Siemens AG, Corporate Technology, Materials and Microsystems Otto-Hahn-Ring 6, D-81739 Munich, Germany;
机译:使用单晶粒深度剖析改善多晶薄膜系统俄歇成分深度剖析中的溅射深度分辨率
机译:用俄歇电子能谱溅射深度分析法测定薄膜系统的扩散诱导浓度分布和互扩散系数的新方法
机译:在粗糙基底上生长的阳极氧化铝薄膜的GDOES深度轮廓分析过程中,溅射不均匀且深度分辨率降低
机译:使用原位样品制备方法,在多晶薄膜的螺旋溅射深度分析中的深度分辨率的相当大提高
机译:使用X射线衍射分析钨薄膜中的深度轮廓残余应力。
机译:射频磁控溅射在不同N2 / Ar气体流量下生长的Zn3N2薄膜的XPS深度剖面分析
机译:深度分辨率对溅射离子物种和罐溅射深度分析中砷化镓/铝砷膜溅射深度分析分析的依赖性。
机译:导电聚合物薄膜中空间控制微结构的X射线光电子能谱溅射深度剖面分析