首页> 外文会议>2019年第66回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集 >Investigation of stress dependence on bonding strength for Ⅲ-Ⅴ/Si chip-on-wafer by plasma activated bonding
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Investigation of stress dependence on bonding strength for Ⅲ-Ⅴ/Si chip-on-wafer by plasma activated bonding

机译:等离子体激活键合技术研究Ⅲ-Ⅴ/ Si晶圆片上应力对键合强度的影响

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摘要

A large-scale photonic integrated circuit based on Siphotonicshas several advantages . Ⅲ-Ⅴ semiconductorswith different bandgap and chip sizes should be alsointegrated with Si to obtain optical gain function by using theChip-on-Wafer (CoW) bonding technology . In ourprevious work, we reported the bonding weight dependencefor CoW plasma activated bonding (PAB) . This time wereport stress dependence on the bonding strength for CoW byPAB.
机译:基于Siphotonics的大规模光子集成电路 有几个优点。 Ⅲ-Ⅴ族半导体 具有不同的带隙和芯片尺寸也应该 通过与Si集成以获得光学增益函数 晶圆上晶片(CoW)接合技术。在我们的 在先前的工作中,我们报告了键合重量的依赖性 用于CoW等离子体激活键合(PAB)。这次我们 报告应力对CoW粘结强度的依赖关系 PAB。

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