Dept. of Mechanical and Control Engineering, Tokyo Institute of Technology, Meguro-ku, Tokyo, Japan, 152-8552;
机译:亚微米体CMOS器件的电热行为:生热建模和温度预测
机译:Si CMOS中n型和p型MOSFET相互作用的电热分析
机译:深亚微米CMOS工艺中布局参数对CMOS器件ESD鲁棒性的依赖性分析
机译:Si CMOS结构中器件相互作用的电热分析
机译:用于纳米级CMOS器件的先进材料和结构。
机译:作为后CMOS器件基于石墨烯的横向异质结构晶体管表现出比基于石墨烯的垂直晶体管更好的固有性能
机译:SI器件热设计电热分析和Monte Carlo仿真