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黄云; 费庆宇;
无;
机译:隧道氧化物浮栅EEPROM器件的退化及其与高场电流引起的薄栅氧化物退化的关系
机译:TiN金属栅对膜应力的调制对应力工程的影响及其对金属栅/ High-k介电SOI FinFET器件特性的影响
机译:带有界面陷阱电荷的双栅和全栅栅MOSFET的退化模型,包括沟道移动载流子的影响
机译:TiAl和TiPtAu栅在高温高电流密度下GaAs MESFET可靠性的比较研究
机译:具有可调功函数的双层金属栅电极:行为,机理和器件特性。
机译:静电放电应力作用下的全栅硅纳米线场效应晶体管的退化机理–一种建模方法
机译:后栅等离子体和溅射工艺对金属栅CmOs集成电路辐射硬度的影响
机译:分裂栅闪存器件的制造涉及在衬底的暴露部分上形成栅绝缘层,以及形成与第一栅的一侧重叠的第二栅,其中分裂栅由第一栅和第二栅构成。
机译:绝缘栅型半导体器件及其可靠性和特性不会因按压而降低,并且使用该绝缘栅型半导体器件的功率逆变器
机译:形成NVM器件的分栅电极以在分栅电极的控制栅下具有相对于高电压的栅氧化物层的方法,用于控制栅,并使氧化层与控制栅的侧壁接触。
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