机译:0.25- / spl mu / m栅GaAs MESFET和GaAs伪晶HEMT的微波性能的温度依赖性研究
机译:具有GeMoW欧姆接触的GaAs MESFET上的Al和TiPtAu金属化的比较
机译:通过i线光刻工艺制造的0.18μm栅GaAs-MESFET的可靠性
机译:具有TiAl和TiPtAu栅极的GaAs MESFET在高温和高电流密度下的可靠性比较研究
机译:用于低噪声应用的铜/钛金属化GaAs MESFET和HEMT的制造,测试和可靠性建模。
机译:GaAs / AlGaAs量子阱中自旋弛豫的温度和电子密度依赖性
机译:暗和光照条件下的短栅长离子注入GaAs Mesfets的二维(2D)电势分布模型
机译:Gaas mmIC混频器,用于8-12GHz,基于0.5微米栅极长度的D-mEsFETs。第1卷。设计和布局(Gaas mmIC混频器,8-12GHz,Gerealiseered met 0,5微米栅极冷却D-mEsFET.selel 1. Ontwerp en Layout)。