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公开/公告号CN109686826B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-27
原文格式PDF
申请/专利权人 浙江大学;
申请/专利号CN201811570134.1
发明设计人 马向阳;朱伟君;杨德仁;
申请日2018-12-21
分类号H01L33/26(20100101);H01L33/00(20100101);
代理机构33224 杭州天勤知识产权代理有限公司;
代理人韩聪
地址 310013 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
入库时间 2022-08-23 11:42:01
机译: 一种基于al2o3-tio2-zro2的火焰或等离子喷涂热冲击-耐腐蚀陶瓷层的制备方法
机译: 带隙能控制的纳米多孔TiO2-ZrO2杂化薄膜的制备方法
机译: 一种基于CZTSSE的薄膜太阳能电池的制备方法及该方法制备的基于CZTSSE的薄膜太阳能电池
机译:硅衬底上外延Yb3 + / Er3 +共掺杂铁电Pb(Zr,Ti)O-3薄膜的上转换光致发光
机译:ZrO2-TiO2-共掺杂Na-β''-Al2O3陶瓷薄膜的制备与表征
机译:一种用于室温酒精和丙酮传感器的三维草状碳掺杂ZrO_2薄膜的原位制备方法
机译:Tb〜(3+),ER〜(3+)共掺杂K_2GDZR(PO_4)_3中的ER-GD-TB系统的协同能量转移作为潜在可见量子切割磷光体
机译:氮和碳共掺杂的纳米结构TiO2薄膜:合成,结构表征和光电性能。
机译:纳米管钛酸前体对N和Zr共掺杂TiO2纳米结构的简便合成和增强的可见光光催化活性
机译:硅衬底上外延Yb3 + / Er3 +共掺杂铁电Pb(Zr,Ti)O3薄膜的上转换光致发光
机译:原子层沉积(aLD) - 沉积二氧化钛(TiO2)厚度对Zr40Cu35al15Ni10(ZCaN)/ TiO2 /铟(In)基电阻随机存取存储器(RRam)结构性能的影响。