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Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs
Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs
召开年:
2015
召开地:
Hong Kong(CN)
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
The optimised design and characterization of 1200 V / 2.0 mΩ cm
机译:
1200 V / 2.0mΩcm的优化设计和特性
作者:
Uchida Kosuke
;
Saitoh Yu.
;
Hiyoshi Toru
;
Masuda Takeyoshi
;
Wada Keiji
;
Tamaso Hideto
;
Hatayama Tomoaki
;
Hiratsuka Kenji
;
Tsuno Takashi
;
Furumai Masaki
;
Mikamura Yasuki
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
2.
Latest results on 1200 V 4H-SiC CIMOSFETs with R
机译:
具有R的1200 V 4H-SiC CIMOSFET的最新结果
作者:
Zhang Qingchun Jon
;
Gangyao Wang
;
Doan Huy
;
Sei-Hyung Ryu
;
Hull Brett
;
Young Jonathan
;
Allen Scott
;
Palmour John
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
3.
Temperature dependence of single-event burnout for super junction MOSFET
机译:
超级结MOSFET单事件烧断的温度依赖性
作者:
Katoh Shunsuke
;
Shimada Eiji
;
Yoshihira Takayuki
;
Oyama Akihiro
;
Ono Syotaro
;
Ura Hideyuki
;
Ookura Gentaro
;
Saito Wataru
;
Kawaguchi Yusuke
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
4.
Predictive half-cell simulations of filament formation during IGBT turn-off
机译:
IGBT关断期间灯丝形成的预测半电池模拟
作者:
Sandow C.
;
Baburske R.
;
van Treek V.
;
Niedernostheide F.-J.
;
Felsl H.-P.
;
Cotorogea M.
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
5.
Compact modeling and analysis of the Partially-Narrow-Mesa IGBT featuring low on-resistance and low switching loss
机译:
具有低导通电阻和低开关损耗的部分窄台面IGBT的紧凑建模和分析
作者:
Miyaoku Yosuke
;
Matsuura Kai
;
Saito Atsushi
;
Kikuchihara Hideyuki
;
Mattausch Hans Jurgen
;
Miura-Mattausch Mitiko
;
Ikoma Daisaku
;
Yamamoto Takao
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
IGBT;
compact model;
injection enhancement PNM-IGBT;
switching loss;
switching performance;
6.
Multi-dimensional trade-off considerations of the 750V micro pattern trench IGBT for electric drive train applications
机译:
750V微图案沟槽IGBT在电动传动系统中的多维权衡考虑
作者:
Wolter Frank
;
Roesner Wolfgang
;
Cotorogea Maria
;
Geinzer Thomas
;
Seider-Schmidt Martina
;
Kae-Horng Wang
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
7.
An experimental demonstration of a 4.5 kV “Bi-mode Gate Commutated Thyristor” (BGCT)
机译:
4.5 kV“双模栅极换向晶闸管”(BGCT)的实验演示
作者:
Vemulapati Umamaheswara
;
Arnold Martin
;
Rahimo Munaf
;
Vobecky Jan
;
Stiasny Thomas
;
Lophitis Neophytos
;
Udrea Florin
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
BGCT;
Bi-mode GCT;
High power semiconductor switch;
IGCT;
Reverse Conducting IGCT;
8.
Critical overcurrent turn-off close to IGBT current saturation
机译:
临界过电流关断接近IGBT电流饱和
作者:
Philippou A.
;
Jaeger C.
;
Laven J.G.
;
Baburske R.
;
Schulze H.-J.
;
Pfirsch F.
;
Niedernostheide F.-J.
;
Vellei A.
;
Itani H.
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
9.
Investigation of anode-side temperature effect in 1200V FWD cosmic ray failure
机译:
1200V FWD宇宙线失效中阳极侧温度效应的研究
作者:
Mitsuzuka Kaname
;
Yamada Shoji
;
Takenoiri Shunji
;
Otsuki Masahito
;
Nakagawa Akio
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
Cosmic-ray;
FWDs;
Failure rate;
Neutron irradiation;
Simulation;
TCAD;
10.
Simulation studies for avalanche induced short-circuit current crowding of MOSFET-Mode IGBT
机译:
MOSFET模式IGBT雪崩引起的短路电流拥挤的仿真研究
作者:
Tanaka Masahiro
;
Nakagawa Akio
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
11.
High voltage Si/SiC hybrid switch: An ideal next step for SiC
机译:
高压Si / SiC混合开关:SiC的理想下一步
作者:
Xiaoqing Song
;
Huang Alex Q.
;
Meng-Chia Lee
;
Chang Peng
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
IGBT;
JFET;
MOSFET;
Silicon carbide;
hybrid switch;
turn-off loss;
12.
SiC reversely switched dynistor (RSD) for pulse power application
机译:
SiC反向开关测向器(RSD),用于脉冲功率应用
作者:
Lin Liang
;
Huang Alex Q.
;
Cheng Liu
;
Wenguang Chang
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
SiC;
numerical model;
pulsed power switch;
residual voltage;
reversely switched dynistor(RSD);
13.
A novel 3D transformer for ultra-compact signal isolation
机译:
用于超紧凑信号隔离的新型3D变压器
作者:
Rongxiang Wu
;
Niteng Liao
;
Xiangming Fang
;
Sin Johnny K. O.
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
3D integration;
isolation technology;
micro-transformer;
signal transfer;
14.
Accelerated resistance degradation in aluminum by pulsed power cycling
机译:
脉冲功率循环加速铝的电阻衰减
作者:
Ferrara A.
;
Claes J.
;
Swanenberg M.
;
van Dijk L.
