Laboratoire de Metrologie des Interfaces Techniques 4 place Tharradin, BP 71427 25211 Montbeliard cedex France;
机译:热退火处理对PECVD方法制备的A-C:H薄膜微观结构和光学性能的影响
机译:含铬非晶态氢化碳薄膜(a-C:H / Cr)的微观结构和光学性质
机译:通过LF-PECVD生长的a-C:H和掺Si的a-C:H薄膜的结构和力学性能
机译:氢含量和碳杂交对PECVD获得的A-C:H薄膜光学性质的影响
机译:通过沉积方法和膜厚控制和设计PECVD碳掺杂低k二氧化硅薄膜的关键性能。
机译:非晶氢化碳膜(a-C:H)精制可持续的聚己二酸对苯二甲酸丁二醇酯(PBAT)揭示了膜厚度随sp2 / sp3比率变化而变化的不稳定性
机译:使用直流等离子体增强化学气相沉积(DC-PECVD)技术沉积的氢化非晶碳(a-C:H)薄膜的结构和光学性质
机译:长径比和sp2 / sp3含量对Ns掺杂pECVD生长碳膜场发射性能的影响