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机译:金属有机化学气相沉积和分子束外延生长碳掺杂基层的InP / InGaAs异质结双极晶体管的特性
System Devices Research Laboratories, NEC Corporation, 9-1 Seiran 2-chome, Otsu 520-0833, Japan;
HBT; InP; InGaAs; emitter-size effect; carbon doping; hydrogen passivation;
机译:气体源分子束外延与碳掺杂基极生长的InP / InGaAs异质结双极晶体管
机译:化学束外延生长碳掺杂基InP / InGaAs异质结双极晶体管的微波特性
机译:通过化学束外延生长具有高碳掺杂基极的高性能InP / InGaAs异质结双极晶体管
机译:通过金属有机分子束外延在Ge / P共注入InP衬底上生长的InP / InGaAs异质结双极晶体管
机译:气源分子束外延生长的InP / InGaAs异质结双极晶体管和场效应晶体管。
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:通过使用氮气作为载气的金属有机化学气相沉积生长的碳掺杂的GaInp / Gaas异质结双极晶体管
机译:通过金属有机分子豆外延生长在Ge / p共注入Inp衬底上的Inp / InGaas异质结双极晶体管。