;
Steeneken P.G.
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
15.
Optimization of HV LDMOS devices accounting for packaging interaction
机译:
HV LDMOS器件的优化考虑了封装相互作用
作者:
Arienti G.
;
Imperiale I.
;
Reggiani S.
;
Gnani E.
;
Gnudi A.
;
Baccarani G.
;
Nguyen L.
;
Hernandez-Luna A.
;
Huckabee J.
;
Denison M.
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
LDMOS device;
TCAD modeling;
charge creep;
packaging material;
16.
Reduced active and passive thermal cycling degradation by dynamic active cooling of power modules
机译:
通过动力模块的动态主动冷却减少主动和被动热循环退化
作者:
Xiang Wang
;
Yun Wang
;
Castellazzi Alberto
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
cooling;
power module;
reliability;
thermal management;
17.
Ultra low inductance power module for fast switching SiC power devices
机译:
用于快速开关SiC功率器件的超低电感功率模块
作者:
Takao Kazuto
;
Kyogoku Shinya
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
Fast switching;
Parasitic inductance;
Power mobule;
Silicon carbide;
18.
Trends and opportunities in intelligent power modules (IPM)
机译:
智能电源模块(IPM)的趋势和机遇
作者:
Otsuki Masahito
;
Watanabe Manabu
;
Nishiura Akira
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
19.
Lifetime analysis of power modules with new packaging technologies
机译:
采用新包装技术的电源模块的使用寿命分析
作者:
Heuck N.
;
Bayerer R.
;
Krasel S.
;
Otto F.
;
Speckels R.
;
Guth K.
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
copper wire bonding;
diffusion soldering;
lifetime model;
power cycling;
sintering;
20.
Methods for virtual junction temperature measurement respecting internal semiconductor processes
机译:
考虑内部半导体工艺的虚拟结温测量方法
作者:
Herold Christian
;
Franke Jorg
;
Bhojani Riteshkumar
;
Schleicher Andre
;
Lutz Josef
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
21.
Integrated reverse-diodes for GaN-HEMT structures
机译:
用于GaN-HEMT结构的集成反向二极管
作者:
Reiner Richard
;
Waltereit Patrick
;
Weiss Beatrix
;
Wespel Matthias
;
Quay Rudiger
;
Schlechtweg Michael
;
Mikulla Michael
;
Ambacher Oliver
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
HFET;
body-diode;
free-wheeling;
reverse-diode;
22.
A high current density SOI-LIGBT with Segmented Trenches in the Anode region for suppressing negative differential resistance regime
机译:
高电流密度SOI-LIGBT在阳极区域具有分段沟槽,用于抑制负差分电阻状态
作者:
Long Zhang
;
Jing Zhu
;
Weifeng Sun
;
Yicheng Du
;
Hui Yu
;
Keqin Huang
;
Longxing Shi
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
NDR regime;
SOI-LIGBT;
current density;
segmented trenches;
snapback voltage;
23.
A low substrate loss, monolithically integrated power inductor for compact LED drivers
机译:
低基板损耗,单片集成功率电感器,用于紧凑型LED驱动器
作者:
Xiangming Fang
;
Mak Tsz Him
;
Yuan Gao
;
Lau Kei May
;
Mok Philip K. T.
;
Sin Johnny K. O.
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
LED;
integrated inductor;
power converter;
24.
A breakthrough concept of HVICs for high negative surge immunity
机译:
HVIC具有高负浪涌抗扰性的突破性概念
作者:
Jonishi Akihiro
;
Akahane Masashi
;
Yamaji Masaharu
;
Kanno Hiroshi
;
Tanaka Takahide
;
Tochinai Noriyuki
;
Sumida Hitoshi
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
25.
A RESURF P-N bimodal LDMOS suitable for high voltage power switching applications
机译:
适用于高压功率开关应用的RESURF P-N双峰LDMOS
作者:
Yongxi Zhang
;
Pendharkar Sameer
;
Hower Phil
;
Giombanco Salvatore
;
Amoroso Antonio
;
Marino Filippo
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
LDMOS;
RESURF;
bimodal conduction;
high voltage;
power switching;
26.
95 DC-DC conversion efficiency by novel trench power MOSFET with dual channel structure to cut body diode losses
机译:
新型沟槽功率MOSFET具有双通道结构,可减少95%的DC-DC转换效率,以减少体二极管的损耗
作者:
Haberlen O.
;
Polzl M.
;
Schoiswohl J.
;
Rosch M.
;
Leomant S.
;
Nobauer G.
;
Rieger W.
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
DC-DC conversion;
Silicon trench power MOSFET;
body diode losses;
high efficiency;
low forward voltage drop;
27.
Investigation of HCI reliability in interdigitated LDMOS
机译:
交叉LDMOS中的HCI可靠性研究
作者:
Kyuheon Cho
;
Seonghoon Ko
;
Machida Fumie
;
Jaeho Kim
;
Jaejune Jang
;
Uihui Kwon
;
Keun-Ho Lee
;
Youngkwan Park
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
Degradation;
HCI;
Interdigitated LDMOS;
Interface trap density(Nit);
Si-H bonds;
TCAD;
Trap formation kinetics;
28.
Optimization of a high-voltage MOSFET in ultra-thin 14nm FDSOI technology
机译:
采用超薄14nm FDSOI技术优化高压MOSFET
作者:
Litty A.
;
Ortolland S.
;
Golanski D.
;
Cristoloveanu S.
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
FDSOI;
LDMOS;
back-bias;
extended-drain;
high-voltage MOSFET;
ultra-thin buried oxide;
29.
