线衍射特性的影响
机译:通过发光光谱和X射线衍射测定在6H-SiC(0001)衬底上生长的GaN和Al(x)Ga(1-x)N薄膜的应变和组成。
机译:MOVPE生长条件对锗掺杂GaN层的影响
机译:GaN缓冲液生长条件对MOVPE生长的块状GaN的光致发光和X射线衍射特性的影响