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Evaluation on protective single event burnout test method for power DMOSFETs

机译:功率DMOSFET保护性单事件熔断测试方法的评估

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摘要

This paper evaluates protective single event burnout test method on power DMOSFETs to confirm that it provides accurate test results as the destructive test method when performed properly. The selection of resistor values, protective mechanism, and considerations in calculating SEB cross-section are discussed.
机译:本文评估了功率DMOSFET的保护性单事件烧断测试方法,以确认它在正确执行时可以提供准确的测试结果,作为破坏性测试方法。讨论了电阻值的选择,保护机制以及计算SEB横截面时的注意事项。

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