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2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting
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1.
Characterization of electronic charged states of self-aligned coupled Si quantum dots by AFM/KFM probe technique
机译:
利用AFM / KFM探针技术表征自对准耦合Si量子点的带电态
作者:
Makihara Katsunori
;
Tsunekawa Naoki
;
Ikeda Mitsuhisa
;
Miyazaki Seiichi
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
2.
Si CMOS compatible, compliant integration of lattice-mismatched semiconductors on Si(001): Example of fully coherent Ge/Si nanostructures
机译:
Si(001)上与Si CMOS兼容的晶格不匹配半导体的兼容集成:完全相干的Ge / Si纳米结构的示例
作者:
Montalenti F.
;
Salvalaglio M.
;
Marzegalli A.
;
Zaumseil P.
;
Capellini G.
;
Schulli T.U.
;
Schubert M.A.
;
Yamamoto Y.
;
Tillack B.
;
Schroeder T.
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
3.
Lattice-engineered Si
1#x2212;x
Ge
x
-buffer on Si(001) for GaP integration
机译:
用于GaP集成的Si(001)上的晶格工程Si
1-x inf> Ge
x inf>缓冲区
作者:
Skibitzki Oliver
;
Paszuk Agnieszka
;
Hatami Fariba
;
Zaumseil Peter
;
Yamamoto Yuji
;
Schubert M.Andreas
;
Trampert Achim
;
Tillack Bernd
;
Masselink W.Ted
;
Hannappel Thomas
;
Schroeder Thomas
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
4.
Plasmonic waveguiding and detection structures integrated with Ge PIN-diodes
机译:
与Ge PIN二极管集成的等离子波导管和检测结构
作者:
Fischer Inga A.
;
Augel Lion
;
Ray Debdatta
;
Schulze Jorg
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
5.
Shallow junction and contact realization by diffusion of heavily doped polycrystalline-germanium for Ge devices
机译:
通过扩散重掺杂锗锗器件的多晶锗实现浅结和接触
作者:
Kezheng Li
;
Hongyu Yu
;
Kok Hoe Kong
;
Gamble Harold
;
McNeill David
;
Armstrong Mervyn
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
6.
Epitaxial growth and crystalline properties of Ge
1#x2212;x#x2212;y
Si
x
Sn
y
layers on Ge(001) substrates
机译:
Ge(001)衬底上Ge
1-x-y inf> Si
x inf> Sn
y inf>层的外延生长和晶体性质
作者:
Asano T.
;
Terashima T.
;
Yamaha T.
;
Kurosawa M.
;
Takeuchi W.
;
Taoka N.
;
Nakatsuka O.
;
Zaima S.
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
7.
Crystal growth of Sn-related group-IV alloy thin films for advanced Si nanoelectronics
机译:
用于高级Si纳米电子学的Sn相关的IV族合金薄膜的晶体生长
作者:
Zaima Shigeaki
;
Nakatsuka Osamu
;
Taoka Noriyuki
;
Kurosawa Masashi
;
Asano Takanori
;
Yamaha Takashi
;
Takeuchi Wakana
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
8.
Spin lifetime in strained silicon films
机译:
应变硅膜的自旋寿命
作者:
Sverdlov Viktor
;
Osintsev Dmitri
;
Selberherr Siegfried
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
9.
Observation of suppressed dark current of Ge on Si (100) using ultrathin Ge seed layer
机译:
使用超薄锗籽晶层观察抑制的Si(100)上的Ge暗电流
作者:
Okumura Shigekazu
;
Simoyama Takasi
;
Ono Hideki
;
Okuno Masaki
;
Miura Makoto
;
Fujikata Junichi
;
Noguchi Masataka
;
Mogami Tohru
;
Horikawa Tsuyoshi
;
Tanaka Yu
;
Morito Ken
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
10.
Thermal stability of highly compressive strained germanium-tin (GeSn) grown by molecular beam epitaxy
机译:
分子束外延生长的高压缩应变锗锡(GeSn)的热稳定性
作者:
Wei Wang
;
Qian Zhou
;
Jisheng Pan
;
Zheng Zhang
;
Eng Soon Tok
;
Yee-Chia Yeo
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
11.
