CEN, Dept of EE, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai, India;
机译:锗化后磷离子注入形成的NiGe / Ge结的理解与工程
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机译:注入磷离子的ZnSe p-n结二极管的注入电致发光
机译:GE N + / SUP> / P结采用基于温度的磷植入
机译:4-氢碳化硅中的高压注入-发射极双极结型晶体管和Darlington晶体管。
机译:重新设计和测试Temesgen-Melesse基于温度的蒸散量估算方法
机译:使用磷注入和隔离作用,使n型Ge1-x-ySixSny的Ni欧姆接触
机译:用于C-mOs隔离的高能离子注入N阱技术:在工业环境中使用多电荷磷离子的一些问题