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ECS Meeting
ECS Meeting
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1.
Copper-ALD Seed Layer as an Enabler for Device Scaling
机译:
铜铝种子层作为设备缩放的推动器
作者:
J. Mao
;
E. Eisenbraun
;
V. Omarjee
;
A. Korolev
;
C. Dussarrat
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2011年
2.
Study of Atomic Layer Deposition of ZnO on a Polar Oxide Substrate by In-Situ Quartz Crystal Microbalance
机译:
用原位石英晶体微稳定研究ZnO在极性氧化物基材上的原子层沉积
作者:
K. Pradhan
;
P. F. Lyman
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2011年
3.
Atomic Layer Deposited Oxides for Passivation of Silicon Photoanodes for Solar Photoelectrochemical Cells
机译:
用于太阳能光电化细胞的硅光阳极钝化的原子层沉积氧化物
作者:
B. Kalanyan
;
G. N. Parsons
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2011年
4.
Development of Novel Silicon Precursors for Low-Temperature CVD/ALD Processes
机译:
用于低温CVD / ALD工艺的新型硅前体的研制
作者:
Kohei Iwanaga
;
Ken-ichi Tada
;
Hirokazu Chiba
;
Toshiki Yamamoto
;
Atsushi Maniwa
;
Tadahiro Yotsuya
;
Noriaki Oshima
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2011年
5.
ALD Barrier Deposition on Porous Low-k Dielectric Materials for Interconnects
机译:
在多孔低k介电材料上互连的ALD屏障沉积
作者:
Sven Van Elshocht
;
Annelies Delabie
;
Sven Dewilde
;
Johan Meersschaut
;
Johan Swerts
;
Hilde Tielens
;
Patrick Verdonck
;
Thomas Witters
;
Eric Vancoille
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2011年
6.
Metalcone and Metalcone/Metal Oxide Alloys Grown Using Atomic Molecular Layer Deposition
机译:
使用原子和分子层沉积种植的金属筋和金属氧化物合金
作者:
B. H. Lee
;
V. R. Anderson
;
S. M. George
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2011年
7.
ALD Applied to Conformal Coating of Nanoporous γ-Alumina: Spinel Formation and Luminescence Induced by Europium Doping
机译:
ALD应用于纳米多孔γ-氧化铝的共形涂层:铕掺杂诱导的尖晶石形成和发光
作者:
E. Rauwel
;
O. Nilsen
;
A. Galeckas
;
J. C. Walmsley
;
E. Rytter
;
H. Fjellvag
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2011年
8.
Deposition and Characterization of Atomic Layer Deposited ZnS Thin Films on p-type GaSb(100) Using Diethylzinc Precursor and Hydrogen Sulfide
机译:
使用二乙基锌前体和硫化氢在p型气体(100)上沉积和表征原子层沉积ZnS薄膜
作者:
Runshen Xu
;
Jun Huang
;
Sid Ghosh
;
Christos G. Takoudis
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2011年
9.
M_xV_2O_5A_y·nH_2O a high-capacity cathode material for rechargeable lithium batteries.
机译:
M_XV_2O_5A_Y·NH_2O用于可充电锂电池的高容量阴极材料。
作者:
C. C. Torardi
;
C. R. Miao
;
M. E. Lewittes
;
Z. Li
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2001年
10.
Metallised polymer current collectors for lithium-ion batteries
机译:
用于锂离子电池的金属化聚合物集电器
作者:
Adam H. Whitehead
;
Christoph M. Hagg
;
Martha Schreiber
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2001年
11.
Gel Encapsulated Silicon-Graphite Composites as A Negative Electrode Material for Lithium-Ion Batteries
机译:
凝胶封装的硅 - 石墨复合材料作为用于锂离子电池的负极材料
作者:
Say Boon Ng
;
Jim Yang Lee
;
Zhaolin Liu
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2001年
12.
M{sub}xV{sub}2O{sub}5A{sub}y·nH{sub}2O a high-capacity cathode material for rechargeable lithium batteries
机译:
m {sub} xv {sub} 2o {sub} 5a {sub} y·nh {sub} 2o用于可充电锂电池的高容量阴极材料
作者:
C. C. Torardi
;
C. R. Miao
;
M. E. Lewittes
;
Z. Li
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2001年
13.
M_x V_2O_5A_y*nH_2O A HIGH-CAPACITY CATHODE MATERIAL FOR RECHARGEABLE LITHIUM BATTERIES
机译:
M_X V_2O_5A_Y * NH_2O用于可充电锂电池的高容量阴极材料
作者:
C. C. Torardi
;
C. R. Miao
;
M. E. Lewittes
;
Z. Li
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2001年
14.
Preparation of spinel Li_(1+y-x)Zn_xMn_(2-y)O_4 and its Li intercalation behavior
机译:
尖晶石LI_(1 + Y-X)Zn_XMN_(2-Y)O_4的制备及其LI嵌入行为
作者:
Hideyuki Noguchi
;
Hiroyoshi Nakamura
;
Masaki Yoshio
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2001年
15.
