Graduate School Sceince and TechnologyShizuoka University, 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu 432-8011, Japanc;
Low-frequency noise; SOI MOSFET; Substrate bias effect; minority carrier lifetime Introduction; single-photon detector;
机译:SOI MOSFET单光子探测器的空穴寿命分析
机译:深亚微米N和P沟道SOI MOSFET中的热载流子效应和可靠的寿命预测
机译:深亚微米SOI N-MOSFET处于断态工作时的热载流子效应和寿命预测
机译:SOI MOSFET单光子检测器中的噪声和少数群体寿命的基板偏差
机译:绝缘体上硅(SOI)MOSFET的热载流子可靠性及其在非易失性存储器中的应用。
机译:紧凑型固态CMOS单光子探测器阵列用于体内NIR荧光寿命肿瘤学测量
机译:sOI mOsFET单光子探测器孔寿命分析
机译:作为光偏的函数的Inp中的少数载流子寿命