n+多晶硅/N—SiC异质结欧姆接触的理论与实验研究

摘要

从理论和实验的角度，研究了n型4H-SiC上的多晶硅欧姆接触。在p型4H-SiC外延层上使用P+离子注入来形成TLM结构的N阱。使用LPCVD淀积多晶硅，并通过P+离子注入及扩散进行掺杂，得到的多晶硅方块电阻为22Ω/□。得到的n+多晶硅/N-SiC欧姆接触的比接触电阻为3.82x10-5Ω·cm2,接触下的注入层的方块电阻Rsh为4.9 kΩ/□。对n+多晶硅/N-SiC欧姆接触形成的机理进行了讨论。