Preparation of spinel Li{sub}(1+x-y)Zn{sub}xMn{sub}(2-y)O{sub}4 and its Li intercalation behavior
机译:
尖晶石Li {Sub}(1 + X-Y)Zn {Sub} XMN {Sub}(2-Y)O {Sub} 4的制备及其Li嵌入行为
作者:
Hideyuki Noguchi
;
Hiroyoshi Nakamura
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2001年
16.
Next-generation carbon-based anode materials
机译:
下一代碳基阳极材料
作者:
C. Lampe-Onnerud
;
J. Shi
;
P. Onnerud
;
H. Stuhler
;
R. Chamberlain
;
B. Barnett
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2001年
17.
CVD OF HAFNIUM SILICATE THIN FILMS FOR ADVANCED GATE APPLICATIONS
机译:
用于高级浇口应用的铪硅酸盐薄膜CVD
作者:
Rahul Sbarangpani
;
Shankar Muthukrishnan
;
Shreyas Kher
;
Pravin Narwankar
;
Tejal Goyani
;
Yi Ma
;
Khaled Ahmed
;
Guissepina Conti
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
18.
CVD OF HAFNIUM SILICATE THIN FILMS FOR ADVANCED GATE APPLICATIONS
机译:
用于高级浇口应用的铪硅酸盐薄膜CVD
作者:
Rahul Sharangpani
;
Shankar Muthukrishnan
;
Shreyas Kher
;
Pravin Narwankar
;
Tejal Goyani
;
Yi Ma
;
Khaled Ahmed
;
Guissepina Conti
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
19.
THE DIFFUSION BONDING OF DIAMOND TO TITANIUM BY THE ENERGIZATION PULSE SINTERING METHOD
机译:
通过激励脉冲烧结方法将金刚石与钛的扩散键合
作者:
Jun Tanabe
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
20.
ELECTRON MOBILITY DEPENDENCE OF W/HFO2 GATE STACKS ON INTERFACIAL LAYER PREPARATION
机译:
W / HFO2栅极堆叠对界面层制备的电子迁移率依赖性
作者:
A. Callegari
;
P. Jamison
;
S. Zafar
;
D. Lacey
;
F. Me. Feely
;
J. Shepard
;
E. P. Gusev
;
E. Cartier
;
R. Jammy
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
21.
PROPERTIES OF THE INTERFACIAL LAYER IN THE HIGH-K GATE STACK AND TRANSISTOR PERFORMANCE
机译:
高k栅极堆叠和晶体管性能中的界面层的性质
作者:
G. Bersuker
;
J. Peterson
;
J. Barnett
;
A. Korkin
;
J. H. Sim
;
R. Choi
;
B. H. Lee
;
J. Greer
;
P. Lysaght
;
H. R. Huff
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
22.
ELECTRON MOBILITY DEPENDENCE OF W/HFO{sub}2 GATE STACKS ON INTERFACIAL LAYER PREPARATION
机译:
W / HFO {SUB} 2栅极堆叠在界面层制备中的电子迁移率依赖性
作者:
A. Callegari
;
P. Jamison
;
S. Zafar
;
D. Lacey
;
F. Mc. Feely
;
J. Shepard
;
E. P. Gusev
;
E. Cartier
;
R. Jammy
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
23.
PROPERTIES OF THE INTERFACIAL LAYER IN THE HIGH-K GATE STACK AND TRANSISTOR PERFORMANCE
机译:
高k栅极堆叠和晶体管性能中的界面层的性质
作者:
G. Bersuker
;
J. Peterson
;
J. Barnett
;
A. Korkin
;
J. H. Sim
;
R. Choi
;
B. H. Lee
;
J. Qreer
;
P. Lysaght
;
H. R. Huff
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
24.
THERMAL STABILITY OF A NOVEL GRADED BUFFER LAYER FOR RELAXED SIGE/SIHETEROEPITAXY
机译:
用于松弛SiGE / Siheteroepitaxy的新型分级缓冲层的热稳定性
作者:
L.H. Wong
;
C.C. Wong
;
C. Ferraris
;
T.J. White
;
J.P. Liu
;
L. Chan
;
D.K. Sohn
;
L.C. Hsia
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
25.
NOVEL DUAL METAL GATE TECHNOLOGY USING MO-MOSIX FOR ADVANCED MOS DEVICE APPLICATIONS
机译:
新型双金属栅极技术,用于高级MOS器件应用的MO-MOSIX
作者:
Tzung Lin Li
;
Wu-Lin Ho
;
Howard C. H. Wang
;
Chun-Yen Chang
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
26.
THERMAL STABILITY OF A NOVEL GRADED BUFFER LAYER FOR RELAXED SIGE/SI HETEROEPITAXY
机译:
用于弛豫SiGE / Si杂痘的新型分级缓冲层的热稳定性
作者:
L. H. Wong
;
C. C. Wong
;
C. Ferraris
;
T. J. White
;
J. P. Liu
;
L. Chan
;
D. K. Sohn
;
L. C. Hsia
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
27.
NOVEL DUAL METAL GATE TECHNOLOGY USING MO-MOSI{sub}X FOR ADVANCED MOS DEVICE APPLICATIONS
机译:
用于高级MOS设备应用的Mo-MOSI {SUB} X的新型双金属栅极技术
作者:
Tzung-Lin Li
;
Wu-Lin Ho
;
Howard C.-H. Wang
;
Chun-Yen Chang
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
28.
