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European Gallium Arsenide and Other Compound Semiconductors Application Symposium; 20031006-20031007; Munich; DE
European Gallium Arsenide and Other Compound Semiconductors Application Symposium; 20031006-20031007; Munich; DE
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1.
Three-Dimensional Electromagnetic Approach to the Modeling of Linear Field Effect Transistors
机译:
线性场效应晶体管建模的三维电磁方法
作者:
Marco Farina
;
Tullio Rozzi
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Compound Semiconductors Application Symposium; 20031006-20031007; Munich; DE》
|
2003年
2.
Transcapacitances and Bias Dependent Time Delay and Base Resistance Expressions for Accurate Large Signal Modeling of HBTs
机译:
跨电容和偏置相关的时延以及基极电阻表达式,用于HBT的精确大信号建模
作者:
A. Issaoun
;
D. Dousset
;
A. B. Kouki
;
F. M. Ghannouchi
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Compound Semiconductors Application Symposium; 20031006-20031007; Munich; DE》
|
2003年
3.
System-on-Package (SOP) Architectures for compact and low cost RF Front-end modules
机译:
用于紧凑型低成本RF前端模块的系统级封装(SOP)架构
作者:
S. Pinel
;
K. Lim
;
R. G. DeJean
;
L. Li
;
C-H.Lee
;
M. Maeng
;
M.F. Davis
;
M. Tentzeris
;
J. Laskar
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Compound Semiconductors Application Symposium; 20031006-20031007; Munich; DE》
|
2003年
4.
A Globally-Continuous, Charge-Conservative, Non-linear Equivalent Circuit Model For RF MOSFETs
机译:
用于RF MOSFET的全局连续,电荷保守,非线性等效电路模型
作者:
Breandan O hAnnaidh
;
Thomas J. Brazil
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Compound Semiconductors Application Symposium; 20031006-20031007; Munich; DE》
|
2003年
5.
Devices selection for S to X bands low phase noise oscillator design
机译:
S至X波段低相位噪声振荡器设计的器件选择
作者:
G. Cibiel
;
O. Llopis
;
L. Escotte
;
G. Haquet
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Compound Semiconductors Application Symposium; 20031006-20031007; Munich; DE》
|
2003年
6.
A 5GHz-Band On-Chip Matching CMOS MMIC Front-End
机译:
5GHz频段片上匹配CMOS MMIC前端
作者:
Hiro-omi Ueda
;
Shintaro Shinjo
;
Yasuhiro Nabeno
;
Masayoshi Ono
;
Takahiro Ohnakado
;
Takaaki Murakami
;
Akihiko Furukawa
;
Yasushi Hashizume
;
Kazuyasu Nishikawa
;
Takeshi Mori
;
Satoshi Yamakawa
;
Tatsuo Oomori
;
Noriharu Suematsu
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Compound Semiconductors Application Symposium; 20031006-20031007; Munich; DE》
|
2003年
7.
Advancement in T/R Module Interconnects
机译:
T / R模块互连的进步
作者:
Andrew J. Piloto
;
Reiichi Yamada
;
Jerry Burgess
;
Rick Hall
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Compound Semiconductors Application Symposium; 20031006-20031007; Munich; DE》
|
2003年
8.
An Improved GaAs FET Nonlinear Model Suitable for Intermodulation Analysis of Amplifiers, Switches and Resistive Mixers
机译:
适用于放大器,开关和电阻混频器互调分析的改进型GaAs FET非线性模型
作者:
J.R. Loo-Yau
;
J. E. Zuniga-Juarez
;
F. I. Hirata-Flores
;
J.A. Reynoso-Hernandez
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Compound Semiconductors Application Symposium; 20031006-20031007; Munich; DE》
|
2003年
9.
A Balanced Sub-Harmonic Cold FET Mixer for 40GHz Communication Systems
机译:
适用于40GHz通信系统的平衡亚谐波冷FET混频器
作者:
Peter Butterworth
;
Christophe Charbonniaud
;
Michel Campovecchio
;
Jean-Christophe Nallatamby
;
Marc Monnier
;
Monique Lajugie
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Compound Semiconductors Application Symposium; 20031006-20031007; Munich; DE》
|
2003年
10.
A 10 Gb/s CMU in SiGe BiCMOS commercial technology with multistandard capability
机译:
采用SiGe BiCMOS商业技术的10 Gb / s CMU,具有多标准功能
作者:
Francesco Centurelli
;
Alessandro Golfarelli
;
Jesus Guinea
;
Leonardo Masini
;
Damiana Morigi
;
Massimo Pozzoni
;
Giuseppe Scotti
;
Alessandro Trifiletti
会议名称:
《》
|
2003年
11.