Use of X-ray techniques in the development and production of novel transistor structures
机译:
在开发和生产新型晶体管结构中使用X射线技术
作者:
Hikavyy Andriy
;
Rosseel Erik
;
Witters Liesbeth
;
Mertens Hans
;
Ryan Paul
;
Langer Robert
;
Loo Roger
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
12.
Strained Ge FinFET structures fabricated by selective epitaxial growth
机译:
通过选择性外延生长制造的应变Ge FinFET结构
作者:
Loo Roger
;
Jianwu Sun
;
Witters Liesbeth
;
Hikavyy Andriy
;
Vincent Benjamin
;
Shimura Yosuke
;
Favia Paola
;
Richard Olivier
;
Bender Hugo
;
Vandervorst Wilfried
;
Collaert Nadine
;
Thean Aaron
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
13.
Impact of crystalline structure on electrical property of NiGe/Ge contact
机译:
晶体结构对NiGe / Ge接触电性能的影响
作者:
Yunsheng Deng
;
Nakatsuka Osamu
;
Taoka Noriyuki
;
Zaima Shigeaki
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
14.
Fermi level pinning alleviation at the TiN, ZrN, and HfN/Ge interfaces
机译:
TiN,ZrN和HfN / Ge界面的费米能级钉扎缓解
作者:
Yamamoto Keisuke
;
Wang Dong
;
Nakashima Hiroshi
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
15.
Optimization of ISBD embedded SiGe layers to prevent delamination process for MOSFET applications
机译:
优化ISBD嵌入式SiGe层以防止MOSFET应用分层
作者:
Wasyluk Joanna
;
Yang Ge
;
Wurster Kai
;
Lenski Markus
;
Reichel Carsten
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
16.
Effect of Sn-doped Ge insertion layers on epitaxial growth of ferromagnetic Fe
3
Si films on a flexible substrate
机译:
掺Sn的Ge插入层对柔性衬底上铁磁Fe
3 inf> Si薄膜外延生长的影响
作者:
Higashi Hidenori
;
Fujita Yuichi
;
Kawano Makoto
;
Hirayama Junya
;
Yamada Shinya
;
Park Jong-Hyeok
;
Sadoh Taizoh
;
Miyao Masanobu
;
Hamaya Kohei
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
17.
Growth temperature effects on graded InxAl1−xAs/GaAs buffer for metamorphic In0.70Ga0.30As/In0.53Al0.47As planar transistor on Ge-on-insulator(GeOI) substrate
机译:
生长温度对Ge-on-insulator(GeOI)衬底上变质In0.70Ga0.30As / In0.53Al0.47As平面晶体管的梯度InxAl1-xAs / GaAs缓冲的影响
作者:
Wicaksono Satrio
;
Tan Kian Hua
;
Loke Wan Khai
;
Yoon Soon Fatt
;
Ivana
;
Subramanian Sujith
;
Owen Man Hon Samuel
;
Yeo Yee-Chia
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
18.
Low-temperature Grown Ge
1#x2212;x
Sn
x
layers on a metallic silicide
机译:
在金属硅化物上低温生长的Ge
1-x inf> Sn
x inf>层
作者:
Kawano Makoto
;
Yamada Shinya
;
Miyao Masanobu
;
Hamaya Kohei
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
19.
Arsenic atomic layer doping in Si using AsH
3
机译:
用AsH
3 inf>掺杂Si中的砷原子层
作者:
Yamamoto Yuji
;
Kurps Rainer
;
Murota Juichi
;
Tillack Bernd
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
20.
Weak anti-localization behavior of high mobility 2D hole gas in a strained Ge QW heterostructure
机译:
Ge QW异质结构中高迁移率二维空穴气体的弱抗局域行为
作者:
Foronda J.
;
Morrison C.
;
Myronov M.
;
Halpin J.E.
;
Rhead S.D.
;
Leadley D.R.
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
21.