INVESTIGATION OF NITRIDED HAFNIUM SILICATES FOR HIGH-K DIELECTRICS USING PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY
机译:
光电子光谱法研究高k电介质氮的氮化铪硅酸盐
作者:
Anoop Mathew
;
Korhan Demirkan
;
R. L. Opila
;
Chang-Gong Wang
;
Jan Willem Maes
;
Glen Wilk
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
29.
INVESTIGATION OF NITRIDED HAFNIUM SILICATES FOR HIGH-K DIELECTRICS USING PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY
机译:
光电子光谱法研究高k电介质氮的氮化铪硅酸盐
作者:
Anoop Mathew
;
Korhan Demirkan
;
R.L. Opila
;
Chang-Gong Wang
;
Jan Willem Maes
;
Glen Wilk
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
30.
EVALUATION OF RUTHENIUM PRECURSORS FOR THIN-FILM APPLICATIONS
机译:
薄膜应用钌前体的评价
作者:
Cynthia A. Hoover
;
David M. Thompson
;
Joan E. Geary
;
James P. Natwora Jr
;
Michael M. Litwin
;
John Peck
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
31.
SILICON NITRIDE MATERIAL ENGINEERING FOR ULTRA-SHALLOW JUNCTION FORMATION
机译:
超浅接线形成的氮化硅材料工程
作者:
John Gumpher
;
Narendra Mehta
;
Wayne Bather
;
Jiejie Xu
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
32.
THIN Hf{sub}xTi{sub}ySi{sub}zO FILMS WITH VARYING Hf TO Ti CONTENTS AS CANDIDATES FOR HIGH-k DIELECTRICS
机译:
薄HF {sub} xti {sub} ysi {sub} zo电影,其具有不同的HF到TI内容作为高k电介质的候选者
作者:
A. J. Bauer
;
A. Paskaleva
;
M. Lemberger
;
L. Frey
;
H. Ryssel
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
33.
DOPANTS FOR N AND P JUNCTIONS IN GERMANIUM
机译:
锗的n和p结的掺杂剂
作者:
A. Satta
;
E. Simoen
;
M. Meuris
;
T. Janssens
;
T. Clarysse
;
C. Demeurisse
;
I. Hoflijk
;
W. Vandervorst
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
34.
IMPROVEMENT OF ELECTRICAL PROPERTIES OF HIGH-K STRONTIUM TANTALATE FILMS FOR GATE DIELELECTRIC APPLICATIONS
机译:
改进高k锶钽酸盐薄膜电性能的浇筑电流应用
作者:
M. Lisker
;
M. Silinskas
;
B. Kalkofen
;
E. P. Burte
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
35.
ATOMIC VAPOR DEPOSITION OF RU AND RUO2 THIN FILM LAYERS FOR METAL GATE APPLICATIONS
机译:
用于金属浇口应用Ru和Ruo2薄膜层的原子气相沉积
作者:
C. Manke
;
O. Boissiere
;
P.K. Baumann
;
J. Lindner
;
M. Schumacher
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
36.
NICKEL THIN FILM DEPOSITION USING Ni(PF{sub}3){sub}4 FOR LSI ELECTRODE
机译:
用于LSI电极的Ni(PF {Sub} 3){Sub} 4的镍薄膜沉积
作者:
Masato Ishikawa
;
Hideaki Machida
;
Atsushi Ogura
;
Yoshio Ohshita
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
37.
SELF-ALIGNED PTSI FULLY SILICIDED (FUSI) METAL GATES FOR 45NM CMOS APPLICATIONS
机译:
自对准的PTSI完全硅化(Fusi)金属门,适用于45nm CMOS应用
作者:
M. J. H. van Dal
;
A. Lauwers
;
J. Cunniffe
;
R. Verbeeck
;
C. Vrancken
;
C. Demeurisse
;
T. Dao
;
Y. Tamminga
;
A. Veloso
;
J. A. Kittl
;
K. Maex
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
38.
STUDY OF STRESS EVOLUTION DURING FULL SBLICBDATION FOR GATE STACKS
机译:
浇筑闸门堆栈中的全卡型压力演化研究
作者:
C. Torregiani
;
J.A. Kittl
;
S. Cappon
;
Q. Vanhoyland
;
S. Brongersma
;
A. Lauwers
;
P. Van Houtte
;
K. Maex
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
39.
MATERIALS ISSUES OF NI FULLY SILICIDED (FUSI) GATES FOR CMOS APPLICATIONS
机译:
用于CMOS应用的NI全硅化(FUSI)门的材料问题
作者:
J. A. Kittl
;
A. Lauwers
;
M. A. Pawlak
;
C. Demeurisse
;
K. G. Anil
;
A. Veloso
;
M. J. H. van Dal
;
T. Schram
;
B. Brijs
;
M. Kaiser
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
40.
ATOMIC VAPOR DEPOSITION OF RU AND RUO{sub}2 THIN FILM LAYERS FOR METAL GATE APPLICATIONS
机译:
金属栅应用Ru和Ruo {Sub} 2薄膜层的原子气相沉积
作者:
C. Manke
;
O. Boissiere
;
P. K. Baumann
;
J. Lindner
;
M. Schumacher
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
41.