Current enhancement by conductivity modulation in diamond JFETs for next generation low-loss power devices
机译:
金刚石JFET中用于下一代低损耗功率器件的电导率调制可增强电流
作者:
Iwasaki T.
;
Kato H.
;
Yaita J.
;
Makino T.
;
Ogura M.
;
Takeuchi D.
;
Okushi H.
;
Yamasaki S.
;
Hatano M.
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
Bipolar-mode operation;
Diamond;
JFET;
30.
Novel trench-etched double-diffused SiC MOS (TED MOS) for overcoming tradeoff between R
机译:
新型沟槽蚀刻双扩散SiC MOS(TED MOS)可克服R之间的折衷
作者:
Tega Naoki
;
Yoshimoto Hiroyuki
;
Hisamoto Digh
;
Watanabe Naoki
;
Shimizu Haruka
;
Sato Shintaroh
;
Mori Yuki
;
Ishigaki Takashi
;
Matsumura Mieko
;
Konishi Kumiko
;
Kobayashi Keisuke
;
Mine Toshiyuki
;
Akiyama Satoru
;
Fujita Ryusei
;
Shima Akio
;
Shimamoto Yasuhiro
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
DMOS;
MOS;
SiC;
silicon carbide;
trench;
31.
Area- and efficiency-optimized junction termination for a 5.6 kV SiC BJT process with low ON-resistance
机译:
适用于5.6 kV SiC BJT工艺的面积和效率优化的结终端,具有低导通电阻
作者:
Salemi Arash
;
Elahipanah Hossein
;
Malm Gunnar
;
Zetterling Carl-Mikael
;
Ostling Mikael
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
4H-SiC BJT;
area-optimized junction termination extension (O-JTE);
current gain;
implantation-free;
on-resistance;
32.
High-voltage full-SiC power module: Device fabrication, testing and high frequency application in kW-level converter
机译:
高压全碳化硅功率模块:kW级转换器中的器件制造,测试和高频应用
作者:
Sizhe Chen
;
Junwei He
;
Kuang Sheng
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
SiC JFET;
SiC module;
high frequency;
33.
The first demonstration of symmetric blocking SiC gate turn-off (GTO) thyristor
机译:
对称阻塞SiC栅极关断(GTO)晶闸管的首次演示
作者:
Woongje Sung
;
Huang Alex Q.
;
Baliga B.J.
;
Inhwan Ji
;
Haotao Ke
;
Hopkins Douglas C.
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
4H-SiC;
Bevel Dicing;
Edge Termination;
GTO;
Reverse Blocking;
junction termination extension (JTE);
34.
Influence of epitaxy and gate deposition process on Ron resistance of AlGaN/GaN-on-Si HEMT
机译:
外延和栅极沉积工艺对AlGaN / GaN-on-Si HEMT的Ron电阻的影响
作者:
Lehmann J.
;
Leroux C.
;
Charles M.
;
Torres A.
;
Morvan E.
;
Reimbold G.
;
Bano E.
;
Ghibaudo G.
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
AlGaN/GaN HeMT;
Ron;
epitaxy;
fluorine;
power transistors;
35.
1700V/30A 4H-SiC MOSFET with low cut-in voltage embedded diode and room temperature boron implanted termination
机译:
1700V / 30A 4H-SiC MOSFET,具有低切入电压嵌入式二极管和室温硼注入终端
作者:
Cheng-Tyng Yen
;
Chien-Chung Hung
;
Hsiang-Ting Hung
;
Lurng-Shehng Lee
;
Chwan-Ying Lee
;
Tzu-Ming Yang
;
Yao-Feng Huang
;
Chi-Yin Cheng
;
Pei-Ju Chuang
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
MOSFET;
cut-in voltage;
diode;
silicon carbide;
36.
Conductivity modulated on-axis 4H-SiC 10+ kV PiN diodes
机译:
电导率调制同轴4H-SiC 10+ kV PiN二极管
作者:
Salemi Arash
;
Elahipanah Hossein
;
Buono Benedetto
;
Hallen Anders
;
Hassan Jawad Ul
;
Bergman Peder
;
Malm Gunnar
;
Zetterling Carl-Mikael
;
Ostling Mikael
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
OCVD;
On-axis 4H-SiC;
PiN diode;
VF;
bipolar degradation-free;
breakdown voltage;
lifetime enhancement;
on-resistance;
ultrahigh-voltage;
37.
Design and optimization of GaN lateral polarization-doped super-junction (LPSJ): An analytical study
机译:
GaN横向极化掺杂超结(LPSJ)的设计和优化:分析研究
作者:
Bo Song
;
Mingda Zhu
;
Zongyang Hu
;
Nomoto Kazuki
;
Jena Debdeep
;
Xing Huili Grace
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
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2015年
关键词:
Analytical;
Breakdown voltage;
GaN;
Polarization;
Specfic On resistance;
Super-junctoin;
38.
22 kV SiC Emitter turn-off (ETO) thyristor and its dynamic performance including SOA
机译:
22 kV SiC发射极关断(ETO)晶闸管及其动态性能(包括SOA)
作者:
Xiaoqing Song
;
Huang Alex Q.
;
Mengchia Lee
;
Chang Peng
;
Lin Cheng
;
OBrien Heather
;
Ogunniyi Aderin
;
Scozzie Charles
;
Palmour John
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
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2015年
关键词:
ETO;
GTO;
SOA;
SiC;
ultra high voltage;
39.
Development of power semiconductors by quantitative nanoscale dopant imaging
机译:
通过定量纳米级掺杂剂成像开发功率半导体
作者:
Bartolf H.
;
Gysin U.
