Dept. of Electrical Engineering and Computer Sciences University of California at Berkeley 94720 USA;
机译:1.55μm埋入式隧道结VCSEL的2.5mW单模工作
机译:GaN的垂直腔表面发射激光器的室温连续波操作,埋藏增益隧道连接
机译:基于GaSb的具有埋隧道结的VCSEL的横向模式特性
机译:高速埋地隧道结VCSELS高运行温度
机译:砷化铝镓-砷化镓镓晶体生长,埋入式隧道接触激光器,晶片键合以及基于砷化镓铝氧化物的VCSEL。
机译:使用磁隧道结自旋扭矩纳米振荡器的高速单边带发生器
机译:1570 nm IngaAsp埋藏隧道结光子晶体Vcsel的自热分析