HIGHLY SCALABLE PVD/CVD-COBALT BILAYER SALICIDATION TECHNOLOGY FOR SUB-50NM CMOSFETS
机译:
高度可扩展的PVD / CVD-COBALT双层PILAYER SATICATICATION技术,用于子-50nm CMOSFET
作者:
J. H. Yun
;
H. S. Kim
;
S. W. Jung
;
E. J. Jung
;
B. H. Kim
;
G. H. Choi
;
S. T. Kim
;
U In Chung
;
J. T. Moon
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
42.
Center for Integrated Systems, Stanford University, Stanford, CA 94305, USA
机译:
斯坦福大学综合系统中心,斯坦福大学,CA 94305,美国
作者:
Justin Harnish
;
Chris Carlson
;
John Foggiato
;
Kitaek Kang
;
Woo Sik Yoo
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
43.
Nb AND NbN GATE METALLIZATIONS FOR GATE STACKS WITH HIGH-K DIELECTRICS
机译:
具有高k电介质的栅极堆栈的NB和NBN栅极金属化
作者:
Matthias Schmidt
;
Alexandra Ludsteck
;
Florian Wiest
;
Joerg Schulze
;
Ignaz Eisele
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
44.
HIGHLY SCALABLE PVD/CVD-COBALT BILAYER SALICIDATION TECHNOLOGY FOR SUB-50NM CMOSFETS
机译:
高度可扩展的PVD / CVD-COBALT双层PILAYER SATICATICATION技术,用于子-50nm CMOSFET
作者:
J. H. Yun
;
H. S. Kim
;
S. W. Jung
;
E. J. Jung
;
B. H. Kim
;
G. H. Choi
;
S. T. Kim
;
U. In Chung
;
J. T. Moon
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
45.
THIN HfxTiySisO FILMS WITH VARYING Hf TO Ti CONTENTS AS CANDIDATES FOR HIGH-k DIELECTRICS
机译:
薄HFXTISO膜,具有不同HF到TI含量的胶片作为高k电介质的候选者
作者:
A.J. Bauer
;
A. Paskaleva
;
M. Lemberger
;
L. Frey
;
H. Ryssel
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
46.
DOPANTS FOR N AND P JUNCTIONS IN GERMANIUM
机译:
锗的n和p结的掺杂剂
作者:
A. Satta
;
E. Simoen
;
M. Meuris
;
T. Janssens
;
T. Clarysse
;
C. Demeurisse
;
I. Hoflijk
;
W. Vandervorst
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
47.
STUDY OF STRESS EVOLUTION DURING FULL SILICIDATION FOR GATE STACKS
机译:
浇筑浇筑术后硅酸盐中的应力演化研究
作者:
C. Torregiani
;
J. A. Kittl
;
S. Capponi
;
G. Vanhoyland
;
S. Brongersma
;
A. Lauwers
;
P. Van Houtte
;
K. Maex
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
48.
Nb AND NbN GATE METALLIZATIONS FOR GATE STACKS WITH HIGH-K DIELECTRICS
机译:
具有高k电介质的栅极堆栈的NB和NBN栅极金属化
作者:
Matthias Schmidt
;
Alexandra Ludsteckp
;
Florian Wiest
;
Joerg Schulze
;
Ignaz Eisele
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
49.
MATERIALS ISSUES OF NI FULLY SILICIDED (FUSI) GATES FOR CMOS APPLICATIONS
机译:
用于CMOS应用的NI全硅化(FUSI)门的材料问题
作者:
J. A. Kittl
;
A. Lauwers
;
M. A. Pawlak
;
C. Demeurisse
;
K. G. Anil
;
A. Veloso
;
M. J. H. van Dal
;
T. Schram
;
B. Brijs
;
M. Kaiser
;
S. Kubicek
;
J. Cunniffe
;
R. Verbeeck
;
C. Vrancken
;
S. Biesemans
;
K. Maex
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
50.
EVALUATION OF RUTHENIUM PRECURSORS FOR THIN-FILM APPLICATIONS
机译:
薄膜应用钌前体的评价
作者:
Cynthia A. Hoover
;
David M. Thompson
;
Joan E. Geary
;
James P. Natwora Jr.
;
Michael M. Litwin
;
John Peck
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
51.
SILICON NITRIDE MATERIAL ENGINEERING FOR ULTRA-SHALLOW JUNCTION FORMATION
机译:
超浅接线形成的氮化硅材料工程
作者:
John Gumpher
;
Narendra Mehta
;
Wayne Bather
;
Jiejie Xu
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
52.
SELF-ALIGNED PTSI FULLY SILICIDED (FUSI) METAL GATES FOR 45 NM CMOS APPLICATIONS
机译:
自对准的PTSI完全硅化(Fusi)金属门45 nm CMOS应用
作者:
M.J.H. van Dal
;
A. Lauwers
;
J. Cunniffe
;
R. Verbeeck
;
C. Vrancken
;
C. Demeurisse
;
T. Dao
;
Y. Tamminga
;
A. Veloso
;
J.A. Kitt
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
53.
