Institute of Microelectronics Technology Russian Academy of Sciences, now at NIE/EEE Nanyang Technological University (Singapore). 469 Bukit Timah Road, Singapore 259756;
E-beam lithography; process latitude; resists; metrology; linewidth measuring; chemically amplified resists; VUIII;
机译:具有正抵抗性的电子束光刻中工艺纬度调查的一种简单新方法。
机译:50 nm以下高斯电子束光刻线宽变化的方向依赖性及其校正
机译:混合光刻:光学和电子束光刻的结合。研究高级设备节点的过程集成和设备性能的方法
机译:用新型体积线宽测量对阳性汽车UVIII进行电子束光刻过程纬度的研究
机译:在高纬度地区进行光化学研究:将模型预测与短寿命物种的测量结果进行比较。
机译:X射线光刻掩模计量学:透射电子在SEM中用于线宽测量
机译:通过电子束光刻图案化并通过干法蚀刻定义的TiN / Ni纳米点阵列上单个碳纳米管的生长,用于场发射应用
机译:用于半微米加工的电子束光刻