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黄旭;
福建师范大学;
CMOS器件; 金属栅电极; 功函数; 吸附效应; 铁基材料磁性; 自旋极化; 第一性原理;
机译:C吸附Cr / Fe(001)金属栅的功函数的自旋调制
机译:金属电极与ha基高k栅介电膜之间界面的有效功函数调制机制
机译:金属电极与the基高介电常数栅绝缘膜之间界面处的有效功函数调制机制
机译:TiN / Ta / TiN金属栅电极的功函数调制
机译:用于高级CMOS技术的反应溅射HfxSi yNz金属栅电极的功函数调整。
机译:石墨烯插层对HfO2介电可靠性的影响以及Ni / Gr / c-HfO2界面有效功函数的调制:第一性原理研究
机译:用于先进热电子转换器的低功函数发射极电极
机译:低温使用的MOS集成电路的构造-具有带低功函数的栅电极的耗尽型晶体管和使用高功函数材料的增强器件
机译:半导体结构,双功函数的CMOS器件,双功函数的CMOS电路以及在基板上形成双功函数的CMOS器件的方法(碳化物金属栅极结构和形成方法)
机译:半导体结构,在双功函数的CMOS器件上形成双功函数的CMOS器件的方法,CMOS电路和双功函数的基板(碳化金属栅极结构和形成方法)
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