An Original SiGe Active Differential Output Power Splitter for Millimetre-wave Applications
机译:
适用于毫米波应用的原始SiGe有源差分输出功率分配器
作者:
Christophe Viallon
;
Eric Tournier
;
Jacques Graffeuil
;
Thierry Parra
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Compound Semiconductors Application Symposium; 20031006-20031007; Munich; DE》
|
2003年
12.
An SiGe/Si Heterojunction Phototransistor for Opto-Microwave Applications: Modeling and first Experimental Results
机译:
用于光微波应用的SiGe / Si异质结光电晶体管:建模和初步实验结果
作者:
J.L. Polleux
;
F. Moutier
;
A.L. Billabert
;
C. Rumelhard
;
E. Soenmez
;
H. Schumacher
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Compound Semiconductors Application Symposium; 20031006-20031007; Munich; DE》
|
2003年
13.
A 23 GHz Active Mixer with Integrated Diode Linearizer in SiGe BiCMOS Technology
机译:
采用SiGe BiCMOS技术的具有集成二极管线性化器的23 GHz有源混频器
作者:
Mingquan Bao
;
Yinggang Li
;
Andreia Cathelin
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Compound Semiconductors Application Symposium; 20031006-20031007; Munich; DE》
|
2003年
14.
A Chip-Scale Packaged Amplifier MMIC using Broadband Hot-Via Transitions
机译:
使用宽带热导通转换的芯片级封装放大器MMIC
作者:
A. Bessemoulin
;
C. Gaessler
;
P. Marschall
;
P. Quentin
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Compound Semiconductors Application Symposium; 20031006-20031007; Munich; DE》
|
2003年
15.
A novel noise model extraction technique for microwave and millimeter wave HEMT
机译:
微波和毫米波HEMT的噪声模型提取新技术
作者:
M. De Dominicis
;
F. Giannini
;
E. Limiti
;
A. Serino
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Compound Semiconductors Application Symposium; 20031006-20031007; Munich; DE》
|
2003年
16.
Characterizing the Linearity Sweet-Spot Evolution in FET Devices
机译:
表征FET器件中的线性最佳点演化
作者:
Emigdio Malaver
;
Jose Angel Garcia
;
Antonio Tazon
;
Angel Mediavilla
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Compound Semiconductors Application Symposium; 20031006-20031007; Munich; DE》
|
2003年
17.
Harmonic Distortion Characterization of SOI MOSFETs
机译:
SOI MOSFET的谐波失真特性
作者:
B. Parvais
;
A. Cerderia
;
D. Schreurs
;
J.-P. Raskin
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Compound Semiconductors Application Symposium; 20031006-20031007; Munich; DE》
|
2003年
18.
High Performance 50nm T-Gate In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.53)Ga_(0.47)As Metamorphic High Electron Mobility Transistors
机译:
高性能50nm T型栅极In_(0.52)Al_(0.48)As / In_(0.53)Ga_(0.47)As变质高电子迁移率晶体管
作者:
Xin Cao
;
Iain Thayne
;
Stephen Thoms
;
Martin Holland
;
Colin Stanley
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Compound Semiconductors Application Symposium; 20031006-20031007; Munich; DE》
|
2003年
19.
GaAs, Advanced RF CMOS and Silicon Components for Miniaturised Space Digital Receiver
机译:
GaAs,先进的RF CMOS和硅组件,用于小型空间数字接收器
作者:
M.Arena
;
F.Belperio
;
L.Calderone
;
M.C.Comparini
;
C.Leone
;
L.Simone
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Compound Semiconductors Application Symposium; 20031006-20031007; Munich; DE》
|
2003年
20.
36-44 GHz HPA for High Linearity Radio Systems
机译:
适用于高线性度无线电系统的36-44 GHz HPA
作者:
Andreas Werthof
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Compound Semiconductors Application Symposium; 20031006-20031007; Munich; DE》
|
2003年
21.
Six-Port Receiver Front-End MMIC for V-Band MBS Applications
机译:
适用于V波段MBS应用的六端口接收器前端MMIC
作者:
Thorsten Brabetz
;
Vincent F. Fusco
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Compound Semiconductors Application Symposium; 20031006-20031007; Munich; DE》
|
2003年
22.
Influence of carbon sources on thermal stability of C- doped base InP/InGaAs heterojunction bipolar transistors
机译:
碳源对C掺杂基极InP / InGaAs异质结双极晶体管热稳定性的影响
作者:
Noriyuki Watanabe
;
Masahiro Uchida
;
Hideo Yokohama
;
Gako Araki
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Compound Semiconductors Application Symposium; 20031006-20031007; Munich; DE》
|
2003年
23.