;
Rossmann H.R.
;
Bubendorf A.
;
Glatzel T.
;
Jung T.A.
;
Meyer E.
;
Zimmermann M.
;
Reshanov S.
;
Schoner A.
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
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2015年
关键词:
Dopant Imaging;
JBS Rectifier;
KPFM;
SCFM;
SEM;
SSRM;
Schottky Diode;
Silicon Carbide;
Space-Charge Region;
Super-Junction Architecture;
p-Junction;
40.
A monolithic SiC drive circuit for SiC Power BJTs
机译:
用于SiC功率BJT的单片SiC驱动电路
作者:
Kargarrazi Saleh
;
Lanni Luigia
;
Rusu Ana
;
Zetterling Carl-Mikael
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
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2015年
关键词:
Driving Power BJTs;
Integrated circuits (ICs);
Silicon Carbide;
41.
Over 1.1 kV breakdown low turn-on voltage GaN-on-Si power diode with MIS-Gated hybrid anode
机译:
具有MIS-Gated混合阳极的击穿电压低至1.1 kV以上的低导通电压GaN-on-Si功率二极管
作者:
Qi Zhou
;
Yang Jin
;
Jingyu Mou
;
Xu Bao
;
Yijun Shi
;
Zhaoyang Liu
;
Jian Li
;
Wanjun Chen
;
Chongwen Sun
;
Bo Zhang
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
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2015年
关键词:
GaN;
diode;
high breakdown voltage;
high temperature;
hybrid anode;
low turn-on voltage;
42.
Quasi-normally-off GaN gate driver for high slew-rate d-mode GaN-on-Si HEMTs
机译:
用于高斜率d模式硅上GaN HEMT的准常关GaN栅极驱动器
作者:
Monch S.
;
Costa M.
;
Barner A.
;
Kallfass I.
;
Reiner R.
;
Weiss B.
;
Waltereit P.
;
Quay R.
;
Ambacher O.
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
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2015年
关键词:
HEMTs;
dc-dc power converters;
driver circuits;
gallium nitride;
integrated circuits;
power transistors;
43.
A modeling and experimental method for accurate thermal analysis of AlGaN/GaN powerbars
机译:
精确热分析AlGaN / GaN电源棒的建模和实验方法
作者:
Sodan Vice
;
Stoffels Steve
;
Oprins Herman
;
Baelmans Martine
;
Decoutere Stefaan
;
De Wolf Ingrid
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
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2015年
关键词:
finite element analysis;
gallium nitride;
high electron mobility transistor (HEMT);
power dissipation;
self-heating effect (SHE);
thermal analysis;
thermal impedance;
44.
Numerical study of GaN-on-Si HEMT breakdown instability accounting for substrate and packaging interactions
机译:
基于衬底和封装相互作用的GaN-on-Si HEMT击穿不稳定性的数值研究
作者:
Monti F.
;
Imperiale I.
;
Reggiani S.
;
Gnani E.
;
Gnudi A.
;
Baccarani G.
;
Nguyen L.
;
Hernandez-Luna A.
;
Huckabee J.
;
Tipirneni N.
;
Denison M.
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
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2015年
关键词:
GaN-on-Si HEMTs;
TCAD modeling;
charge creep;
packaging material;
45.
Acceleration of temperature humidity bias (THB) testing on IGBT modules by high bias levels
机译:
通过高偏置水平加速IGBT模块上的温度湿度偏置(THB)测试
作者:
Zorn Christian
;
Kaminski Nando
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
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2015年
关键词:
IGBT module;
THB;
accelerated testing;
bias influence;
corrosion;
dendrites;
humidity degradation;
metallization;
46.
Predictive and efficient modeling of hot-carrier degradation in nLDMOS devices
机译:
nLDMOS器件中热载流子退化的预测和有效建模
作者:
Sharma Prateek
;
Tyaginov Stanislav
;
Wimmer Yannick
;
Rudolf Florian
;
Rupp Karl
;
Bina Markus
;
Enichlmair Hubert
;
Jong-Mun Park
;
Ceric Hajdin
;
Grasser Tibor
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
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2015年
关键词:
drift-diffusion scheme;
hot-carrier degradation;
nLDMOS;
spherical harmonics expansion;
47.
An advanced p-channel LDMOS FET with HTRB tolerability of high-voltage pulse transmitter ICs for ultrasound applications
机译:
具有HTRB耐受性的高级p沟道LDMOS FET,适用于超声应用的高压脉冲发射器IC
作者:
Miyoshi Tomoyuki
;
Wada Shinichiro
;
Shinomiya Toshio
;
Ueno Satoshi
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
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2015年
关键词:
HTRB;
RESURF;
p-channel LDMOS;
48.
Self-heating enhanced HCI degradation in pLDMOSFETs
机译:
pLDMOSFET自热增强的HCl降解
作者:
Yandong He
;
Ganggang Zhang
;
Xing Zhang
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
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2015年
关键词:
HCI degradation;
MR-DCIV technique;
device layout;
self-heating;
49.
A novel trench shielded MOSFET with buried field ring for tunable switching and improved ruggedness
机译:
具有掩埋场环的新型沟槽屏蔽MOSFET,可实现可调开关并提高耐用性
作者:
Lingpeng Guan
;
Bobde Madhur
;
Padmanabhan Karthik
;
Yilmaz Hamza
;
Bhalla Anup
;
Lei Zhang
;
Chiu Allan
;
Jongoh Kim
;
Wenjun Li
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
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2015年
关键词:
Efficiency;
High Voltage;
MOSFET;
Superjunction;
Trench;
UIS;
50.
