Microelectronic Research Center, Department of Electrical and Computer Engineering, The University of Texas of Austin, Austin, TX, 78712-1084;
GaAs-based; buried tunnel junction; vertical-cavity surface-emitting lasers; all-epitaxial crystal growth;
机译:MBE生长的具有全外延滤光片部分的超大孔径单模垂直腔面发射激光器
机译:扩展波长(1.0至1.3μm)InGaAs / GaAs量子点基于GaAs的垂直腔面发射和横向腔边缘发射激光器
机译:高Q(33 000)全外延微腔,用于量子点垂直腔面发射激光器和量子光源
机译:基于外延孔径的基于GaAs的垂直腔表面发射激光器
机译:使用双极级联有源区的全外延,长波长,垂直腔表面发射激光器,可实现高差分量子效率。
机译:不同腔配置中锁模垂直外腔面发射激光器的时滞-微分方程建模
机译:基于GaAs的垂直腔面发射晶体管的性能优化