Full 3D process/device simulations re-using 2D TCAD knowledge for optimizing N and P-type FinFET transistors
机译:
全面的3D工艺/器件仿真,重复使用2D TCAD知识来优化N和P型FinFET晶体管
作者:
Benistant F.
;
Bazizi M.
;
Jiang L.
;
Tng J.H.M.
;
Goh M.H.J.
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
22.
Atomically controlled heteroepitaxy of Ge on a ferromagnetic heusler alloy for a vertical-type spin transistor
机译:
垂直型自旋晶体管的铁磁Heusler合金上Ge的原子控制的异质外延
作者:
Yamada Shinya
;
Miyao Masanobu
;
Hamaya Kohei
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
23.
Growth of tensile-strained Ge layer and highly strain-relaxed Ge
1#x2212;x
Sn
x
buffer layer on silicon by molecular beam epitaxy
机译:
分子束外延在硅上生长拉伸应变Ge层和高应变松弛Ge
1-x inf> Sn
x inf>缓冲层
作者:
Wei Wang
;
Eng Soon Tok
;
Yee-Chia Yeo
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
24.
Atomic-scale planarization of Ge (111), (110) and (100) surfaces
机译:
Ge(111),(110)和(100)表面的原子级平面化
作者:
Nishimura Tomonori
;
Lee ChoongHyun
;
Yajima Takeaki
;
Nagashio Kosuke
;
Toriumi Akira
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
25.
Fabrication of germanium-on-insulator (GOI) with improved threading dislocation density (TDD) via buffer-less epitaxy and bonding
机译:
通过无缓冲外延和键合制造具有改善的线错位密度(TDD)的绝缘体上锗(GOI)
作者:
Lee Kwang Hong
;
Bao Shuyu
;
Chong Gang Yih
;
Tan Yew Heng
;
Fitzgerald Eugene A.
;
Tan Chuan Seng
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
26.
Resonant photoluminescence from Ge microdisks on Ge-on-insulator
机译:
绝缘体上Ge上Ge微型磁盘的共振光致发光
作者:
Xu Xuejun
;
Nishida Keisuke
;
Sawano Kentarou
;
Maruizumi Takuya
;
Shiraki Yasuhiro
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
27.
N-type SiGe/Ge superlattice structures for terahertz emission
机译:
用于太赫兹发射的N型SiGe / Ge超晶格结构
作者:
Halpin John
;
Myronov Maksym
;
Rhead Stephen
;
Leadley David R.
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
28.
Electrical characterization of pGeSnGe diodes
机译:
pGeSn / nGe二极管的电气特性
作者:
Baert Bruno
;
Gupta Somya
;
Gencarelli Federica
;
Loo Roger
;
Simoen Eddy
;
Nguyen Ngoc Duy
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
29.
Effect of thermal nitridation on phosphorus diffusion in SiGe and SiGe:C and its implication on diffusion mechanisms
机译:
热氮化对SiGe和SiGe:C中磷扩散的影响及其对扩散机理的影响
作者:
Lin Yiheng
;
Yasuda Hiroshi
;
Ho Howard
;
Schiekofer Manfred
;
Benna Bernhard
;
Wise Rick
;
Xia Guangrui
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
30.
Growth and interface engineering of highly strained low bandgap group IV semiconductors
机译:
高应变低带隙IV族半导体的生长和界面工程
作者:
Wirths S.
;
Pampillon M.A.
;
San Andres E.
;
Stange D.
;
Tiedemann A.T.
;
Mussler G.
;
Fox A.
;
Breuer U.
;
Hartmann J-M.
;
Mantl S.
;
Buca D.
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
31.
Ge n
+
/p junctions using temperature-based phosphorous implantation
机译:
基于温度的磷注入Ge n
+ sup> / p结
作者:
Bhatt P.
;
Swarnkar P.
;
Misra A.
;
Biswas J.
;
Lodha S.
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
32.
Phosphorus delta-doping in germanium
机译:
锗中的磷δ掺杂
作者:
Scappucci Giordano
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
33.
