Communications Research Laboratory, Koganei, Tokyo 184-8795, Japan;
III-V and II-VI semiconductors; III-V semiconductors; III-V semiconductors; molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy;
机译:通过Si掺杂控制InN中的电子密度和掺杂Si的InN的光学性质
机译:通过拉曼散射探查未掺杂,硅掺杂和镁掺杂的InN纳米线中的电子密度
机译:从通过等离子体辅助分子束外延生长的未掺杂和掺Si的InN薄膜的光致发光特性估算本征InN的带隙能
机译:Si-Doped Inn的Si掺杂和光学性能控制电子密度
机译:使用混合密度泛函理论的贵金属掺杂硅纳米晶的电子性能。
机译:替代和填隙硅掺杂ZnO的电子和光学性质
机译:InN的高压光吸收:纤锌矿相中电子密度的依赖性和岩盐InN间接带隙的重新评估
机译:GaN,alN和InN半导体的研究:结构,光学,电子和界面特性