Department of Electronic and Information Engineering and Photonics Research Center, The Hong Kong Polytechnic University, Hong Kong SAR, China;
III-V semiconductors; surface double layers, schottky barriers, and work functions; noise processes and phenomena; III-V semiconductors; molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy;
机译:沉积在中间温度缓冲层上的GaN肖特基势垒的低频噪声特性
机译:在Si基板上制备具有AlN / GaN缓冲层的GaN基UV光电二极管的低频噪声特性
机译:基于极性和非极性取向纤锌矿型GaN的Ni / GaN肖特基势垒IMP ATT二极管的噪声特性
机译:沉积在中温缓冲层上Ni / GaN肖特基二极管的低频噪声特性
机译:三明治结构GaN肖特基二极管电离辐射探测器的制作,表征和仿真。
机译:Ni / Pd / n-GaN肖特基势垒二极管的电荷传输结构和光学性质的中能碳和氮离子束诱导修饰
机译:沉积在中温缓冲层上的Ni / GaN肖特基二极管上的低频噪声表征