Impact of stressors in future SiGe-based FinFETs: Mobility boost and scalability
机译:
压力源对未来基于SiGe的FinFET的影响:移动性增强和可扩展性
作者:
Eneman G.
;
Brunco D.P.
;
Witters L.
;
Mitard J.
;
Hikavyy A.
;
De Keersgieter A.
;
Roussel P.J.
;
Loo R.
;
Veloso A.
;
Horiguchi N.
;
Collaert N.
;
Thean A.
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
34.
Germanium-lead alloy with 0.3 substitutional lead formed by pulsed laser induced epitaxy
机译:
脉冲激光诱导外延形成具有0.3%替代铅的锗铅合金
作者:
Zhou Qian
;
Zhan Chunlei
;
Gong Xiao
;
Chan Taw Kuei
;
Osipowicz Thomas
;
Lim Sin Leng
;
Tok Eng Soon
;
Yeo Yee-Chia
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
35.
Facet engineering for SiGe/Si stressors in advanced CMOS technology
机译:
先进CMOS技术中用于SiGe / Si应力源的分面工程
作者:
Kasim Johnson
;
Reichel Carsten
;
Dilliway Gabriela
;
Bo Bai
;
Zakowsky Nadja
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
36.
Revealing the high room and low temperature mobilities of 2D holes in a strained Ge quantum well heterostructures grown on a standard Si(001) substrate
机译:
揭示在标准Si(001)衬底上生长的应变Ge量子阱异质结构中2D孔的高室温和低温迁移率
作者:
Myronov Maksym
;
Morrison Christopher
;
Halpin John
;
Rhead Stephen
;
Foronda Jamie
;
Leadley David
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
37.
Novel Si-Ge-C superlattices and their applications
机译:
新型Si-Ge-C超晶格及其应用
作者:
Augusto Carlos J.R.P.
;
Forester Lynn
会议名称:
《》
|
2014年
38.
CMOS-fabricated tensile Ge microstructures: towards an edge-emitting laser
机译:
CMOS制成的拉伸Ge微结构:朝向边缘发射激光器
作者:
Capellini G.
;
Reich C.
;
Guha S.
;
Yamamoto Y.
;
Lischke S.
;
Kreissl J.
;
Zimmermann L.
;
Virgilio M.
;
Ghrib A.
;
El Kurdi M.
;
Boucaud P.
;
Tillack B.
;
Schroeder T.
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
39.
Growth and crystalline properties of Ge
1#x2212;x#x2212;y
Sn
x
C
y
ternary alloy thin films on Ge(001) substrate
机译:
Ge(001)衬底上Ge
1-x-y inf> Sn
x inf> C
y inf>三元合金薄膜的生长和晶体性质
作者:
Terasawa K.
;
Yamaha T.
;
Kurosawa M.
;
Takeuchi W.
;
Taoka N.
;
Nakatsuka O.
;
Kamiyama E.
;
Matsutani R.
;
Suwa R.
;
Kashima K.
;
Izunome K.
;
Sueoka K.
;
Zaima S.
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
40.
Growth of indium arsenide on silicon-based substrates using molecular beam epitaxy
机译:
分子束外延在硅基衬底上生长砷化铟
作者:
Tan Kian Hua
;
Loke Wan Khai
;
Wicaksono Satrio
;
Yoon Soon Fatt
;
Subramanian Sujith
;
Zhou Qian
;
Yeo Yee-Chia
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
41.
Tensile strain mapping in flat germanium membranes
机译:
平面锗膜中的拉伸应变图
作者:
Rhead S.D.
;
Shah V.A.
;
Halpin J.E.
;
Myronov M.
;
Patchett D.H.
;
Allred P.S.
;
Kachkanov V.
;
Dolbnya I.P.
;
Wilson N.R.
;
Leadley D.R.
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
42.
Quantum transport of a high mobility two dimensional hole gas in a strained Ge quantum well
机译:
应变Ge量子阱中高迁移率二维空穴气体的量子输运
作者:
Morrison C.
;
Myronov M.
;
Foronda J.
;
Casteleiro C.
;
Halpin J.E.