THIN Hf_xTi_ySi_zO FILMS WITH VARYING Hf TO Ti CONTENTS AS CANDIDATES FOR HIGH-k DIELECTRICS
机译:
薄的HF_XTI_YSI_ZO电影具有不同HF到TI内容的胶片作为高k电介质的候选者
作者:
A.J. Bauer
;
A. Paskaieva
;
M. Lemberger
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
54.
ELECTRICAL CONDUCTIVITY OF RARE EARTH ALUMINATE
机译:
稀土电导率铝酸盐
作者:
Kenichi Kawamura
;
Hirohisa Ohyama
;
Mitsutoshi Ueda
;
Toshio Maruyama
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
55.
PROPERTIES OF HfTaxOy HIGH-K LAYERS DEPOSITED BY ALCVD
机译:
ALCVD沉积的HFTAXOY高k层的性质
作者:
C. Zhao
;
Z. M. Rittersma
;
J.G.M. Van Berkum
;
J.H.M. Snijders
;
A. Hendriks
;
P. Breimer
;
P. Graat
;
J.W. Maes
;
H. Witters
;
V.V. Afanasev
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
56.
EFFECT OF AMORPHIZATION ON ACTIVATION AN D DEACTIVATION OF BORON IN SOURCE/DRAIN, CHANNEL AND POLYGATE
机译:
源/漏极,通道和多晶体中硼激活对激活的影响
作者:
B.J. Pawlak
;
R. Duffy
;
T. Janssens
;
W. Vandervorst
;
S. Severi
;
O. Richard
;
A. Benedetti
;
P. Eyben
;
B. Colombeau
;
N.E.B. Cowern
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
57.
SUPPRESSED LEAKAGE IN LOW TEMPERATURE RTA (700°C 30S) JUNCTIONS WITH BURIED EPITAXIAL Si{sub}(1-y)C{sub}y
机译:
抑制低温RTA(700°C 30s)结具有掩埋外延Si {sub}(1-y)c {sub} y
作者:
Chung Foong Tan
;
Hyeokjae Lee
;
J. P. Liu
;
Elgin Quek
;
L. Chan
;
Eng Fong Chor
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
58.
DEVICE STUDY OF SOURCE/DRAIN EXTENSION AND HALO FORMATION USING A SINGLE-WAFER, HIGH-CURRENT IMPLANTER
机译:
使用单晶片,高电流注入机源/排水延伸和光环形成的装置研究
作者:
S. B. Felch
;
M. A. Foad
;
C. Olsen
;
F. Nouri
;
Y. Matsunaga
;
N. Natsuaki
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
59.
THE OXIDATION RATE OF A MAGNESIA-CARBON REFRACTORY UNDER LOW OXYGEN PARTIAL PRESSURES
机译:
低氧分压下氧化镁 - 碳耐火材料的氧化速率
作者:
H. Sunayama
;
M. Kawahara
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
60.
STRUCTURAL AND ELECTRICAL CHARACTERIZATION OF ZIRCONIUM OXIDE THIN FILMS DEPOSITED BY MOCVD
机译:
MOCVD沉积的氧化锆薄膜的结构和电学特性
作者:
M. Lisker
;
M. Silinskas
;
S. Matichyn
;
R. Dargis
;
B. Kalkofen
;
E. P. Burte
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
61.
STRUCTURAL AND ELECTRICAL CHARACTERIZATION OF ZIRCONIUM OXIDE THIN FILMS DEPOSITED BY MOCVD
机译:
MOCVD沉积的氧化锆薄膜的结构和电学特性
作者:
M. Lisker
;
M. Silinskas
;
S. Matichyn
;
R. Dargis
;
B. Kalkofen
;
E. P. Burte
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
62.
TDS MEASUREMENT OF HYDROGEN RELEASED FROM Cr2O3 SCALE FORMED IN N2-OrH2O ATMOSPHERES
机译:
在N2-ORH2O大气中形成的CR2O3尺度释放的氢的TDS测量
作者:
A. Yamauchi
;
Y. Yamauti
;
Y. Hirohata
;
T. Hino
;
K. Kurokawa
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
63.
DEVICE STUDY OF SOURCE/DRAIN EXTENSION AND HALO FORMATION USING A SINGLE-WAFER, HIGH-CURRENT IMPLANTER
机译:
使用单晶片,高电流注入机源/排水延伸和光环形成的装置研究
作者:
S. B. Felch
;
M. A. Foad
;
C. Olsen
;
F. Nouri
;
Y. Matsunaga
;
N. Natsuaki
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
64.
CHARACTERIZATION OF ULTRA-SHALLOW IMPLANTED P+ LAYER ON P-TYPE SILICON SUBSTRATES AFTER FLASH ANNEAL AND CONVENTIONAL RAPID THERMAL ANNEAL
机译:
闪光退火和传统快速热退火后P型硅基板上的超浅植入P +层的表征
作者:
Tadashi Suzuki
;
Masatoshi Seto
;
Norio Suzuki
;
Kitaek Kang
;
Woo Sik Yoo
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
65.
