NTT Advanced Technology Corporation, 3-1, Morinosato Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0124, Japan;
机译:气体源分子束外延与碳掺杂基极生长的InP / InGaAs异质结双极晶体管
机译:InP / InGaAs双异质结双极晶体管,包含碳掺杂基极和超晶格渐变基极-集电极结
机译:金属有机化学气相沉积和分子束外延生长碳掺杂基层的InP / InGaAs异质结双极晶体管的特性
机译:碳源对Codoped基础Inp / Ingaas异质结双极晶体管热稳定性的影响
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:氮化碳和硫掺杂的氮化碳异质结纳米片的生物分子辅助合成:一种用于光电化学应用的有效异质结光催化剂
机译:碳源对C掺杂基极InP / InGaAs异质结双极晶体管热稳定性的影响
机译:假晶基极 - 发射极间隔层对铍掺杂InGaas / Inalas异质结双极晶体管电流诱导退化的影响