;
Rhead S.D.
;
Leadley D.R.
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
43.
Direct band gap electroluminescence from bulk germanium at room temperature using an asymmetric metal/germanium/metal structure
机译:
使用不对称金属/锗/金属结构在室温下从大块锗直接带隙电致发光
作者:
Wang Dong
;
Kamezawa Sho
;
Yamamoto Keisuke
;
Nakashima Hiroshi
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
44.
Challenges in epitaxial growth by RP-CVD of strained and relaxed GeSn epilayers on a Si substrate
机译:
硅衬底上应变和松弛的GeSn外延层的RP-CVD外延生长的挑战
作者:
Patchett David
;
Myronov Maksym
;
Rhead Stephen
;
Halpin John
;
Leadley David
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
45.
Silicon photonics
机译:
硅光子学
作者:
Reed G T
;
Mashanovich G Z
;
Gardes F Y
;
Thomson D J
;
Hu Y
;
Soler-Penades J
;
Nedeljkovic M
;
Khokar A
;
Thomas P
;
Littlejohns C
;
Ahmad A
;
Reynolds S
;
Topley R
;
Mitchell C
;
Stankovic S
;
Wilson P R
;
Ke L
;
Ben Masaud T M
;
Tarazona A
;
Chong H
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
46.
Germanium for photonic applications
机译:
锗用于光子应用
作者:
Gardes F.Y.
;
Littlejohns C.G.
;
Soler Penades J.
;
Mitchell C.J.
;
Khokhar A.Z.
;
Reed G.T.
;
Mashanovich G.Z.
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
47.
Epitaxy of light emitting SiGeSn materials using novel precursors
机译:
使用新型前体的发光SiGeSn材料的外延
作者:
Kouvetakis John
;
Menendez Jose
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
48.
Strained Ge microbridges to obtain a direct bandgap laser
机译:
应变锗微桥获得直接带隙激光
作者:
Geiger Richard
;
Suess Martin J.
;
Bonzon Christopher
;
Spolenak Ralph
;
Faist Jerome
;
Sigg Hans
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
49.
Strained Ge
0.96
Sn
0.04
P-channel MOSFETs with in situ low temperature Si
2
H
6
surface passivation
机译:
原位低温Si
2 inf> H
6 inf>表面钝化的应变Ge
0.96 inf> Sn
0.04 inf> P沟道MOSFET
作者:
Liu Yan
;
Yan Jing
;
Han Genquan
;
Wang Hongjuan
;
Liu Mingshan
;
Zhang Chunfu
;
Cheng Buwen
;
Hao Yue
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
50.
Extraction of GeSn absorption coefficients from photodetector response
机译:
从光电探测器响应中提取GeSn吸收系数
作者:
Ye Kaiheng
;
Zhang Wogong
;
Oehme Michael
;
Schmid Marc
;
Gollhofer Martin
;
Kostecki Konrad
;
Widmann Daniel
;
Kasper Erich
;
Schulze Jorg
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
51.
A reliable 40 GHz opto-electrical system for characterization of frequency response of Ge PIN photo detectors
机译:
可靠的40 GHz光电系统,用于表征Ge PIN光电探测器的频率响应
作者:
Zhang Wogong
;
Ye Kaiheng
;
Bechler Stefan
;
Ulbricht Kai
;
Oehme Micheal
;
Kasper Erich
;
Schulze Jorg
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
52.
Optical bleaching in electrical pumped n-doped Ge on Si optical devices
机译:
Si光学器件上电泵浦n掺杂Ge中的光漂白
作者:
Koerner R.
;
Oehme M.
;
Gollhofer M.
;
Kostecki K.
;
Schmid M.
;
Bechler S.
;
Widmann D.
;
Kasper E.
;
Schulze J.
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
关键词:
Fabry-Perot resonator;
electrical pumped Ge laser;
lateral Ge LED;
n-doped Ge;
optical bleaching;
53.