CHARACTERIZATION OF LAMINATED CEO{sub}2-HFO{sub}2 HIGH-k GATE DIELECTRICS DEPOSITED BY PULSED LASER DEPOSITION
机译:
脉冲激光沉积沉积叠层CEO {SUB} 2-HFO {SUB} 2高k栅极电介质的表征
作者:
K. Karakaya
;
A. Zinine
;
J. G. M. van Berkum
;
P. Graat
;
M. A. Verheijen
;
Z. M. Rittersma
;
G. Rijnders
;
D. H. A. Blank
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
66.
IDS MEASUREMENT OF HYDROGEN RELEASED FROM Cr{sub}2O{sub}3 SCALE FORMED IN N{sub}2-O{sub}2-H{sub}2O ATMOSPHERES
机译:
从CR {Sub} 2O {Sub} 2-O} 2-H} 2O大气中形成的CR {sub} 2o {sub} 3比例释放的氢气测量
作者:
A. YAMAUCHI
;
Y. YAMAUTI
;
Y. HIROHATA
;
T. HINO
;
K. KUROKAWA
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
67.
METAL GATED SELF-ALIGNED GATE-FORWARD nMOSFET WITH <0.8 nm EOT FABRICATED BY IN-SITU Ar/O2 PLASMA OXIDATION OF PVD Hf
机译:
金属门控自对准栅极前进的NMOSFET,由原位ar / O2氧化PVD HF制造<0.8nm埃托特
作者:
Sergei Koveshnikov
;
Wilman Tsai
;
Manhong Zhang
;
Changhwan Choi
;
Jack Lee
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
68.
INFLUENCE OF ACTIVATION ANNEALING AND SILICIDATION PROCESS ON As REDISTRIBUTION AND PILE-UP AT THE Ni{sub}xSi{sub}y/SiO{sub}2 INTERFACE
机译:
激活退火和硅化过程对NI {Sub} y / siO {sub} 2接口的再分布和堆叠的影响。
作者:
M. A. Pawlak
;
J. A. Kittl
;
T. Janssens
;
A. Lauwers
;
W. Vandervorst
;
K. G. Anil
;
T. Schram
;
A. Veloso
;
M. J. H. van Dal
;
K. Maex
;
A. Vantomme
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
69.
CYCLIC OXIDATION OF GAMMA MET PX
机译:
γ的循环氧化MET PX
作者:
J. W. Fergus
;
V. L. Salazar
;
C. J. Long
;
N. L. Harris
;
W. F. Gale
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
70.
IMPROVING CMOS PERFORMANCE BY AVD GROWN HIGH-K DIELECTRICS AND ADVANCED METAL ELECTRODES
机译:
通过AVD种植高k电介质和先进的金属电极提高CMOS性能
作者:
U. Weber
;
O. Boissiere
;
J. Lindner
;
M. Schumacher
;
P. Lehnen
;
C. Manke
;
S. Van Elshocht
;
M. Caymax
;
V. Cosnier
;
T. McEntee
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
71.
IMPROVING CMOS PERFORMANCE BY AVD~reg; GROWN HIGH-K DIELECTRICS AND ADVANCED METAL ELECTRODES
机译:
AVD~®种植高k电介质和先进的金属电极提高CMOS性能
作者:
U.Weber
;
O.Boissiere
;
J.Lindner
;
M. Schumacher
;
P.Lehnen
;
C.Manke
;
S.Van Elshocht
;
M.Caymax
;
V.Cosnier
;
T.McEntee
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
72.
ULTRAVIOLET RAMAN SPECTROSCOPIC STUDY ON FLASH-ANNEAL RECRYSTALLIZATION OF ULTRA-SHALLOW BORON-IMPLANTED LAYER ON SILICON
机译:
硅中浅硼植入层闪光退火的紫外拉曼光谱研究
作者:
Masahiro Yoshimoto
;
Hiroshi Nishigaki
;
Hiroshi Harima
;
Ritaek Kang
;
Woo Sik Yoo
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
73.
ELECTRICAL ACTIVATION AND DOPANT DIFFUSION OF HEAVILY BORON IMPLANTED SILICON
机译:
大硼植入硅的电激活和掺杂剂扩散
作者:
Justin Hamish
;
Chris Carlson
;
John Foggiato
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
74.
PROPERTIES OF HfTa{sub}xO{sub}y HIGH-K LAYERS DEPOSITED BY ALCVD
机译:
ALCVD沉积的HFTA {Sub} XO {Sub} Y High-K层的性质
作者:
C. Zhao
;
Z. M. Rittersma
;
J. G. M. Van Berkum
;
J. H. M. Snijders
;
A. Hendriks
;
P. Breimer
;
P. Graat
;
J. W. Maes
;
H. Witters
;
V. V. Afanasev
;
E. Tois
;
M. Tuominen
;
M. Caymax
;
S. De Gendt
;
M. Heyns
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
75.
PROPERTIES OF Ru/Hf{sub}xSi{sub}(1-x)O{sub}y/Si MOS GATE STACK STRUCTURES GROWN BY MOCVD
机译:
MOCVD生长的ru / hf {sub} {sub} xsi {sub} {sub}(1-x)o {sub} y / si mos门堆栈结构
作者:
K. Frohlich
;
R. Luptak
;
K. Husekova
;
K. Cico
;
M. Tapajna
;
U. Weber
;
P. K. Baumann
;
J. Lindner
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
76.
