机译:使用SF_6 / O_2等离子清洁技术减少蚀刻缺陷并优化光刻胶掩膜栅多晶硅蚀刻工艺中的蚀刻配方
机译:使用极低功率的电感耦合等离子体刻蚀,低电阻率接触等离子体刻蚀的掺Mg GaN
机译:下游质谱法对带有腐蚀停止层的电介质光栅的反应性离子束腐蚀进行原位终点检测
机译:蚀刻触点和通孔的下游氧化物蚀刻器的基线颗粒减少
机译:用蚀刻和沉积法对二氧化硅接触孔的等离子体蚀刻轮廓进行建模。
机译:与酸蚀和漂洗及自酸蚀剂相比使用通用胶粘剂(具有/不具有酸蚀性)对搪瓷的复合材料微拉伸强度
机译:氧化铝(Al 2 O 3)的热原子层蚀刻使用铌五氟化铌(NBF5)和四氯化碳(CCL4):蚀刻机构的组合实验和密度泛函理论研究
机译:等离子体和离子蚀刻用于失效分析。第2部分。使用Technics Giga Etch 100-E等离子蚀刻系统对塑料封装和其他半导体器件材料进行蚀刻