Observation of in situ B-doped Epitaxial Ge layer growth on Si(111) by ultra-high vacuum chemical vapor deposition
机译:
超高真空化学气相沉积法观察Si(111)上原位掺杂B的外延Ge层的生长
作者:
Kim Byongju
;
Jang Hyunchul
;
Byeon Dae-Seop
;
Koo Sangmo
;
Ko Dae-Hong
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
54.
Study of Si-based Ge heteroepitaxy using RPCVD
机译:
RPCVD研究Si基Ge异质外延
作者:
Yao Lei
;
Liang Renrong
;
Jiang Chunsheng
;
Wang Jing
;
Xu Jun
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
55.
Automated Micro Hall Effect measurements
机译:
自动微霍尔效应测量
作者:
Petersen Dirch H.
;
Henrichsen Henrik H.
;
Rong Lin
;
Nielsen Peter F.
;
Hansen Ole
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
56.
High mobility germanium-tin (Ge
0.930
Sn
0.070
) P-MOSFETs with surface passivation by silicon atomic layer epitaxy
机译:
通过硅原子层外延表面钝化的高迁移率锗锡(Ge
0.930 inf> Sn
0.070 inf>)P-MOSFET
作者:
Lei Dian
;
Zhan Chunlei
;
Wang Wei
;
Gong Xiao
;
Zhou Qian
;
Tok Eng-Soon
;
Yeo Yee-Chia
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
57.
Effects of DC sputtering conditions on formation of Ge layers on Si substrates by sputter epitaxy method
机译:
直流溅射条件对溅射外延法在硅衬底上形成锗层的影响
作者:
Tsukamoto Takahiro
;
Hirose Nobumitsu
;
Kasamatsu Akifumi
;
Mimura Takashi
;
Matsui Toshiaki
;
Suda Yoshiyuki
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
58.
High-performance waveguide-integrated germanium PIN photodiodes for optical communication applications
机译:
用于光通信应用的高性能波导集成锗PIN光电二极管
作者:
Fedeli Jean Marc
;
Virot Leopold
;
Vivien Laurent
;
Hartmann Jean Michel
;
Bogumilowicz Yann
;
Marris-Morini Delphine
;
Cassan Eric
;
Baudot Charles
;
Boeuf Frederic
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
59.
III#x2013;V/Ge CMOS device technologies for future logic LSIs
机译:
用于未来逻辑LSI的III–V / Ge CMOS器件技术
作者:
Takagi Shinichi
;
Takenaka Mitsuru
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
60.
Improvement of current drive of Ge-nMISFETs by epitaxially grown n
+
-Ge:P source and drain
机译:
外延生长n
+ sup> -Ge:P源极和漏极来改善Ge-nMISFET的电流驱动
作者:
Moriyama Yoshihiko
;
Kamimuta Yuuichi
;
Kamata Yoshiki
;
Ikeda Keiji
;
Takeuchi Shotaro
;
Nakamura Yoshiaki
;
Sakai Akira
;
Tezuka Tsutomu
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
61.
Si-Ge-Sn heterostructures: Growth and applications
机译:
Si-Ge-Sn异质结构:生长和应用
作者:
Buca D.
;
Wirths S.
;
Stange D.
;
Tiedemann A.T.
;
Mussler G.
;
Ikonic Z.
;
Chiussi S.
;
Hartmann J.M.
;
Grutzmacher D.
;
Mantl S.
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
62.
Ge and GaAs integration for device applications
机译:
Ge和GaAs集成用于设备应用
作者:
Chia Ching-Kean
;
Iskander Aneesa
;
Cheng Yuanbing
;
Jin Yunjiang
;
Dalapati Goutam Kumar
;
Terry Zhuo Qiuwei
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
63.
High electron mobility n-channel Ge MOSFETs with sub-nm EOT
机译:
具有亚纳米EOT的高电子迁移率N沟道Ge MOSFET
作者:
Toriumi Akira
;
Lee Choong Hyun
;
Cimang Lu
;
Nishimura Tomonori
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
64.
Thermal chemical vapor deposition of epitaxial germanium tin alloys
机译:
外延锗锡合金的热化学气相沉积
作者:
Yihwan Kim
;
Yi-Chiau Huang
;
Sanchez Errol
;
Chu Schubert
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
65.