Suppression of switching loss dependence on charge imbalance of superjunction MOSFET
机译:
抑制开关损耗对超结MOSFET电荷不平衡的依赖
作者:
Yamashita Hiroaki
;
Ura Hideyuki
;
Ono Syotaro
;
Nashiki Masato
;
Mii Kenji
;
Saito Wataru
;
Onodera Jun
;
Hokomoto Yoshitaka
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
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2015年
关键词:
superjunction;
switching loss;
51.
1.7kV high-power IGBT fabrication by bonded-wafer-concept
机译:
结合晶圆概念制造1.7kV大功率IGBT
作者:
Matthias Sven
;
Janisch Wolfgang
;
Papadopoulos Charalampos
;
Kopta Arnost
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
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2015年
关键词:
IGBT;
anode;
bonded wafer;
buffer;
silicon;
thin wafer;
52.
A novel ultra-low loss four inch thyristor for UHVDC
机译:
一种用于特高压直流的新型超低损耗四英寸晶闸管
作者:
Vobecky J.
;
Botan V.
;
Stiegler K.
;
Meier U.
;
Bellini M.
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
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2015年
关键词:
HVDC transmission;
Junction termination;
Silicon devices;
Thyristors;
53.
Enhancement-mode GaN-on-Si MOS-FET using Au-free Si process and its operation in PFC system with high-efficiency
机译:
使用无金Si工艺的增强模式GaN-on-Si MOS-FET及其在PFC系统中的高效运行
作者:
Miyamoto Hironobu
;
Okamoto Yasuhiro
;
Kawaguchi Hiroshi
;
Miura Yoshinao
;
Nakamura Makoto
;
Nakayama Tatsuo
;
Masumoto Ichiro
;
Miyake Shinichi
;
Hirai Tomohiro
;
Fujita Machiko
;
Ueda Takehiro
;
Yamanoguchi Katsumi
;
Tsuboi Atsushi
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
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2015年
关键词:
GaN;
MOSFET;
PFC circuit;
enhancement-mode;
54.
Normally-off GaN MIS-HEMT with improved thermal stability in DC and dynamic performance
机译:
常关GaN MIS-HEMT,具有改善的直流热稳定性和动态性能
作者:
Cheng Liu
;
Hanxing Wang
;
Shu Yang
;
Yunyou Lu
;
Shenghou Liu
;
Zhikai Tang
;
Qimeng Jiang
;
Sen Huang
;
Chen Kevin J.
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
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2015年
关键词:
AlGaN/GaN;
AlN/SiN;
passivation;
MIS-HEMT;
current collapse;
fluorine plasma implantation;
gate recess;
high temperature;
high voltage;
normally-off;
55.
Electro-thermal simulation of 1200 V 4H-SiC MOSFET short-circuit SOA
机译:
1200 V 4H-SiC MOSFET短路SOA的电热模拟
作者:
Duong T.H.
;
Ortiz J.M.
;
Berning D.W.
;
Hefner A.R.
;
Ryu S.-H.
;
Palmour J.W.
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
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2015年
关键词:
MOSFET;
SOA;
electro-thermal simulation;
model validation;
short-circuit;
silicon carbide;
56.
Series-connection of SiC normally-on JFETs
机译:
SiC常开JFET的串联
作者:
Xueqing Li
;
Bhalla Anup
;
Alexandrov Petre
;
Hostetler John
;
Fursin Leonid
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
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2015年
关键词:
Cascode;
JFETs;
Normally-on;
Series Connection;
Silicon Carbide;
57.
The impact of the gate dielectric quality in developing Au-free D-mode and E-mode recessed gate AlGaN/GaN transistors on a 200mm Si substrate
机译:
栅极介电质量对在200mm Si衬底上开发无金的D型和E型凹栅AlGaN / GaN晶体管的影响
作者:
Tian-Li Wu
;
Marcon Denis
;
De Jaeger Brice
;
Van Hove Marleen
;
Bakeroot Benoit
;
Lin Dennis
;
Stoffels Steve
;
Xuanwu Kang
;
Roelofs Robin
;
Groeseneken Guido
;
Decoutere Stefaan
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
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2015年
关键词:
AlGaN/GaN;
PE-ALD SiN;
border traps;
depletion mode;
enhacement mode;
gate dielectric;
interface states;
recessed gate;
58.
Static and dynamic performance characterization and comparison of 15 kV SiC MOSFET and 15 kV SiC n-IGBTs
机译:
15 kV SiC MOSFET和15 kV SiC n-IGBT的静态和动态性能表征和比较
作者:
Gangyao Wang
;
Huang Alex Q.
;
Fei Wang
;
Xiaoqing Song
;
Xijun Ni
;
Sei-Hyung Ryu
;
Grider David
;
Schupbach Marcelo
;
Palmour John
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
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2015年
59.
Enhancement-mode GaN-on-Silicon MOS-HEMT using pure wet etch technique
机译:
使用纯湿法蚀刻技术的增强型硅上氮化镓MOS-HEMT
作者:
Cen Tang
;
Gang Xie
;
Kuang Sheng
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
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2015年
关键词:
MOS-HEMT;
gallium nitride;
high breakdown voltage;
normally-off;
wet etch;
60.
70 mΩ/600 V normally-off GaN transistors on SiC and Si substrates
机译:
SiC和Si基板上的70mΩ/ 600 V常关GaN晶体管
作者:
Hilt Oliver
;
Zhytnytska Rimma
;
Bocker Jan
;
Bahat-Treidel Eldad
;
Brunner Frank
;
Knauer Arne
;
Dieckerhoff Sibylle
;
Wurfl Joachim
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
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2015年
关键词:
GaN;
dispersion;
dynamic on-state resistance;
normally off;
self heating;
switching;
61.