Dual Band Monolithic AGC Amplifier for Space Applications based on a commercial 0.2 μm PHEMT Technology
机译:
基于商用0.2μmPHEMT技术的用于太空应用的双频段单片AGC放大器
作者:
Sonia Sotero
;
Amparo Herrera
;
Javier Cabo
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Compound Semiconductors Application Symposium; 20031006-20031007; Munich; DE》
|
2003年
24.
Pd/In-based Ohmic Contacts to n-GaAs
机译:
基于Pd / In的n-GaAs欧姆接触
作者:
Jan Zlamal
;
Vladimir Myslik
;
Petr Machac
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Compound Semiconductors Application Symposium; 20031006-20031007; Munich; DE》
|
2003年
25.
Process-Tolerant High Linearity MMIC Power Amplifiers
机译:
耐过程的高线性度MMIC功率放大器
作者:
Francesco Palomba
;
Maurizio Pagani
;
Ivano De Francesco
;
Andrea Meazza
;
Alessandro Mornata
;
Gregorio Procopio
;
Giuseppe Siwerini
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Compound Semiconductors Application Symposium; 20031006-20031007; Munich; DE》
|
2003年
26.
Neural-Based Nonlinear Device Models for Intermodulation Analysis
机译:
基于神经的非线性设备模型用于互调分析
作者:
F.Giannini
;
P.Colantonio
;
G.Leuzzi
;
G.Orengo
;
A.Serino
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Compound Semiconductors Application Symposium; 20031006-20031007; Munich; DE》
|
2003年
27.
MMIC Tunable Transversal Bandpass Active Filter at 9-12 GHz
机译:
9-12 GHz的MMIC可调横向带通有源滤波器
作者:
Roberto Gomez-Garcia
;
Cesar Briso-Rodriguez
;
Mustapha Mahfoudi
;
Jose I. Alonso
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Compound Semiconductors Application Symposium; 20031006-20031007; Munich; DE》
|
2003年
28.
A Hybrid Self-Oscillating Mixer Based on InP Heterojunetion Interband Tunnel HEMT for Wireless Applications
机译:
基于InP异族带间隧道HEMT的混合自振荡混合器在无线应用中的应用
作者:
Matteo Camprini
;
Iacopo Magrini
;
Giovanni Collodi
;
Alessandro Cidronali
;
Vijay Nair
;
Gianfranco Manes
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Compound Semiconductors Application Symposium; 20031006-20031007; Munich; DE》
|
2003年
29.
A Novel 20 to 40 GHz Monolithic InGaP/GaAs HBT Double Balanced Mixer
机译:
新型20至40 GHz单片InGaP / GaAs HBT双平衡混频器
作者:
Karim W. Hamed
;
Alois P. Freundorfer
;
Yahia.M.M.Antar
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Compound Semiconductors Application Symposium; 20031006-20031007; Munich; DE》
|
2003年
30.
A Monolithically Integrated InP-Based HBT and p-i-n Photodiode Using New Stack-Shared Layer Scheme
机译:
使用新的堆栈共享层方案的单片集成基于InP的HBT和p-i-n光电二极管
作者:
Moonjung Kim
;
Jung-Ho Cha
;
Seong-Ho Shin
;
Soo-Kun Jeon
;
Jaeho Kim
;
Young-Se Kwon
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Compound Semiconductors Application Symposium; 20031006-20031007; Munich; DE》
|
2003年
31.
35-45 GHz Image Rejection Star Mixer for Up-and Down Conversion
机译:
35-45 GHz图像抑制星形混频器,用于上下转换
作者:
B. Lefebvre
;
A. Bessemoulin
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Compound Semiconductors Application Symposium; 20031006-20031007; Munich; DE》
|
2003年
32.
10 W High Efficiency 14V HBT Power Amplifier for Space Applications
机译:
适用于太空应用的10 W高效14V HBT功率放大器
作者:
N. LE GALLOU
;
J.F.VILLEMAZET
;
B. COGO
;
J.L CAZAUX
;
A. MALLET
;
L. LAPIERRE
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Compound Semiconductors Application Symposium; 20031006-20031007; Munich; DE》
|
2003年
33.
A Simple Technique for Improving the IM3/C and PAE Performance of MESFET Amplifiers
机译:
一种提高MESFET放大器的IM3 / C和PAE性能的简单技术
作者:
J N H Wong
;
C S Aitchison
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Compound Semiconductors Application Symposium; 20031006-20031007; Munich; DE》
|
2003年
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