III/V layer growth on Si and Ge surfaces for direct wafer bonding as a path for hybrid CMOS
机译:
Si / Ge表面上的III / V层生长用于直接晶圆键合,作为混合CMOS的途径
作者:
Uccelli E.
;
Daix N.
;
Czornomaz L.
;
Caimi D.
;
Rossel C.
;
Sousa M.
;
Siegwart H.
;
Marchiori C.
;
Hartmann J.M.
;
Fompeyrine J.
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
66.
Strain-induced morphological instability and self assembly of tin wires during controlled annealing of Ge
0.83
Sn
0.17
epitaxial film on Ge(001) substrate
机译:
Ge(001)衬底上Ge
0.83 inf> Sn
0.17 inf>外延膜的受控退火过程中,应变引起的锡线形态不稳定性和锡线的自组装
作者:
Lingzi Li
;
Wei Wang
;
Eng Soon Tok
;
Yeo Yee-Chia
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
67.
Low-temperature reduction of Ge oxide by Si and SiH
4
in low-pressure H
2
and ar environment
机译:
Si和SiH
4 inf>在低压H
2 inf>和ar环境中低温还原Ge氧化物
作者:
Minami Kaichiro
;
Moriya Atsushi
;
Yuasa Kazuhiro
;
Maeda Kiyohiko
;
Yamada Masayuki
;
Kunii Yasuo
;
Niwano Michio
;
Murota Junichi
会议名称:
《》
|
2014年
68.
Strained germanium nanowire MOSFETs
机译:
应变锗纳米线MOSFET
作者:
Ikeda Keiji
;
Kamimuta Yuuichi
;
Moriyama Yoshihiko
;
Ono Mizuki
;
Oda Minoru
;
Irisawa Toshifumi
;
Tezuka Tsutomu
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
69.
Formation of vertically stacked germanium-tin (Ge
1#x2212;x
Sn
x
) nanowires using a selective dry etch technique
机译:
使用选择性干法蚀刻技术形成垂直堆叠的锗锡(Ge
1-x inf> Sn
x inf>)纳米线
作者:
Xu Xin
;
Lei Dian
;
Wang Wei
;
Dong Yuan
;
Gong Xiao
;
Yeo Yee-Chia
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
70.
Strain profile, electronic band structure and optical gain of self-assembled Ge quantum dots on SiGe virtual substrate
机译:
SiGe虚拟衬底上自组装Ge量子点的应变曲线,电子能带结构和光学增益
作者:
Bose Sumanta
;
Fan W.J.
;
Jian C.
;
Zhang D.H.
;
Tan C.S.
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
71.
Vertical Ge heterojunction gate-ail-around Tunneling Field Effect Transistors with Ge
0.92
Sn
0.08
-#x03B4;-Layers at the tunneling junction
机译:
隧道结处具有Ge
0.92 inf> Sn
0.08 inf>-δ-Layers的垂直Ge异质结栅-环绕隧穿场效应晶体管
作者:
Schulze Jorg
;
Blech Andreas
;
Fischer Inga A.
;
Hahnel Daniel
;
Naasz Sandra
;
Tropper Eva-Maria
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
72.
RP-CVD growth of high carbon content Si
1#x2212;x
C
x
epilayers using disilane and trimethylsilane precursors
机译:
使用乙硅烷和三甲基硅烷前体的高碳含量Si
1-x inf> C
x inf>外延层的RP-CVD生长
作者:
Myronov M.
;
Rhead S.D.
;
Colston G.
;
Leadley D.R.
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
73.
Chlorine- and Fluorine-based dry etching of Germanium-Tin
机译:
基于氯和氟的锗锡干法蚀刻
作者:
Yuan Dong
;
Dian Lei
;
Xin Xu
;
Wei Wang
;
Yee-Chia Yeo
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
74.