650-V GaN-based MIS-HEMTs using LPCVD-SiNx as passivation and gate dielectric
机译:
使用LPCVD-SiNx作为钝化和栅极电介质的650V GaN基MIS-HEMT
作者:
Mengyuan Hua
;
Cheng Liu
;
Shu Yang
;
Shenghou Liu
;
Yunyou Lu
;
Kai Fu
;
Zhihua Dong
;
Yong Cai
;
Baoshun Zhang
;
Chen Kevin J.
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
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2015年
关键词:
MIS-HEMT;
galicum nitride;
gate dielectric;
passivation;
silicon nitride;
62.
Stability of silicon carbide Schottky diodes against leakage current thermal runaway
机译:
碳化硅肖特基二极管对漏电流热失控的稳定性
作者:
Bodeker Christian
;
Vogt Timo
;
Kaminski Nando
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
Schottky;
SiC;
Silicon Carbide;
diode;
leakage current;
stability;
thermal design;
thermal runaway;
63.
GaN transistors — Giving new life to Moore's Law
机译:
GaN晶体管—赋予摩尔定律新的活力
作者:
Lidow Alex
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
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2015年
关键词:
FET;
GaN FET;
MOSFET;
enhancement mode;
gallium nitride;
transistor;
64.
Application of power electronic devices in rail transportation traction system
机译:
电力电子设备在轨道交通牵引系统中的应用
作者:
Jiaxi Hu
;
Wenye Liu
;
Jinfeng Yang
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
IPM;
drive control;
power electronic devices;
traction converter;
65.
Expansion of LED lighting and expectations for power semiconductors
机译:
LED照明的扩展和对功率半导体的期望
作者:
Yamamoto Shohei
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
66.
How power electronics will reshape to meet the 21
机译:
电力电子将如何重塑以适应21世纪
作者:
Gueguen Pierric
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
GaN;
Power Electronics;
SiC;
Wide BandGap;
67.
Experimental demonstration of the p-ring FS+ Trench IGBT concept: A new design for minimizing the conduction losses
机译:
p环FS + Trench IGBT概念的实验演示:最小化传导损耗的新设计
作者:
Antoniou M.
;
Lophitis N.
;
Udrea F.
;
Bauer F.
;
Nistor I.
;
Bellini M.
;
Rahimo M.
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT);
superjunction power MOSFET;
technology trade-off;
68.
Ultra low miller capacitance trench-gate IGBT with the split gate structure
机译:
具有分栅结构的超低米勒电容沟槽栅IGBT
作者:
Ohi K.
;
Ikura Y.
;
Yoshimoto A.
;
Sugimura K.
;
Onozawa Y.
;
Takahashi H.
;
Otsuki M.
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
FWD reverse recovery dV/dt;
Miller capacitance;
Split gate;
Trench-gate IGBT;
69.
Next generation 650V CSTBT
机译:
下一代650V CSTBT
作者:
Kamibaba Ryu
;
Konishi Kazuya
;
Fukada Yusuke
;
Narazaki Atsushi
;
Tarutani Masayoshi
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
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2015年
关键词:
650V;
Advanced thin wafer technology;
Energy of short circuit;
LPT-CSTBT;
SOA;
70.
Next generation 1200V trench CIGBT for high voltage applications
机译:
适用于高压应用的下一代1200V沟槽CIGBT
作者:
Hong Yao Long
;
Sweet Mark R.
;
De Souza Maria Merlyne
;
Narayanan Ekkanath Madathil Sankara
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
71.
On the impact of carbon-doping on the dynamic Ron and off-state leakage current of 650V GaN power devices
机译:
碳掺杂对650V GaN功率器件的动态Ron和截止态泄漏电流的影响
作者:
Moens P.
;
Vanmeerbeek P.
;
Banerjee A.
;
Guo J.
;
Liu C.
;
Coppens P.
;
Salih A.
;
Tack M.
;
Caesar M.
;
Uren M.J.
;
Kuball M.
;
Meneghini M.
;
Meneghesso G.
;
Zanoni E.
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
AlGaN/GaN;
Carbon;
Dynamic Ron;
HEMT;
offstate leakage;
72.
Current-collapse-free operations up to 850 V by GaN-GIT utilizing hole injection from drain
机译:
GaN-GIT利用漏电流注入实现了高达850 V的无电流崩塌操作
作者:
Kaneko Saichiro
;
Kuroda Masayuki
;
Yanagihara Manabu
;
Ikoshi Ayanori
;
Okita Hideyuki
;
Morita Tatsuo
;
Tanaka Kenichiro
;
Hikita Masahiro
;
Uemoto Yasuhiro
;
Takahashi Satoru
;
Ueda Tetsuzo
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
73.
High voltage thick SOI-LIGBT with high current density and latch-up immunity
机译:
具有高电流密度和抗闩锁性的高压厚SOI-LIGBT
作者:
Jing Zhu
;
Weifeng Sun
;
Long Zhang
;
Yicheng Du
;
Hui Yu
;
Keqin Huang
;
Yan Gu
;
Sen Zhang
;
Wei Su
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
SOI-LIGBT;
U-shaped channel;
current density;
high voltage;
latch-up immunity;
74.
A capacitive-loaded level shift circuit for improving the noise immunity of high voltage gate drive IC
机译:
电容负载电平转换电路,用于改善高压栅极驱动IC的抗噪声能力
作者:
Yunwu Zhang
;
Jing Zhu
;
Weifeng Sun
;
Yangyang Lu
;
Lihui Gu
;
Sen Zhang
;
Wei Su
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
gate driver;
high voltage;
level shifter;
noise immunity;
75.
