State Key Lab. of Electron. Thin Films Integrated Device Univ. of Electron. Sci. Technol. of China Chengdu China;
BV; Ron-sp; accumulation-mode; even-distributed temperature; variable lateral doping;
机译:具有增强的RESURF效果的超低比导通电阻高压沟槽SOI LDMOS
机译:具有超低导通电阻和均匀温度特性的高压薄SOI LDMOS
机译:超低导通电压高压SOI p沟道LDMOS
机译:具有UltraLow特定导通电阻的累积模式高压SOI LDMOS
机译:用于超低压应用的钨栅完全耗尽SOI CMOS器件和电路的研究。
机译:在SiNx钝化层中注入氟离子的高击穿电压和低动态导通电阻AlGaN / GaN HEMT
机译:具有自偏置累积层的超低特定导通电阻高压PLDMO的仿真研究