PROPERTIES OF Ru/HfxSii,Oy/Si MOS GATE STACK STRUCTURES GROWN BYMOCVD
机译:
ru / hfxsii,oy / si mos栅极堆栈结构的特性,Bymocvd
作者:
K. Frohlichi
;
R. Luptak
;
K. Husekova
;
K. CiCo
;
M. f apajna
;
U. Weber
;
P. K. Baumann
;
J. Lindner
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
77.
METAL GATED SELF-ALIGNED GATE-FORWARD nMOSFET WITH ≤0.8nm EOT FABRICATED BY IN-SITU Ar/O{sub}2 PLASMA OXIDATION OF PVD Hf
机译:
金属门控自对准栅极前进的NMOSFET,≤0.8nmeot通过原位AR / O {sub} 2血浆氧化PVD HF
作者:
Sergei Koveshnikov
;
Wilman Tsai
;
Manhong Zhang
;
Changhwan Choi
;
Jack Lee
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
78.
SHALLOW DOPING OF SILICON FROM AN ADSORBED PHOSPHORUS SURFACE LAYER
机译:
来自吸附磷表面层的硅浅掺杂
作者:
Bodo Kalkofen
;
Marco Lisker
;
Edmund P. Burte
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
79.
EFFECT OF PRECURSOR PULSE TIME ON CHARGE TRAPPING AND MOBILITY OF ALD HfO{sub}2
机译:
前体脉冲时间对ALD HFO {sub} 2的电荷捕获和移动性的影响
作者:
Mohammad S. Akbar
;
Naim Moumen
;
Jeff Peterson
;
Joel Barnett
;
Muhammad Mustafa Hussain
;
Jack C. Lee
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
80.
THE ENHANCEMENT OF POLY ACTIVATION BY LASER ANNEALING
机译:
激光退火的增强
作者:
Yuanning Chen
;
Amitabh Jain
;
Jerry Hu
;
Doug Mercer
;
Jeff Hebb
;
Deepak Upadhyaya
;
Yun Wang
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
81.
HIGH-K DIELECTRIC GROWTH ON GERMANIUM BY ATOMIC LAYER DEPOSITION
机译:
原子层沉积锗高k介电生长
作者:
Antti Rahtu
;
Kirsi Ralli
;
Matti Putkonen
;
Marko Tuominen
;
Suvi Haukka
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
82.
ELECTRICAL ACTIVATION AND DOPANT DIFFUSION OF HEAVILY BORON IMPLANTED SILICON
机译:
大硼植入硅的电激活和掺杂剂扩散
作者:
Justin Harnish
;
Chris Carlson
;
John Foggiato
;
Kitaek Kang
;
Woo Sik Yoo
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
83.
STRAIN EFFECTS ON TRANSIENT ENHANCED DIFFUSION AND DEACTIVATION OF ARSENIC IMPLANTED IN SILICON
机译:
硅植入氧化砷的瞬态增强扩散和失活的应变影响
作者:
G. D. M. Dilliway
;
A. J. Smith
;
J. J. Hamilton
;
L. Xu
;
P. J. McNally
;
G. Cooke
;
H. Kheyrandish
;
N. E. B. Cowern
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
84.
CHARACTERIZATION OF LAMINATED CEO2-HFO2 HIGH-* GATE DIELECTRICS DEPOSITED BY PULSED LASER DEPOSITION
机译:
脉冲激光沉积沉积层压CeO2-HFO2高*栅极电介质的特征
作者:
K. Karakaya
;
A. Zinine
;
J.G.M. van Berkum
;
P. Graat
;
M.A. Verheijen
;
Z.M. Rittersma
;
G. Rijnders
;
D.H.A. Blank
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
85.
IMPROVING CMOS PERFORMANCE BY AVD? GROWN HIGH-K DIELECTRICS AND ADVANCED METAL ELECTRODES
机译:
通过AVD提高CMOS性能?种植高k电介质和先进的金属电极
作者:
U.Weber
;
O.Boissiere
;
J.Lindner
;
M. Schumacher
;
P.Lehnen
;
C.Manke
;
S.Van Elshocht
;
M.Caymax
;
V.Cosnier
;
T.McEntee
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
86.
INFLUENCE OF ACTIVATION ANNEALING AND SILICIDATION PROCESS ON As REDISTRIBUTION AND PILE-UP AT THE Ni5Siy/SiO2 INTERFACE
机译:
活化退火和硅化过程对Ni5Siy / SiO2接口的再分配和堆积的影响
作者:
M.A. Pawlak
;
J.A. Kitt
;
T. Janssens
;
A. Lauwers
;
W. Vandervorst
;
K.G.Anil
;
T. Schram
;
A.Veloso
;
M. J. H. van Dal
;
K. Maex
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
87.