A 0.18μm SOI BCD technology for automotive application
机译:
适用于汽车应用的0.18μmSOI BCD技术
作者:
Hao Y.
;
Sim P.C.
;
Toner B.
;
Frank M.
;
Ackermann M.
;
Tan A.
;
Kuniss U.
;
Kho E.
;
Doblaski J.
;
Hee E.G.
;
Liew M.
;
Hoelke A.
;
Wada S.
;
Oshima T.
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
76.
The effect of the collector contact design on the performance and yield of 800V Lateral IGBTs for power ICs
机译:
集电极接点设计对功率IC 800V横向IGBT的性能和良率的影响
作者:
Camuso G.
;
Udrea F.
;
Udugampola N.
;
Pathirana V.
;
Trajkovic T.
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
Collector Contact;
Injection efficiency;
Lateral IGBT;
Uniformity;
Yield;
77.
Accumulation-mode high voltage SOI LDMOS with ultralow specific on-resistance
机译:
具有超低比导通电阻的累积模式高压SOI LDMOS
作者:
Jie Wei
;
Xiaorong Luo
;
Yanhui Zhang
;
Pengcheng Li
;
Kun Zhou
;
Zhaoji Li
;
Dameng Lei
;
Fanzhou He
;
Bo Zhang
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
BV;
Ron-sp;
accumulation-mode;
even-distributed temperature;
variable lateral doping;
78.
Automatic layout optimization of DMOS transistors for lower peak temperatures and increased energy capability
机译:
DMOS晶体管的自动布局优化可降低峰值温度并提高能量承受能力
作者:
Zawischka Timo
;
Pfost Martin
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
79.
Demonstration of a HV BCD technology with LV CMOS process
机译:
演示采用LV CMOS工艺的HV BCD技术
作者:
Tsung-Yi Huang
;
Chien-Hao Huang
;
Chih-Fang Huang
;
Ching-Yao Yang
;
Yeh Wang-Chi Vincent
;
Huang-Ping Chu
;
Chien-Wei Chiu
;
Kuo-Hsuan Lo
;
Hung-Der Su
;
Jing-Meng Liu
;
Jeng Gong
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
80.
4 A/cm
机译:
4 A /厘米
作者:
Takeuchi D.
;
Kawashima H.
;
Kuwabara D.
;
Makino T.
;
Kato H.
;
Ogura M.
;
Ohashi H.
;
Okushi H.
;
Yamasaki S.
;
Koizumi S.
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
81.
On-chip optical pumping of deep traps in AlGaN/GaN-on-Si power HEMTs
机译:
AlGaN / GaN-on-Si功率HEMT中深阱的片上光泵浦
作者:
Xi Tang
;
Baikui Li
;
Chen Kevin J.
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT);
On-chip light illumination;
Optical pumping;
Trap;
82.
Investigations on degradation and optimization of 1.2kV 4H-SiC MOSFET under repetitive unclamped inductive switching stress
机译:
1.2kV 4H-SiC MOSFET在反复非钳位感性开关应力作用下的退化与优化研究
作者:
Siyang Liu
;
Weifeng Sun
;
Qinsong Qian
;
Chunde Gu
;
Yu Huang
;
Song Bai
;
Gang Chen
;
Runhua Huang
;
Yonghong Tao
;
Ao Liu
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
4H-SiC MOSFET;
Degradation;
Optimization;
Repetitive UIS;
83.
Highly integrated low-inductive power switches using double-etched substrates with through-hole viases
机译:
高度集成的低电感功率开关,使用带有通孔的双蚀刻衬底
作者:
Solomon Adane Kassa
;
Castellazzi Alberto
;
Delmonte Nicola
;
Cova Paolo
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
Low inductance package;
double-sided cooling;
high switching frequency;
integration;
84.
Fully integrated SOI gate driver for control of 1200V IGBT switches in three-level-NPC topology
机译:
完全集成的SOI栅极驱动器,用于控制三电平NPC拓扑中的1200V IGBT开关
作者:
Vogler Bastian
;
Herzer Reinhard
;
Buetow Sven
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
Gate Driver;
HVIC;
IGBT;
NPC;
SOI;
Three-Level;
85.
Fully-isolated silicon RF LDMOS for high-efficiency mobile power conversion and RF amplification
机译:
完全隔离的硅RF LDMOS,用于高效移动电源转换和RF放大
作者:
Zierak Michael
;
Feilchenfeld Natalie
;
Chaojiang Li
;
Letavic Ted
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
802.11n;
DC-DC;
FEM;
PAE;
RF LDMOS;
power amplifier;
86.
Substrate coupling in fast-switching integrated power stages
机译:
快速开关集成功率级中的基板耦合
作者:
Wittmann Juergen
;
Rindfleisch Christoph
;
Wicht Bernhard
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
87.
Short-circuit failure mechanism of SiC power MOSFETs
机译:
SiC功率MOSFET的短路故障机理
作者:
Romano G.
;
Maresca L.
;
Riccio M.
;
dAlessandro V.
;
Breglio G.
;
Irace A.
;
Fayyaz A.
;
Castellazzi A.
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
Short-Circuit ruggedness;
Short-circuit failure;
Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET;
TCAD 2D simulation;
88.
A 10kV/200A SiC MOSFET module with series-parallel hybrid connection of 1200V/50A dies
机译:
具有1200V / 50A裸片的串联-并联混合连接的10kV / 200A SiC MOSFET模块
作者:
Qiang Xiao
;
Yang Yan
;
Xinke Wu
;
Na Ren
;
Kuang Sheng
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
SiC MOSFET;
high power module;
innovative series-parallel circuit;
89.
