Department of Physics, The University of Warwick, Coventry CV4 7AL, UK;
机译:揭示在标准Si(001)衬底上生长的应变Ge量子阱异质结构中2D孔的高室温和低温迁移率
机译:在稀薄的Si_(0.4)Ge_(0.6)/ LT-Si_(0.4)Ge_(0.6)/ Si(001)虚拟衬底上生长的应变Ge量子阱中的高迁移率空穴
机译:通过减压化学气相沉积法生长的应变Ge量子阱异质结构中二维空穴的极高室温迁移率
机译:在标准Si(001)衬底上生长的应变GE量子孔异质结构中的2D孔的高室和低温迁移率
机译:基于在结构化衬底上生长的低阈值应变InGaAs / GaAs量子阱激光器的光电器件
机译:Ge虚拟衬底上的拉伸应变Si0.13Ge0.87 / Ge多量子阱的室温电致发光
机译:在稀薄且松弛的Si0.4Ge0.6 / LT-Si0.4Ge0.6 / Si(001)虚拟表面上生长的应变Ge量子阱中的高迁移率空穴