Impact of embedded Mn-Nanodots on resistive switching in Si-rich oxides
机译:
内含锰纳米粒子对富硅氧化物中电阻转换的影响
作者:
Arai Takashi
;
Chong Liu
;
Ohta Akio
;
Makihara Katsunori
;
Miyazaki Seiichi
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
75.
Migration enhanced epitaxy of InGaP on offcut Ge (001) using solid-source molecular beam epitaxy
机译:
使用固体源分子束外延技术迁移提高了InGaP在外切Ge(001)上的外延
作者:
Loke Wan Khai
;
Zhou Qian
;
Gong Xiao
;
Owen Man Hon Samuel
;
Wicaksono Satrio
;
Tan Kian Hua
;
Yeo Yee-Chia
;
Yoon Soon Fatt
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
76.
Germanium lasers for the near and mid IR
机译:
锗激光器用于近红外和中红外
作者:
Michel Jurgen
;
Cai Yan
;
Han Zhaohong
;
Zhang Lin
;
Yu Wei
;
Kimerling L.C.
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
77.
SiGe channel deposition by batch epitaxy
机译:
分批外延生长SiGe沟道
作者:
Reichel Carsten
;
Schoenekess Joerg
;
Dietel Andreas
;
Wasyluk Joanna
;
Yew Tuck Chow
;
Kammler Thorsten
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
78.
Optimization of epitaxial growth for thick Ge-on-Si structures used for single photon avalanche diode applications
机译:
用于单光子雪崩二极管应用的厚Ge-on-Si结构的外延生长的优化
作者:
Allred P.S.
;
Myronov M.
;
Rhead S.D.
;
Warburton R.
;
Intermite G.
;
Buller G.
;
Leadley D.R.
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
79.
Threshold voltage and transconductance shifting reliance on strained-SiGe channel dimension
机译:
阈值电压和跨导移位对应变SiGe沟道尺寸的依赖
作者:
Wen-Teng Chang
;
Yu-Seng Lin
;
Cheng-Ting Shih
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
80.
Spin accumulation in n-Ge on Si with sputtered Mn
5
Ge
3
C
0.8
-contacts
机译:
溅射Mn
5 inf> Ge
3 inf> C
0.8 inf>-接触的Si上n-Ge中的自旋积累
作者:
Fischer Inga A.
;
Chang Li-Te
;
Surgers Christoph
;
Chiussi Stefano
;
Wang Kang L.
;
Schulze Jorg
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
81.
III/V on large diameter silicon substrates using LPCVD germanium templates
机译:
使用LPCVD锗模板在大直径硅衬底上进行III / V
作者:
Harper R.
;
Morgan A.
;
Liu A.W.K.
;
Snyder A.
;
Hartzell D.
;
Fastenau J.
;
Lubychev D.
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
82.
A study of hole mobility in the inversion layer of relaxed and strained SiGe PMOS devices
机译:
松弛和应变SiGe PMOS器件反型层中空穴迁移率的研究
作者:
Chen K.-T.
;
Chang S.T.
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
83.
Impact of Sn incorporation on low temperature growth of polycrystalline-Si
1#x2212;x
Ge
x
layers on insulators
机译:
掺锡对绝缘子上多晶Si
1-x inf> Ge
x inf>层低温生长的影响
作者:
Yamaha Takashi
;
Ohmura Takuma
;
Kurosawa Masashi
;
Takeuchi Wakana
;
Taoka Noriyuki
;
Nakatsuka Osamu
;
Zaima Shigeaki
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
84.
Low temperature growth of SiSn polycrystals with high Sn contents on insulating layers
机译:
绝缘层上锡含量高的SiSn多晶的低温生长
作者:
Kurosawa Masashi
;
Kato Motohiro
;
Yamaha Takashi
;
Taoka Noriyuki
;
Nakatsuka Osamu
;
Zaima Shigeaki
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
85.
Ultralow-temperature catalyst-induced-crystallization of SiGe on plastic for flexible electronics
机译:
柔性电子器件在塑料上的超低温催化剂诱导的SiGe结晶
作者:
Sadoh T.
;
Park J.-H.
;
Kurosawa M.
;
Miyao M.
会议名称:
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》
|
2014年
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