Characteristics of 4H-SiC P-i-N diodes on lightly doped free-standing substrates
机译:
轻掺杂自支撑衬底上的4H-SiC P-i-N二极管的特性
作者:
Chowdhury S.
;
Hitchcock C.
;
Dahal R.
;
Bhat I.B.
;
Chow T.P.
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
P-i-n diodes;
Silicon Carbide (4H-SiC);
freestanding substrate;
90.
GaN-based monolithic power integrated circuit technology with wide operating temperature on polarization-junction platform
机译:
极化结平台上具有宽工作温度的基于GaN的单片功率集成电路技术
作者:
Nakajima Akira
;
Nishizawa Shin-ichi
;
Ohashi Hiromichi
;
Kayanuma Rei
;
Tsutsui Kazuo
;
Kubota Shunsuke
;
Kakushima Kuniyuki
;
Wakabayashi Hitoshi
;
Iwai Hiroshi
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
GaN;
N-channel component;
P-channel;
polarization junction;
power IC;
91.
A GaN HEMT driver IC with programmable slew rate and monolithic negative gate-drive supply and digital current-mode control
机译:
具有可编程压摆率和单片式负栅极驱动电源以及数字电流模式控制的GaN HEMT驱动器IC
作者:
Rose M.
;
Wen Y.
;
Fernandes R.
;
Van Otten R.
;
Bergveld H.J.
;
Trescases O.
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
92.
Impact of the backside potential on the current collapse of GaN SBDs and HEMTs
机译:
背面电势对GaN SBD和HEMT的电流崩塌的影响
作者:
Croon J.A.
;
Hurkx G.A.M.
;
Donkers J.J.T.M.
;
Sonsky J.
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
Charge Trapping;
Current Collapse;
GaN;
HEMT;
Packaging;
SBD;
93.
Theoretical limits of superjunction considering with charge imbalance margin
机译:
考虑电荷不平衡余量的超结的理论极限
作者:
Saito Wataru
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
analytical model;
on-resistance limit;
superjunction;
94.
Study about Si wafer (mother) material for high speed LPT-CSTBT™ based on electrical and physical analysis
机译:
基于电学和物理分析的高速LPT-CSTBT™硅片(母)材料研究
作者:
Takano Kazutoyo
;
Kiyoi Akira
;
Minato Tadaharu
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
DC current stress;
Electron Beam irradiation;
High speed IGBT;
Lifetime Control;
Photoluminescence;
95.
60 GHz wireless signal transmitting gate driver for IGBT
机译:
用于IGBT的60 GHz无线信号传输栅极驱动器
作者:
Yamamoto Kenichi
;
Ichihara Fumio
;
Hasegawa Kazunori
;
Tukuda Masanori
;
Omura Ichiro
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
Gate driver;
IGBT;
Signal isolation;
Wireless;
96.
Superjunction IGBT vs. FS IGBT for 200°C operation
机译:
适用于200°C操作的超结IGBT与FS IGBT
作者:
Hsieh Alice Pei-Shan
;
Camuso Gianluca
;
Udrea Florin
;
Chiu Ng
;
Yi Tang
;
Vytla Rajeev Krishna
;
Ranjan Niraj
;
Charles Alain
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
200˚C operation;
Field-Stop IGBT;
Superjunction;
97.
100 V class multiple stepped oxide field plate trench MOSFET (MSO-FP-MOSFET) aimed to ultimate structure realization
机译:
旨在实现最终结构的100 V类多级氧化物场板沟槽MOSFET(MSO-FP-MOSFET)
作者:
Kobayashi Kenya
;
Nishiguchi Toshifumi
;
Katoh Shunsuke
;
Kawano Takahiro
;
Kawaguchi Yusuke
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
98.
Fully-isolated NLDMOS behavior investigation during reverse recovery of parasitic diodes
机译:
寄生二极管反向恢复期间的全隔离NLDMOS行为研究
作者:
Nan-Ying Yang
;
Ming-Cheng Lin
;
Haw-Yun Wu
;
Wu C.B.
;
Chu L.
;
Lu H.T.
;
Lee C.Y.
;
Jong Y.C.
;
Tsai J.L.
;
Tuan H.C.
;
Kalnitsky Alex
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
fully-isolated NLDMOS;
reverse recovery charge;
99.
A proposal of LDMOS using Deep Trench poly field plate
机译:
LDMOS使用深沟多晶硅场板的建议
作者:
Joowon Park
;
Kwangsik Ko
;
Jina Eum
;
Kuemju Lee
;
Jungsu Jin
;
Yeounsoo Kim
;
Seonghoe Jeong
;
Sanghyun Lee
;
Jaehee Lee
;
Inwook Cho
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
DTFP;
LDMOS;
vertical drift region;
100.
Modeling spatial and energy oxide trap distribution responsible for NBTI in p-channel power U-MOSFETs
机译:
对负责p沟道功率U-MOSFET的NBTI的空间和能量氧化物陷阱陷阱分布进行建模
作者:
Tallarico Andrea N.
;
Sangiorgi Enrico
;
Fiegna Claudio
;
Magnone Paolo
;
Barletta Giacomo
;
Magri Angelo
会议名称:
《Institute of Electrical and Electronics Engineers International Symposium on Power Semiconductor Devices ICs》
|
2015年
关键词:
Negative bias temperature instability;
TCAD simulations;
U-MOSFET;
oxide charge trapping/de-trapping;
recovery mechanisms;
stress/recovery conditions;
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