STRAIN EFFECTS ON TRANSIENT ENHANCED DIFFUSION AND DEACTIVATION OF ARSENIC IMPLANTED IN SILICON
机译:
硅植入氧化砷的瞬态增强扩散和失活的应变影响
作者:
G.D.M. Dilliway
;
A.J. Smith
;
J.J. Hamilton
;
L. Xu
;
PJ. McNally
;
G. Cooke
;
H. Kheyrandish
;
N.E.B. Cowern
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
88.
SHALLOW DOPING OF SILICON FROM AN ADSORBED PHOSPHORUS SURFACE LAYER
机译:
来自吸附磷表面层的硅浅掺杂
作者:
Bodo Kalkofen
;
Marco Lisker
;
Edmund P. Burte
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
89.
CHARACTERIZATION OF ULTRA-SHALLOW IMPLANTED P{sup}+ LAYER ON P-TYPE SILICON SUBSTRATES AFTER FLASH ANNEAL AND CONVENTIONAL RAPID THERMAL ANNEAL
机译:
闪光退火和常规快速热退火后P型硅基板上的超浅注入的P {SUP} +层的表征
作者:
Tadashi Suzuki
;
Masatoshi Seto
;
Norio Suzuki
;
Kitaek Kang
;
Woo Sik Yoo
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
90.
EFFECT OF PRECURSOR PULSE TIME ON CHARGE TRAPPING AND MOBILITY OF ALD HfO2
机译:
前体脉冲时间对ALD HFO2电荷捕获和移动性的影响
作者:
Mohammad S. Akbar
;
Nairn Moumen
;
Jeff Peterson
;
Joel Barnett
;
Muhammad Mustafa Hussain
;
Jack C. Lee
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
91.
ULTRAVIOLET RAMAN SPECTROSCOPIC STUDY ON FLASH-ANNEAL RECRYSTALLIZATION OF ULTRA-SHALLOW BORON-IMPLANTED LAYER ON SILICON
机译:
硅中浅硼植入层闪光退火的紫外拉曼光谱研究
作者:
Masahiro Yoshimoto
;
Hiroshi Nishigaki
;
Hiroshi Harima
;
Kitaek Kang
;
Woo Sik Yoo
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
92.
SUPPRESSED LEAKAGE IN LOW TEMPERATURE RTA (700°C 30S) JUNCTIONS WITH BURIED EPITAXIAL Si/.,C,,
机译:
抑制低温RTA(700°C 30s)结的泄漏与掩埋外延Si /.,c,
作者:
Chung Foong Tan
;
Hyeokjae Lee
;
J.P. Liu
;
Elgin Quek
;
L. Chan
;
Eng Fong Chor
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
93.
IMPACT OF RECESSED S/D SIGE INTEGRATION PARAMETERS ON DEVICE PERFORMANCE
机译:
嵌入的S / D SiGe集成参数对设备性能的影响
作者:
Lori Washington
;
Faran Nouri
;
Peter Verheyen
;
Victor Moroz
;
Mark Kawaguchi
;
Yihwan Kim
;
Arkadiii Samoilov
;
Malgorzata Jurczak
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
94.
PROPERTIES OF Ru/Hf_xSi_(1-x)O_y/Si MOS GATE STACK STRUCTURES GROWN BY MOCVD
机译:
MOCVD生长的ru / hf_xsi_(1-x)O_y / si mos门堆栈结构的属性
作者:
K. Frohlich
;
R. Luptak
;
K. Husekova
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
95.
THE ENHANCEMENT OF POLY ACTIVATION BY LASER ANNEALING
机译:
激光退火的增强
作者:
Yuanning Chen
;
Amitabh Jain
;
Jerry Hu
;
Doug Mercer
;
Jeff Hebb
;
Deepak Upadhyaya
;
Yun Wang
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
96.
IMPACT OF RECESSED S/D SIGE INTEGRATION PARAMETERS ON DEVICE PERFORMANCE
机译:
嵌入的S / D SiGe集成参数对设备性能的影响
作者:
Lori Washington
;
Faran Nouri
;
Peter Verheyen
;
Victor Moroz
;
Mark Kawaguchi
;
Yihwan Kim
;
Arkadiii Samoilov
;
Malgorzata Jurczak
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
97.
PROPERTIES OF HfTa_xO_y HIGH-K LAYERS DEPOSITED BY ALCVD
机译:
ALCVD存放的HFTA_XO_Y高k层的性质
作者:
C. Zhao
;
Z. M. Rittersma
;
J.G.M. Van Berkum
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2005年
98.
Study of Anaerobic Biofilms from Gasoline Distribution Pipelines
机译:
汽油分配管道厌氧生物膜研究
作者:
D. Ramirez Espinosa
;
X. Dominguez-Benetton
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2007年
99.
Smart Nanoporous Membranes
机译:
智能纳米多孔膜
作者:
S. Smirnov
;
I. Vlassiouk
;
F. Rios
;
P. Takmakov
;
D. Gust
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2007年
100.
Oxidation-Protective Iridium and Indium-Rhodium Coatings Produced by Electrodeposition from Molten Salts
机译:
通过电沉积来自熔盐生产的氧化防护铱和铟 - 铑涂层
作者:
A. Etenko
;
T. McKechnie
;
A. Shchetkovskiy
;
A. Smirnov
会议名称:
《ECS Meeting》
|
2007年
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