Department of Functional Materials Science Saitama University Saitama 338–8570 Japan;
Quantum Beam Science Research Directorate National Institutes for Quantum an;
Gallium arsenide; Protons; Radiation effects; Photovoltaic cells; Photoluminescence; Photonic band gap; Radiative recombination;
机译:质子辐照的InAs / GaAs量子点中非辐射复合中心的两波长激发光致发光特性
机译:通过两波长激发光致发光揭示的InAs量子点中的非辐射中心
机译:非辐射复合中心对量子点结构中光致发光效率的影响
机译:INAS量子点中的非阵列中心被两波长激发光致发光透露
机译:在2-D电场下探索InAs / GaAs量子点和量子点分子中的单孔状态
机译:变质InAs / InGaAs和InAs / GaAs量子点结构的光电性能比较研究
机译:MOVPE制备自组织的InAs / GaAs单层和多层量子点结构:电子跃迁的磁光致发光研究